靜電放電（ESD）會對集成電路（IC）造成破壞性的能量沖擊，良好的IC設(shè)計能夠在IC裝配到應(yīng)用電路的過程中保護IC免遭ESD沖擊的破壞。安裝后，IC還必須能夠承受ESD穿過靜電防護電路進入最終電路的沖擊。除此之外，機械防護、電源去耦電容都有助于提高ESD保護能力，但是，如果電容選擇不當將會造成IC更容易損壞。為了給IC提供合理的ESD保護，需要考慮以下內(nèi)容：

* 沖擊IC的ESD傳遞模式；

* 內(nèi)部ESD保護；

* 應(yīng)用電路與IC內(nèi)部ESD保護的相互配合；

* 修改應(yīng)用電路提高IC的ESD保護能力。

ESD傳遞模式

靜電放電強度以電壓形式表示，該電壓由電容的儲能電荷產(chǎn)生，最終傳遞到IC。作用到IC的電壓和電流強度與IC和ESD源之間的阻抗有關(guān)。對電荷來源進行評估后建立了ESD測試模型。

ESD測試中一般使用兩種充電模式（圖1），人體模式（HBM）下將電荷儲存在人體內(nèi)（100pF等效電容），通過人體皮膚放電（1.5kΩ等效電阻）。機器模式（MM）下將電荷儲存在金屬物體，機器模式中的放電只受內(nèi)部連接電感的限制。

以下概念對于評估ESD向IC的傳遞非常有用：

1. 電壓高于標稱電源電壓時，IC阻抗較低。

對于圖1中的HBM模式：ZS＝ZHBM＝1.5kω

2. 在MM模式下，電流受特征阻抗（約50Ω）的限制。

上述特征阻抗的計算可以從低阻L-C電路的能量（E）推導出來：

3. 如果ESD電流主要流入電源去耦電容，IC電壓由儲存的電荷量決定：

4. 能夠在瞬間導致IC損壞的能量相當于微焦級，有外部電源去耦電容時，考慮這一點非常重要，從電源電容（C1）傳遞到IC的能量是：

5. 耗散功率（P）會產(chǎn)生一定熱量，假設(shè)能量經(jīng)過一段較長的時間（t）釋放掉，熱量將隨之降低：

ESD能量傳遞到低阻電路時需要考慮其電流（上述第1、2條）；對于高阻而言，能量以電壓形式通過電荷轉(zhuǎn)移傳遞到電源去耦電容和寄生電容（第3條）。對IC造成損壞的典型能量是在不到一個毫秒的時間內(nèi)將微焦級能量釋放到IC（第4、5條）。

IC內(nèi)部保護電路

標準保護方案是限制到達IC核心電路的電壓和電流。圖1所示保護器件包括：

* ESD二極管—在信號引腳與電源或地之間提供一個低阻通道，與極性有關(guān)；

* 電源箝位—連接在電源之間，正常供電條件下不汲取電流，出現(xiàn)ESD沖擊時呈低阻。

1. ESD二極管

如果對IC引腳進行HBM測試，測試電路的初始電壓是2kV，通過ESD二極管的電流約為1.33A（圖2）：

理論上，進行HBM測試時引腳電壓受限于二極管壓降。大電流會在ESD二極管和引線上產(chǎn)生I-R壓降，在信號引腳產(chǎn)生額外的電壓，如圖2所示。

為了確定IC是否能夠承受2kV的ESD沖擊，需要參考廠商提供的資料。IC的額定電壓由最大電壓決定，圖1中的VESD，這是IC能夠承受的一種特定的ESD源。Maxim IC所能承受的ESD指標在可靠性報告中可以查找到。

2. 電源箝位

雙極型IC的箝位電路類似于在受保護核電路中提供一個受沖擊時擊穿的部件，圖3給出了圖1中箝位功能的詳細電路。箝位晶體管的過壓導致集電極-基極之間的雪崩電流，發(fā)射結(jié)的正向偏置會進一步提高集電極電流，導致一個“突變”過程。箝位時的V-I特性曲線如圖4所示。

箝位二極管在IC其它電路遭到破壞之前導通，箝位管要有足夠的承受力，保證ESD電流不會導致二次擊穿。2kV HBM測試的箝位過程如圖5所示，圖5中的電壓包括I-R壓降和突變穩(wěn)定后的箝位電壓。

ESD保護與應(yīng)用電路

箝位電壓從第一次擊穿變化到突變穩(wěn)定后的導通電壓，如圖5所示。為保證箝位時關(guān)閉正常的工作條件，設(shè)計的箝位電壓一般要略高于IC的絕對最大電壓。

電源去耦電容會影響箝位操作，傳遞到去耦電容的電荷會產(chǎn)生高于IC絕對最大值的電壓，但還不足以使箝位電路導通。這時的電容相當于一個能源，迅速向器件注入能量。

對于一個給定的去耦電容，ESD測試中初始電壓的變化遵循電荷守恒原理。例如，使用一個0.01μF去耦電容，2kV HBM測試電壓可以達到20V：

或

被保護引腳電容上的能量如圖6所示，對小的去耦電容，箝位二極管通過進入突變穩(wěn)定模式限制電壓（V1）。突變穩(wěn)定后的電壓所產(chǎn)生的能量近似地隨著電容的增大而成比例增大。電源去耦電容增大到一定程度后，電荷傳輸不會產(chǎn)生導致箝位電路擊穿的電壓。

箝位電壓高于IC所能承受的電壓（典型值6V），低于二極管的擊穿電壓（約10V）時，對于存在去耦電容的情況，因為電容儲能可能導致某些問題。如果IC在沒有外部電路的情況下進行測試，引腳上作用10V電壓是可以接受的，對器件不會構(gòu)成威脅。

改善ESD保護

合理選擇去耦電容的大小有助于在電路中提高IC的保護，降低電容儲能，使ESD電荷不會產(chǎn)生擊穿箝位電路的電壓。我們可以考慮圖1中C1》》C0的情況：

最初：

將C1加倍，則會導致：

電容加倍，能量降低一倍。

對于高速雙極型IC，HBM測試中吸收的最大能量是1μJ；2kV人體模式下，如果電容小于0.02μF（圖6），C1》》C0二極管會產(chǎn)生動作。為了使去耦電容的能量低于1μJ，去耦電容有兩種選擇：要么容值大于0.05μF，要么小于0.005μF。當使用更高的測試電壓時，要按比例增大0.05μF電容的尺寸。

實際應(yīng)用中，通常不允許使用更大的去耦電容。浪涌電流的要求會限制電容尺寸。如果不控制電壓擺率，唯一限制浪涌電流的途徑就是限制去耦電容的尺寸：

去耦電容與電源間的引線總是存在一定量的電感，通常也會接入一個濾波電感。這種配置下，最大浪涌電流取決于濾波電感與去耦電容的特征阻抗，這個阻抗（圖7中的Zo）類似于MM測試中的電流限制。

通過限制浪涌電流，可以使用較大的濾波電容（C1）；發(fā)生ESD沖擊時，使得作用在IC上的電壓低于器件允許的最大額定電壓。

改善ESD保護的有效途徑有：

* 使用更大的濾波電容，使最大ESD電壓低于IC引腳所能承受的絕對最大電壓；

* 使用小的濾波電容，使得箝位二極管在低能量時提供保護；

* 增大串聯(lián)電感限制大電容產(chǎn)生的浪涌電流；

* 增加外部箝位二極管，如圖8所示的齊納二極管，使ESD電壓低于器件所能承受的絕對最大電壓（圖9）。

本文小結(jié)

IC及其周邊元件需要承受突破應(yīng)用電路鏡電防護層的ESD能量，電源的去耦電容可能是降低作用到IC上的ESD強度的一條低成本解決途徑，諸多設(shè)計因素會影響ESD性能，具體可以歸納為：

* 確定應(yīng)用場合的測試電壓（VESD），典型值為2kV的HBM或100V MM模式；

* 檢查IC的可靠性報告，確認二極管、鉗位二極管和傳導路徑適合的測試電壓。Maxim的可靠性報告中提供了IC的相關(guān)信息；

* 當使用外部電容，如電源濾波電容（C1）時，需檢查其產(chǎn)生的電壓，這個電壓最終作用到IC上；

* 如果出現(xiàn)ESD沖擊時，電壓介于IC的最大額定電壓（典型值為6V）與擊穿電壓（典型值在8V至10V），可以考慮使用較大尺寸的電容來替代電源濾波的方案。

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