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二極管的基礎(chǔ)知識(shí)

2022年11月10日 16:45 硬件工程師技術(shù)干貨 作者:硬件工程師技術(shù)干 用戶評(píng)論(0

二極管是很常見的電子元器件,有兩個(gè)極,即陰極和陽(yáng)極,二極管具有單向?qū)щ娦裕?a href="http://www.socialnewsupdate.com/tags/電流/" target="_blank">電流只能從陽(yáng)極流向陰極,電壓反向時(shí)二極管截止。幾乎所有電子電路中都能找到二極管的身影。

1、材質(zhì)

1)硅單質(zhì)

硅原子核外有14個(gè)電子,其中最外層有4個(gè)電子,在硅單質(zhì)中,原子和原子之間互相借用電子形成一種穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。沒有多余的自由電子,這種穩(wěn)定結(jié)構(gòu)是不導(dǎo)電的。這里為了便于理解畫成了平面圖形,如下圖所示:

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2)P(positive)型半導(dǎo)體

把硼等3價(jià)元素作為雜質(zhì)參入硅單質(zhì)中,這種混合體就叫P型半導(dǎo)體,硼原子最外層有3個(gè)電子,和硅原子混合后,會(huì)有“空穴”產(chǎn)生,空穴能夠承載電子,這種空穴被稱作載流子,因此這種P型半導(dǎo)體是能夠?qū)щ姷?。由于制作工藝、純凈度等因素,在P型半導(dǎo)體中也存在少量自由電子,因此在P型半導(dǎo)體中空穴稱為多子,自由電子稱為少子。注意一點(diǎn),P型半導(dǎo)體整體不帶電,呈電中性。如下圖所示。

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3)N(negative)型半導(dǎo)體

把磷等5價(jià)元素作為雜質(zhì)參入硅單質(zhì)中,這種混合體就叫N型半導(dǎo)體,磷原子最外層有5個(gè)電子,和硅原子混合后,會(huì)有多余的自由電子剩余,多余的自由電子也被稱作載流子,因此這種N型半導(dǎo)體也是能夠?qū)щ姷摹S捎谥谱鞴に?、純凈度等因素,在N型半導(dǎo)體中也存在少量空穴,因此在N型半導(dǎo)體中自由電子稱為多子,空穴稱為少子。注意一點(diǎn),N型半導(dǎo)體整體不帶電,呈電中性。如下圖所示:

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單獨(dú)的P型半導(dǎo)體或N型半導(dǎo)體都是不帶電的,不少人認(rèn)為P型帶正電,N型帶負(fù)電,這是錯(cuò)誤說法,不管是P型還是N型,都是有兩種元素混合到一起的,這兩種元素都是電中性,混合到一起就不是了?

2、載流子運(yùn)動(dòng)方式

載流子有兩種運(yùn)動(dòng)方式:

擴(kuò)散:載流子會(huì)從高濃度區(qū)域向低濃度區(qū)域擴(kuò)散。

漂移:載流子在電場(chǎng)的作用下移動(dòng)。

載流子包括空穴和電子,實(shí)際上擴(kuò)散和漂移是指的電子,而并非空穴,電子移動(dòng)到新位置后,新位置從電中性變?yōu)閹ж?fù)電,而電子原來的位置因?yàn)殡娮与x開形成帶正電的“空穴”, “看起來”空穴在移動(dòng)。

3、二極管構(gòu)成(PN結(jié))

為了便于理解,簡(jiǎn)化了示意圖,左側(cè)是P型半導(dǎo)體,含有大量空穴以及極少自由電子,右側(cè)N型半導(dǎo)體,含有大量自由電子以及極少空穴。

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將N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上就形成了二極管,如下圖,N型半導(dǎo)體自由電子濃度大,逐漸向P型半導(dǎo)體擴(kuò)散,與P型半導(dǎo)體中的空穴復(fù)合?!翱雌饋怼毕窨昭ㄒ苿?dòng)到了N型半導(dǎo)體一側(cè)。N型半導(dǎo)體因丟失電子而帶正電,P型半導(dǎo)體因得到電子而帶負(fù)電。兩側(cè)帶電極性相反,從而建立電場(chǎng),電場(chǎng)方向由N指向P。電場(chǎng)的建立會(huì)使擴(kuò)散到P區(qū)電子返回N區(qū),這就是漂移運(yùn)動(dòng)。在這里擴(kuò)散和漂移是相反的運(yùn)動(dòng),最終達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。產(chǎn)生電場(chǎng)的區(qū)域叫做空間電荷區(qū),又叫做耗盡區(qū),也就是經(jīng)常說的PN結(jié)(PN junction)。

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4、二極管正向?qū)?/p>

給二極管施加正向電壓,正向電壓形成的外部電場(chǎng)和內(nèi)電場(chǎng)方向相反,內(nèi)部電場(chǎng)受到外部電場(chǎng)“擠壓”,削弱了內(nèi)部電場(chǎng),促進(jìn)了自由電子向P區(qū)擴(kuò)散,也就是說自由電子更容易從N區(qū)進(jìn)入P區(qū),進(jìn)入P區(qū)后N區(qū)剩下的空穴由電源提供的自由電子填充,同時(shí)擴(kuò)散到P區(qū)的自由電子被電源“吸”出來,留下空穴。就這樣形成電流,二極管實(shí)現(xiàn)正向?qū)ā?/p>

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5、二極管反向截止

給二極管施加反向電壓,反向電壓形成的外部電場(chǎng)和和內(nèi)部電場(chǎng)方向相同,N區(qū)域自由電子被電源拉向電源正極,P區(qū)的空穴被電源負(fù)極輸出的電子填充,內(nèi)部電場(chǎng)得到加強(qiáng),漂移運(yùn)動(dòng)加強(qiáng),空間電荷區(qū)變寬。P區(qū)空間電荷區(qū)中的空穴幾乎都被填滿,空穴失去載流功能,只有數(shù)量極少的自由電子,被電場(chǎng)加速進(jìn)入N區(qū),自由電子原來的位置被電源輸出的電子填充,行成極小反向漏電流。

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