3. 特性曲線（以N溝道增強(qiáng)型為例）

場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線動(dòng)畫(huà)

4.其它類型MOS管

（1）N溝道耗盡型：制造時(shí)在柵極絕緣層中摻有大量的正離子，所以即使在VGS=0時(shí)，由于正離子的作用，兩個(gè)N區(qū)之間存在導(dǎo)電溝道（類似結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）。

其它類型MOS管

（2）P溝道增強(qiáng)型：VGS = 0時(shí)，ID = 0開(kāi)啟電壓小于零，所以只有當(dāng)VGS < 0時(shí)管子才能工作。

（3）P溝道耗盡型：制造時(shí)在柵極絕緣層中摻有大量的負(fù)離子，所以即使在VGS=0 時(shí)，由于負(fù)離子的作用，兩個(gè)P區(qū)之間存在導(dǎo)電溝道（類似結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）。

5. 場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)

(1) 開(kāi)啟電壓VT ：在VDS為一固定數(shù)值時(shí)，能產(chǎn)生ID所需要的最小 |VGS | 值。（增強(qiáng)）

(2) 夾斷電壓VP ：在VDS為一固定數(shù)值時(shí)，使 ID對(duì)應(yīng)一微小電流時(shí)的 |VGS | 值。（耗盡）

(3) 飽和漏極電流IDSS ：在VGS = 0時(shí)，管子發(fā)生預(yù)夾斷時(shí)的漏極電流。（耗盡）

(4) 極間電容 ：漏源電容CDS約為 0.1～1pF，柵源電容CGS和柵漏極電容CGD約為1～3pF。

(5) 低頻跨導(dǎo) gm ：表示VGS對(duì)iD的控制作用。

　　在轉(zhuǎn)移特性曲線上，gm 是曲線在某點(diǎn)上的斜率，也可由iD的表達(dá)式求導(dǎo)得出，單位為 S 或 mS。

(6) 最大漏極電流 IDM

(7) 最大漏極耗散功率 PDM

(8) 漏源擊穿電壓 V(BR)DS 柵源擊穿電壓 V(BR)GS