本文主要是關(guān)于三極管中2TY和J3Y的相關(guān)介紹，并以此探討了三極管的命名方式。
三極管
什么是三極管 ［1］ （也稱晶體管）在中文含義里面只是對三個引腳的放大器件的統(tǒng)稱，我們常說的三極管，可能是 如圖所示的幾種器件。
可以看到，雖然都叫三極管，其實在英文里面的說法是千差萬別的，三極管這個詞匯其實也是中文特有的一個象形意義上的的詞匯。
電子三極管 Triode 這個是英漢字典里面“三極管”這個詞匯的唯一英文翻譯，這是和電子三極管最早出現(xiàn)有關(guān)系的，所以先入為主，也是真正意義上的三極管這個詞最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三極管的東西，實際翻譯的時候是絕對不可以翻譯成Triode的，否則就麻煩大咯，嚴(yán)謹(jǐn)?shù)卣f，在英文里面根本就沒有三個腳的管子這樣一個詞匯！
電子三極管 Triode （俗稱電子管的一種）
雙極型晶體管 BJT （Bipolar Junction Transistor）
J型場效應(yīng)管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 MOS FET （ Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor）英文全稱
V型槽場效應(yīng)管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）
注：這三者看上去都是場效應(yīng)管，其實金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 、V型槽溝道場效應(yīng)管 是 單極（Unipolar）結(jié)構(gòu)的，是和 雙極（Bipolar）是對應(yīng)的，所以也可以統(tǒng)稱為單極晶體管（Unipolar Junction Transistor）
其中J型場效應(yīng)管是非絕緣型場效應(yīng)管，MOS FET 和VMOS都是絕緣型的場效應(yīng)管
VMOS是在 MOS的基礎(chǔ)上改進(jìn)的一種大電流，高放大倍數(shù)（跨道）新型功率晶體管，區(qū)別就是使用了V型槽，使MOS管的放大系數(shù)和工作電流大幅提升，但是同時也大幅增加了MOS的輸入電容，是MOS管的一種大功率改進(jìn)型產(chǎn)品，但是結(jié)構(gòu)上已經(jīng)與傳統(tǒng)的MOS發(fā)生了巨大的差異。VMOS只有增強(qiáng)型的而沒有MOS所特有的耗盡型的MOS管
三極管中2TY和J3Y是什么意思
2TY 是8550 PNP SOT23
J3Y是8050 NPN SOT23
這不是高頻管，一般用在小功率的電源電路，如小電流電源開關(guān)管，充電電路開關(guān)管等，分別測BE極和BC極的二極管導(dǎo)通電壓為0.6V左右是好的，
高頻放大用9018 NPN SOT23
三極管命名方式
不同的國家對三極管的命名是不同的。所有命名方式要查詢?nèi)澜绲墓S和國家，很難辦到。
以中美日等國為例：
中國三極管型號命名方法
中國半導(dǎo)體器件型號由五部分（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：
第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管
3-三極管
第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時：
A-N型鍺材料
B-P型鍺材料
C-N型硅材料
D-P型硅材料
表示三極管時：
A-PNP型鍺材料、
B-NPN型鍺材料、
C-PNP型硅材料、
D-NPN型硅材料。
第三部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的類型。P-普通管、
V-微波管
W-穩(wěn)壓管
C-參量管
Z-整流管
L-整流堆
S-隧道管
N-阻尼管
U-光電器件
K-開關(guān)管
X-低頻小功率管（F《3MHz，Pc《1W）
G-高頻小功率管（f》3MHz，Pc《1W）
D -低頻大功率管（f《3MHz，Pc》1W）
A-高頻大功率管（f》3MHz，Pc》1W）
T-半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）
Y-體效應(yīng)器件
B-雪崩管
J-階躍恢復(fù)管
CS-場效應(yīng)管
BT-半導(dǎo)體特殊器件
FH-復(fù)合管
PIN-PIN型管
JG-激光器件。
第四部分：用數(shù)字表示序號第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管
國際三極管型號命名方法
德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采用國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義如下：
1.第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV如鍺
B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅
C -器件使用材料的Eg》1.3eV如砷化鎵
D-器件使用材料的Eg《0.6eV如銻化銦
E-器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料
2.第二部分：用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開關(guān)混頻二極管
B-變?nèi)荻O管
C-低頻小功率三極管
D-低頻大功率三極管
E-隧道二極管
F-高頻小功率三極管
G-復(fù)合器件及其他器件
H-磁敏二極管
K-開放磁路中的霍爾元件
L-高頻大功率三極管
M-封閉磁路中的霍爾元件
P-光敏器件
Q-發(fā)光器件
R-小功率晶閘管
S-小功率開關(guān)管
T-大功率晶閘管
U-大功率開關(guān)管
X-倍增二極管
Y-整流二極管
3.第三部分：用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號。三位數(shù)字-代表通用半導(dǎo)體器件的登記序號、一個字母加二位數(shù)字-表示專用半導(dǎo)體器件的登記序號。
4.第四部分：用字母對同一類型號器件進(jìn)行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型號的器件按某一參數(shù)進(jìn)行分檔的標(biāo)志。
除四個基本部分外，有時還加后綴，以區(qū)別特性或進(jìn)一步分類。常見后綴如下：
1、穩(wěn)壓二極管型號的后綴。其后綴的第一部分是一個字母，表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%；其后綴第二部分是數(shù)字，表示標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值；后綴的第三部分是字母V，代表小數(shù)點，字母V之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。
2、整流二極管后綴是數(shù)字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。
3、晶閘管型號的后綴也是數(shù)字，通常標(biāo)出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個電壓值。
如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。
三極管管腳的區(qū)分方法
從本質(zhì)上分辨，可以通過分辨發(fā)射區(qū)，基區(qū)，集電區(qū)，分辨發(fā)射極e，基極b，和集電極c。因為這三個電極都是三極管中各區(qū)導(dǎo)線牽出去的。
發(fā)射區(qū)和集電區(qū)均為N型半導(dǎo)體，不同的是，發(fā)射區(qū)比集電區(qū)摻入的雜質(zhì)多，在幾何尺寸上，集電區(qū)的面積要遠(yuǎn)比發(fā)射區(qū)的大。而基區(qū)在發(fā)射區(qū)和集電區(qū)之間。
結(jié)語
關(guān)于三極管中2TY和J3Y的區(qū)分介紹就到這了，希望本文能對你有所幫助。