繼成功推出應(yīng)用于MR16射燈的6-36V輸入1A大功率遲滯型LED驅(qū)動芯片SD42525和應(yīng)用于LED路燈/照明燈的6-60V輸入1A大功率LED驅(qū)動芯片SD42528后，杭州士蘭微電子公司近期又推出了一款6~36V輸入，升降壓型大功率LED驅(qū)動芯片SD42560。該芯片是升降壓、恒流型LED驅(qū)動電路，采用了士蘭微電子專為綠色節(jié)能產(chǎn)品所開發(fā)的高性能BCD工藝技術(shù)，單芯片集成LDMOS功率開關(guān)管，內(nèi)置PWM調(diào)光模塊和多重保護(hù)功能，具有較高的轉(zhuǎn)換效率，適合于MR16等多種LED照明領(lǐng)域。

　　由于是電流模式的LED驅(qū)動電路，SD42560因而具有快速的瞬態(tài)響應(yīng)，環(huán)路穩(wěn)定性設(shè)計簡單，恒流特性好，可應(yīng)用于降壓（Buck）/升壓（Boost）/升降壓（Buck－Boost）三種模式，以滿足不同的LED應(yīng)用場合。該芯片在不同輸入電壓、不同LED負(fù)載情況下，輸出電流變化率可以控制在±1%之內(nèi)。此外，由于芯片采用士蘭微電子先進(jìn)的 BCD工藝，并且內(nèi)部使用了高精度的修調(diào)技術(shù)，使得芯片的輸出電流一致性非常好，不同批次的芯片輸出電流差異可以控制在±2%之內(nèi)。

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　　芯片采用了先進(jìn)的系統(tǒng)架構(gòu)，系統(tǒng)效率高，降壓/升壓/升降壓三種模式的最高系統(tǒng)效率分別可以達(dá)到96%，95%和83％。由于在單芯片內(nèi)集成的LDMOS管具有低于0.3Ω的導(dǎo)通電阻，因而減小了芯片在功率管的導(dǎo)通周期內(nèi)的導(dǎo)通損耗。同時，該芯片擁有100mV這樣較小的采樣電壓，從而大幅度提高了電路的能量轉(zhuǎn)換效率。芯片采用了ESOP-8的封裝形式，管芯發(fā)熱小，散熱性能優(yōu)良。

　　由于采用了PWM調(diào)光和內(nèi)部穩(wěn)壓技術(shù)，SD42560的PWM調(diào)光的精度高，不會出現(xiàn)類似模擬調(diào)光的LED顏色偏移的現(xiàn)象，可以滿足在100Hz～2kHz范圍內(nèi)從0～100％的調(diào)光要求。芯片內(nèi)部集成LDO，產(chǎn)生VDD電壓，可以作為調(diào)光用MCU的電源，使客戶在系統(tǒng)開發(fā)過程中更加便利。

　　另外，芯片內(nèi)置了抖頻功能，可以確保芯片內(nèi)部振蕩頻率在一個很小的范圍內(nèi)進(jìn)行抖動，使集中的頻譜能量分散化，減小在單一頻率的對外輻射，從而改善了系統(tǒng)的EMI特性，簡化了EMI設(shè)計。此外，芯片內(nèi)部集成了溫度保護(hù)電路，熱補償電路，限流電路，過壓保護(hù)等多重保護(hù)電路，以保證LED燈的工作環(huán)境正常，延長其使用壽命。

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　　芯片可應(yīng)用于直流輸入和交流輸入等典型應(yīng)用領(lǐng)域。直流輸入典型應(yīng)用中，寬輸入電壓范圍寬達(dá)6V~36V。輸入電壓為12V時，可串接 1~6個 LED，系統(tǒng)外圍元器件非常少，僅需要7個元器件，非常適合應(yīng)用于12V電源系統(tǒng)。在交流輸入MR16射燈的典型應(yīng)用中，輸入電壓范圍為AC 12~24V時，僅需要11個外圍器件。

　　士蘭微電子是我國目前少數(shù)幾家在特殊工藝領(lǐng)域以IDM模式運作的電路設(shè)計企業(yè)，從2001年起，已先后在杭州下沙經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)建立了兩條集成電路芯片生產(chǎn)線，投入了巨額資金進(jìn)行了特殊工藝的研發(fā)，目前在0.8微米BiCMOS / BCD工藝技術(shù)平臺、新器件結(jié)構(gòu)上已經(jīng)取得了領(lǐng)先的研發(fā)成果，已經(jīng)建立了跨工藝和設(shè)計的技術(shù)平臺建設(shè)的能力。這些先進(jìn)的系統(tǒng)綜合能力的建設(shè)將有利于士蘭微電子在功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域優(yōu)勢產(chǎn)品群的形成。

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