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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>簡單認識功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點

簡單認識功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點

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2010-04-24 11:44:421237

MOSFET功率功放簡述

我與好友一起設(shè)計并制作一完全由增強型MOSFET推動的功放,效果不錯,特向土炮興趣者推薦。本電路結(jié)構(gòu)簡單,
2010-11-27 12:11:202097

功率MOSFET抗SEB能力的二維數(shù)值模擬

在此對功率MOSFET的SEB效應(yīng)的機理進行了簡單分析,并針對600 V平面柵VDMOSFET,利用半導(dǎo)體器件模擬軟件Medici研究了緩沖層對提高MOSFET抗SEB能力的影響,提出利用多緩沖層結(jié)構(gòu)改善MOSFET
2012-03-07 10:28:061784

功率MOSFET驅(qū)動保護電路方案

分析了對功率MOSFET器件的設(shè)計要求;設(shè)計了基于EXB841驅(qū)動模塊的功率MOSFET驅(qū)動保護電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡單,實用性強,響應(yīng)速度快等特點。在電渦流測功機勵磁線圈驅(qū)動電路中的實
2012-03-14 14:23:48221

深度解析MOSFET結(jié)構(gòu)原理和特點以及其驅(qū)動電路

),簡稱功率MOSFET(Power MOSFET)。結(jié)型功率場效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管(Static Induction Transistor——SIT)。其特點是用柵極電壓來控制漏極電流,驅(qū)動
2017-12-19 12:44:4736491

RF功率MOSFET的性能和結(jié)構(gòu)特征及其應(yīng)用

RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期,RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期,的出現(xiàn)改變了這一
2018-10-11 08:33:005899

IGBT的結(jié)構(gòu)_功率MOSFET的垂直結(jié)構(gòu)

功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上,它的密度是每平方毫米250.000個單元(50V功率MOS-FET)或者50.000單元(1200VIGBT)。
2020-05-02 17:47:002596

功率半導(dǎo)體系列-功率MOSFET

、全控式、單極型的特點主要適用于對功率器件工作頻率需求較高的領(lǐng)域。 寬禁帶半導(dǎo)體材料迭代引領(lǐng)功率MOSFET性能演進。功率MOSFET主要通過制程縮小、技術(shù)變化、工藝進步與材料迭代這四種方式不斷提高自身的性能以滿足世界電氣化程度不斷加深帶來的電力需求。其中
2022-11-30 10:38:39908

N溝道耗盡型功率MOSFET的電路應(yīng)用

MOSFET及其應(yīng)用優(yōu)勢,以幫助設(shè)計人員在許多工業(yè)應(yīng)用中選擇這些器件。 圖1 N溝道耗盡型功率MOSFET N溝道耗盡型功率MOSFET的電路符號在圖1中給出。端子標記為G(柵極),S(源極)和D(漏極)。IXYS耗盡型功率MOSFET具有稱為垂直雙擴散MOSFET或DMOSFET的結(jié)構(gòu),與市場上的其
2021-05-27 12:18:587444

Nexperia全新POWER MOSFET工程師設(shè)計指南

Nexperia全新POWER MOSFET工程師設(shè)計指南 認識理解功率 MOSFET 數(shù)據(jù)手冊中的參數(shù) 功率 MOSFET 單次和重復(fù)雪崩強度限值 RC 熱阻模型的使用 基于 LFPAK 封裝的 MOSFET 熱設(shè)
2022-04-07 11:40:220

簡單介紹TOREX功率MOSFET

功率MOSFET是專門針對解決高功率電流和電壓的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),同樣是功率半導(dǎo)體中的一種。與其它功率半導(dǎo)體相比較,功率MOSFET具備電源開關(guān)速度快、低壓效率高的優(yōu)勢
2022-08-16 14:30:56791

認識線性功率MOSFET

),可能導(dǎo)致器件損壞。A類音頻放大器、有源DC-link放電、電池充放電、浪涌電流限制器、低壓DC電機控制或電子負載等線性模式應(yīng)用要求功率 MOSFET 器件在電流飽和區(qū)域內(nèi)工作。 ? 作者
2022-08-25 15:34:411601

什么是MOSFET,MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理

功率MOSFET為多單元集成結(jié)構(gòu),如IR 的HEXFET采用六邊形單元;西門子Siemens的SIPMOSFET采用正方形單元;摩托羅拉公司Motorola的TMOS采用矩形單元按品字形排列
2022-10-07 10:39:00571

SiC-MOSFET功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較

近年來超級結(jié)(Super Junction)結(jié)構(gòu)MOSFET(以下簡稱“SJ-MOSFET”)應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET,ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET
2023-02-08 13:43:19525

SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極源極間電壓的動作-SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

在探討“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時,本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進行介紹,這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340

功率MOSFET心得

功率MOSFET是較常使用的一類功率器件?!?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的縮寫,譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管
2023-02-15 15:47:36426

SiC MOSFET結(jié)構(gòu)及特性

SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET結(jié)構(gòu)
2023-02-16 09:40:102938

功率MOSFET結(jié)構(gòu)以及工作原理

Semiconductor FET) ,簡稱功率MOSFET ( PowerMOSFET)。結(jié)型功率場效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管 (Staticnduction Transistor--SIT) 。其特點是用柵極電壓來控制漏極電流驅(qū)動電路簡單
2023-02-22 14:13:471001

SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)及柵極驅(qū)動電路

下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊(HS)和低邊(LS)是交替導(dǎo)通的,為了防止HS和LS同時導(dǎo)通,設(shè)置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時間。右下方的波形表示其門極信號(VG)時序。
2023-02-27 13:41:58737

一款簡單MOSFET功率音頻放大器電路

這款簡單MOSFET功率音頻放大器電路具有TL071C和2個MOSFET(IRF9530和IRF530),可在45Ω揚聲器上提供高達8W的功率,在70Ω揚聲器上提供高達4W的功率。該原理圖
2023-05-23 16:50:331168

SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性

SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiCMOSFET的結(jié)構(gòu),如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)特點是工藝簡單,單元的一致性較好,雪崩能量比較高。但是,這種結(jié)構(gòu)的中間
2023-06-19 16:39:467

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):溝槽結(jié)構(gòu)介紹

垂直導(dǎo)電平面結(jié)構(gòu)功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應(yīng),如果把水平的溝道變?yōu)榇怪睖系?,從?cè)面控制溝道,就可以消除JFET效應(yīng)。
2023-08-28 10:10:392927

功率MOSFET選型的幾點經(jīng)驗

選型用圖解和簡單公式作簡單通俗的講解。另外,這里的功率MOSFET應(yīng)用選型為功率開關(guān)應(yīng)用,對于功率放大應(yīng)用不一定適用。不正之處,希望大家不吝指正。功率MOSFET
2023-10-26 08:02:47373

功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理

MOSFET中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管或MOS管,可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級的MOSFET器件,通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34197

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):超結(jié)結(jié)構(gòu)

高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu),采用厚低摻雜的N-外延層epi,保證器件具有足夠擊穿電壓,低摻雜N-外延層epi尺寸越厚,耐壓額定值越大,但是,導(dǎo)通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長,導(dǎo)通電阻急劇增大,電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:121426

功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認識

功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認識
2023-11-23 09:06:38407

SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:26157

mosfet和igbt相比具有什么特點

MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件。它們在不同的應(yīng)用場景中具有不同的特點和優(yōu)勢。本文將對MOSFET和IGBT進行詳盡
2023-12-15 15:25:35367

簡單認識功率器件

功率器件 (Power Devices) 通常也稱為電力電子器件,是專門用來進行功率處理的半導(dǎo)體器件。功率器件具有承受高電壓、通過大電流的能力,處理電壓的范圍可以從幾十伏到幾千伏,通過電流的能力最高
2024-01-09 09:38:52400

簡單認識無源器件

簡單認識無源器件
2024-01-12 09:56:04206

功率MOSFET結(jié)構(gòu)與工作原理

功率MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器的高性能開關(guān)器件。它具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點,因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。 結(jié)構(gòu)
2024-01-17 17:24:36295

簡單認識變壓器

簡單認識變壓器
2024-01-25 10:05:13270

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