1、添加元器件
圖1-1是打開Multisim軟件之后的示意圖。
圖1-1 Multisim初始示意圖
使用快捷鍵【ctrl+W】可以快速打開元器件選擇界面，如圖1-2所示：
圖1-2 元器件選擇界面
在【數(shù)據(jù)庫】中選擇【主數(shù)據(jù)庫】
第一步：
在【組】中選擇【Sources】，并選擇【POWER_SOURCES】，在【元器件】中選擇電源模塊：
1、【DC_POWER】*2；
2、【GROUND】*2；
第二步：
在【組】中選擇【Basic】，并選擇【RESISTOR】，在【元器件】中選擇電阻：
3、【20k】*1；
4、【100】*1；
第三步：
在【組】中選擇【Transistors】，并選擇【BJT_NPN】，在【元器件】中選擇三極管：
5、【2N1711】*1；
2、繪制仿真電路圖
總共選擇元器件如下：
1、【DC_POWER】*2；
2、【GROUND】*2；
3、【20k】*1；
4、【100】*1；
5、【2N1711】*1；
在繪制界面將各個元器件按圖1-3所示連接好。
圖 1-3 仿真電路
3、進(jìn)行仿真測試
電路繪制完畢后，下面要利用Multisim獲得一個關(guān)于Vce和Ic關(guān)系曲線，單擊Multisim工具欄的分析按鈕，如圖1-4所示：
圖1-4 點擊仿真按鈕
選中其中的仿真功能，并選擇【Analyses and Simulation】，其界面如圖1-5所示：
圖1-5 仿真菜單界面
在【Analyses and Simulation】界面中選擇【直流分析】，如圖1-6所示，在分析參數(shù)的標(biāo)簽欄中的【源1】選擇【V2】，并把起始值設(shè)置為0V，而終止值設(shè)置為12V，同時增量設(shè)置為0.2V，這個設(shè)置是讓圖1-3所示電路的電源V2的電壓以0.2V為間隔，從0V開始向12V逐漸增大，電源V2的電壓逐漸增大，也就是三極管Q1的集電極-發(fā)射極間電壓Vce不斷增大。
圖1-6 分析參數(shù)界面顯示圖
接下來，為了獲得Vce與Ic的關(guān)系，還需要把圖1-6所示的直流分析設(shè)置對話框的輸出變量標(biāo)簽欄中把三極管Q1的c極電流Ic作為輸出，方法是單擊【輸出】標(biāo)簽欄，選擇所有變量中【I（Q1[Ic]）】添加到用于分析的變量，選擇完畢后點擊【Save】。
圖1-7 選擇合適的變量分析
單擊工具欄中仿真【開始按鈕】，如圖1-8所示：
圖1-8 單擊仿真開始
那么Multisim將會生成一個如圖1-9所示的Ic-Vce的關(guān)系曲線圖。
圖1-9 三極管Ic-Vce曲線圖
這個曲線圖顯示了三極管的截止、飽和和放大的三個狀態(tài)。
審核編輯：劉清