通過采用DMOS FET 型輸出驅(qū)動(dòng)器來擴(kuò)大高效晶體管陣列陣容

　　東京—東芝公司（TOKYO：6502）今天宣布，該公司正在開發(fā)BiCD［2］晶體管陣列TB62xxxA系列，以取代其雙極晶體管陣列TD62xxx系列。后者在一系列廣泛的應(yīng)用中使用，包括電機(jī)、繼電器和LED驅(qū)動(dòng)。新一代系列產(chǎn)品將搭載采用最新的BiCD工藝技術(shù)開發(fā)的DMOS FET型輸出驅(qū)動(dòng)器。樣品出貨和量產(chǎn)計(jì)劃于2015年6月啟動(dòng)。

　　相比現(xiàn)有的雙極晶體管陣列，新產(chǎn)品將提供更快的切換速度并減少輸入電流，同時(shí)有助于提高功率效率。

　　東芝供應(yīng)雙極晶體管陣列的歷史已逾40年，且目前中壓（約50V）TD62xxx系列包含100多款裝置。隨著近來客戶對金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）型陣列的需求超過雙極陣列，東芝決定開始采用BiCD工藝技術(shù)開發(fā)晶體管陣列，這項(xiàng)技術(shù)有望成為未來的標(biāo)準(zhǔn)。

　　東芝已從本月開始進(jìn)行產(chǎn)品開發(fā)，并將于2015年6月啟動(dòng)新系列首款產(chǎn)品TB62003A的樣品出貨和量產(chǎn)。TB62003A是現(xiàn)有TD62003A的升級版。隨后，該公司計(jì)劃每六個(gè)月推出TB62xxxA系列中的兩款產(chǎn)品，累積將推出超過12款產(chǎn)品。

　　新系列的主要特性

　　· 工藝技術(shù)：130nm BiCD（東芝的最新BiCD工藝技術(shù)）

　　· 維持電壓：50V，與現(xiàn)有的雙極晶體管陣列相同

　　· 封裝：與現(xiàn)有雙極晶體管陣列的封裝相同，均采用同樣的引腳分配

　　· 輸出電流：500mA（TB62003A：與現(xiàn)有產(chǎn)品相同）

　　· 功能：與現(xiàn)有產(chǎn)品相同

　　· 產(chǎn)品名稱：“TB62xxxA系列”，由“TD62xxxA系列”變更而來（命名規(guī)則還將改變）

　　注：

　　· ［1］雙擴(kuò)散型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管

　　· ［2］實(shí)現(xiàn)雙極、CMOS和DMOS設(shè)備集成的工藝技術(shù)