FRAM_READ_INST0x03 //讀存儲器數(shù)據(jù)
#define FRAM_WRITE_INST0x02//寫存儲器數(shù)據(jù)
#define FRAM_STATUS_REG0x0 //
#define
2024-03-20 08:08:05
我有個應用設計，MCU用的是STM32G070rbt6芯片，外擴了一片鐵電存儲器FRAM。STM32G070在2.0V-3.3V工作電壓下都能正常工作，但鐵電存儲器FRAM的工作電壓
2024-03-13 08:04:03
嵌入式鐵電存儲器可實現(xiàn)超低功耗微控制器的設計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲與處理，是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
ram在計算機和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時存儲程序、數(shù)據(jù)和中間結果。隨機存取存儲器（ram）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。
2024-02-19 11:23:31
568 
DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
：基于靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）的FPGA，其配置可以在每次上電時重新加載。這類FPGA具有較高的靈活性，但功耗較高。
Flash-based FPGA ：基于閃存的FPGA，其配置可以在斷電后保持。這類
2024-01-26 10:09:17
英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，擴展其集成嵌入式糾錯碼（ECC）的抗輻射異步靜態(tài)隨機存取存儲器（RAM）產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設計初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計算需求。
2024-01-24 17:11:39358 鐵電存儲器通常具有更快的隨機存取時間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:51516 
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出DA14592低功耗藍牙（LE）片上系統(tǒng)（SoC），成為瑞薩功耗最低、體積最小的多核（Cortex-M33、Cortex-M0+
2024-01-19 16:37:30586 當電源斷開時，隨機存取存儲器（RAM）中的數(shù)據(jù)通常會丟失。這是因為RAM是一種易失性存儲器，它必須以恒定的電源供應來維持存儲的數(shù)據(jù)。在斷電時，RAM中的電荷會逐漸耗盡，導致其中的數(shù)據(jù)丟失。在這
2024-01-16 16:30:19838 MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結（1T-1MTJ）體系結構作為數(shù)據(jù)存儲元素。
2024-01-09 14:24:03208 
隨機存取存儲器 (RAM)的名稱源自 CPU 訪問它的方式，CPU對其進行隨機掃描以獲取適當?shù)男畔?，而不是遵循嚴格的指示。這是為了均衡所有存儲的數(shù)據(jù)位之間的訪問時間。
2024-01-06 17:51:33158 
FeRAM在汽車行駛記錄儀中應用:
存儲實時的數(shù)據(jù)如速度、剎車.
推薦型號：MB85RS64T
·非易失性存儲器
·高可靠性
·FeRAM無需寫等待，快速讀寫
·低功耗，靜態(tài)電流小于10uA
·無限次的擦寫次數(shù)(一萬億次)
2024-01-02 15:46:16314 
富士通嵌入FRAM的RFID射頻芯片MB89R118C的優(yōu)點:? 抗金屬，可在金屬環(huán)境中使用。? 可耐200度高溫。? 高速數(shù)據(jù)寫入：可提高數(shù)據(jù)寫入時的效率。? 穩(wěn)定的通信距離
2023-12-27 13:53:33
東芝不僅是家電巨頭、消費電子巨頭，還曾經(jīng)是全球最大的半導體制造商之一。1985年，東芝率先研發(fā)出1M容量動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。到了次年，東芝1M DRAM月產(chǎn)能超過100萬片，包括東芝在內(nèi)的日本廠商在 DRAM市場的份額則超過80%。
2023-12-21 16:19:48267 
最高48MHz。芯片有TSSOP20, QFN20兩種封裝類型。PY32L020 單片機集成I2C、SPI、USART 等通訊外設，1 路 12bit ADC，2 個 16bit 定時器，一個低功耗
2023-12-20 16:02:38
從存儲芯片的市場表現(xiàn)來看，兩大類別DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）與NAND Flash（閃存存儲器）目前的價格較今年谷底都出現(xiàn)了上漲。
2023-12-19 15:19:32136 FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 其中，電阻式隨機存取存儲器（RRAM）依靠改變電阻水平來存儲數(shù)據(jù)。最近發(fā)表在《Angewandte Chemie》雜志上的一項研究詳細介紹了清華大學李原領導的研究小組的工作，他們開創(chuàng)了一種制造超分子憶阻器的方法，而憶阻器是構建納米隨機存取存儲器的關鍵部件之一。
2023-12-06 16:05:36341 
在數(shù)字電子設備中，存儲器是至關重要的部分。它負責存儲和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計算和數(shù)據(jù)處理任務。在存儲器市場中，有兩種主要的類型：隨機訪問存儲器 ( RAM ) 和只讀存儲器 ( ROM )。盡管都是存儲器，但它們之間存在一些關鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17731 
非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器 (NVSRAM) 是一種即使斷電也能保留數(shù)據(jù)的存儲器，提供非易失性存儲。
2023-12-05 10:09:56302 該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
易失性存儲和精確的實時時鐘，本文推薦使用國產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲器用于該存儲系統(tǒng)中。鐵電存儲器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲和的實時時
2023-11-27 10:17:05
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《半導體存儲器電子課件.ppt》資料免費下載
2023-11-21 14:40:03
0 存儲中，鐵電存儲器在數(shù)據(jù)存儲方面的出色性能，可以應用在大量的現(xiàn)代儀器儀表中，如水表、煤氣表、門禁系統(tǒng)、醫(yī)療設備、自動取款機、汽車記錄儀、工業(yè)儀器等等。國產(chǎn)鐵電存儲器
2023-11-21 09:59:20
低功耗雙倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動
2023-11-21 09:37:36257 
在同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM)的工作模式中，以數(shù)據(jù)讀取速率來分類，有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 
Distributed Memory Generator IP 核采用 LUT RAM 資源創(chuàng)建各種不同的存儲器結構。IP可用來創(chuàng)建只讀存儲器 (ROM)、單端口隨機存取存儲器 (RAM) 和簡單
2023-11-17 17:00:30687 
要考慮到電能系統(tǒng)復雜多變的環(huán)境、低功耗、讀寫操作頻率和斷電保存的能力。目前符合電能質(zhì)量監(jiān)測系統(tǒng)存儲要求的是國產(chǎn)PB85RS2MC（富士通MB85RS2MT），兩款
2023-11-17 10:28:51
20世紀70 年代到 90年代中期，動態(tài)隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時響應控制輸入信號的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27378 ，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲器 ( Flash Memory，簡稱 Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機存取存儲器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動態(tài)隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 根據(jù)貿(mào)易部周二公布的數(shù)據(jù)，存儲芯片出口同比增長1%，較9月份下滑了18%。多芯片封裝產(chǎn)品引領了反彈，增長了12.2%，而利潤豐厚的動態(tài)隨機存取存儲器的銷售額首次收窄至個位數(shù)。
2023-11-15 17:37:26719 后存儲內(nèi)容會丟失的存儲器稱作易失存儲器（Volatile Memory），存儲內(nèi)容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器（Non-Volatile Memory）。 半導體存儲器分類 1、按功能分為 （1）隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:01731 
MB89R118C|富士通嵌入FRAM的RFID LSI無線射頻識別芯片
2023-11-09 13:59:01431 ? 點擊上方? “?意法半導體中國” ， 關注我們 ???????? Bluetooth 5.3 SoC：兼具低功耗和高性價比 意法半導體BlueNRG-LPS是一款可編程Bluetooth 低功耗
2023-11-09 11:20:01211 
摘要：萊迪思(Lattice )半導體公司在這應用領域已經(jīng)推出兩款低成本帶有SERDES的 FPGA器件系列基礎上，日前又推出采用富士通公司先進的低功耗工藝，目前業(yè)界首款最低功耗與價格并擁有SERDES 功能的FPGA器件――中檔的、采用65nm工藝技術的 LatticeECP3系列。
2023-10-27 16:54:24235 本文將介紹芯片設計中動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的相關知識，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設備中的應用。
2023-10-23 10:07:34816 對于做快速存儲采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲器(FRAM) 就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-10-19 09:28:15
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動態(tài)隨機存取存儲器 16Gb低VDDQ移動低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
使用，需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
NEW PRODUCT ?I 2 C 接口 512Kbit FeRAM MB85RC512LY 加賀富儀艾電子旗下的代理品牌富士通半導體存儲器解決方案有限公司于近期 宣布推出 I 2 C 接口
2023-09-28 16:20:02267 
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
三星電子宣布已開發(fā)出其首款 7.5Gbps（千兆字節(jié)每秒）低功耗壓縮附加內(nèi)存模組（LPCAMM）形態(tài)規(guī)格，這有望改變個人計算機和筆記本電腦的 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器） 市場，甚至改變數(shù)據(jù)中心的DRAM市場。三星的突破性研發(fā)成果已在英特爾平臺上完成了系統(tǒng)驗證。
2023-09-26 10:32:33849 、隨機存取存儲器、定時器以及并行接口等。微處理器執(zhí)行存放在程序存儲器中的各種保護程序，對由數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)輸入到隨機存取存儲器中的數(shù)據(jù)進行分析處理，以完成各種繼電器保護的功能。 3、數(shù)字量輸入/輸出接口 即開關量輸入/輸出
2023-09-22 16:34:33544 
微控制器的處理器類型根據(jù)不同的應用而有所不同。可供選擇的范圍從簡單的4位、8位或16位處理器到更復雜的32位或64位處理器。微控制器還可以使用不同類型的存儲器，包括易失性存儲器，如隨機存取存儲器
2023-09-07 15:54:332171
-40℃~+85℃
片上只讀存儲器
384KB
片上靜態(tài)隨機存取存儲器
512KB
外部閃光
8MB
封裝內(nèi) PSRAM
2MB
無線上網(wǎng)
IEEE 802.11 b/g/n，2.4Ghz 頻段
2023-09-07 10:05:03
或是其他數(shù)據(jù)處理時，只有這類內(nèi)存才能夠可靠而無延遲地儲存?zhèn)鞲?b class="flag-6" style="color: red">器所搜集的數(shù)據(jù)。故此鐵電存儲器FRAM將是提高這些核心技術的關鍵元件，無論是BMS，還是VCU，這些系統(tǒng)
2023-09-01 10:04:52
我們知道除了只讀存儲器外還有隨機存取存儲器，這一篇將介紹另一種 存儲類IP核 ——RAM的使用方法。RAM是 隨機存取存儲器 （Random Access Memory），是一個易失性存儲器，斷電丟失。RAM工作時可以隨時從任何一個指定的地址寫入或讀出數(shù)據(jù)。
2023-08-29 16:46:071658 
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進步，數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對非易失性存儲器的需求增加，因為非易失性存儲器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲設備
2023-08-24 10:05:59
和“讀寫”段，前者包含代碼和只讀數(shù)據(jù)，后者包含初始化和未初始化或零初始化(ZI)數(shù)據(jù)。
通常，“只讀”段被放在只讀存儲器中，而“讀寫”段在開始執(zhí)行之前從只讀存儲器復制到隨機存取存儲器。
2023-08-24 08:23:51
PB85RS128可替換MB85RS128B（富士通）/ FM25V01A-GTR（賽普拉斯）
2023-08-22 16:38:152 PB85RS2MC可替換MB85RS2MT（富士通）/FM25V20A（賽普拉斯）
2023-08-22 09:56:047 技術，每種技術都具有不同的特性和高級功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動態(tài)隨機存取存儲器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲器最主流的存儲器技術，因為它使用電容器作為存儲元件來實現(xiàn)高密度和簡單架構、低延遲和高性能、無限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20413 
發(fā)出警報聲。 本文主要介紹國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC用于醫(yī)療生命監(jiān)護儀的存儲方案中。對于這些應用，鐵電存儲器與EEPROM相比可以更頻繁地寫入，設備可以
2023-08-16 10:30:26
昂科燒錄器支持Analog
Devices亞德諾半導體的超低功耗、獨立式電量計IC MAX17201X
芯片燒錄行業(yè)領導者-昂科技術近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號列表，其中昂科發(fā)布
2023-08-10 11:54:39
富士通半導體存儲器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲器串行接口系列中密度最高的產(chǎn)品。目前已實現(xiàn)量產(chǎn)產(chǎn)品。 在不斷變化的環(huán)境中，隨著傳感器信息數(shù)據(jù)量的增加和邊緣計算的擴展，客
2023-08-04 11:55:04339 
動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設備，如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。
2023-08-03 12:27:03649 
動態(tài)隨機存取存儲器（RAM）
?片上系統(tǒng)（SoC）外圍設備中已經(jīng)存在的高速鏈路。
TMC也可以作為系統(tǒng)中的先進先出（FIFO）操作。這減少了跟蹤
通過平均跟蹤帶寬得出溢出和跟蹤端口大小
2023-08-02 14:35:05
，用于從計算機的RAM（隨機存取存儲器）或其他設備的內(nèi)存中提取關鍵信息，以便了解設備在特定時間點的狀態(tài)和活動。內(nèi)存取證的主要目的？內(nèi)存取證的主要目的是獲取在計算機或設
2023-08-01 11:21:511056 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)和嵌入式閃存、一個提供時鐘、復位和電源管理功能的模擬子系統(tǒng)以及模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)子系統(tǒng)組成。本數(shù)據(jù)手冊描述ADuCM4050 MCU的A
2023-07-17 15:08:25
何謂半導體存儲器？ 半導體存儲器是指通過對半導體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關閉電源
2023-07-12 17:01:131098 
隨機存取存儲器（RAM）用于實時存儲CPU正在使用的程序和數(shù)據(jù)。隨機存取存儲器上的數(shù)據(jù)可以被多次讀取、寫入和擦除。RAM是存儲當前使用的數(shù)據(jù)的硬件元素。它是一種易失性存儲器。
2023-07-06 14:22:271948 鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時間等優(yōu)勢，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數(shù)為100萬次，比一般的E2PROM存儲器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382 的信息不會丟失，且鋰電池還存在使用壽命的問題，所以當使用了FRAM（鐵電存儲器）上述問題就將迎刃而解。將國產(chǎn)FRAM PB85RS128替代以前SRAM組成的顯示屏
2023-06-28 11:43:30
，非易失性存儲器在計算機關閉后存儲數(shù)據(jù)仍保留在計算機中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28873 半導體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
LPDDR是什么？ LPDDR （Low Power Double Data Rate SD RAM）低功耗雙倍速率動態(tài)隨機存取存儲器，是DDR SDRAM的一種，是JEDEC固態(tài)技術協(xié)會
2023-06-22 08:40:021807 
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
隨機存取存儲器(SRAM)，而系統(tǒng)存儲器(4KB)除可作啟動加載程序(Bootloader)外，也可一次性配置成一
般用戶程序和數(shù)據(jù)區(qū)，達到64+4KB的最大空間使用。片上還集成1個OTG控制器(設備模式支持
2023-06-08 16:10:08
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
字節(jié) OTP 存儲器
?CRC 硬件計算單元
?復位和電源管理
--低功耗模式（Sleep，DeepSleep）
--上電和掉電復位（POR/BOR）
--可編程低電壓檢測器（LVD）
?時鐘管理
2023-06-07 11:04:28
作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動態(tài)隨機存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優(yōu)點，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
無論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數(shù)碼照片，你的電腦都會定期進入內(nèi)存獲取指令。沒有隨機存取存儲器（RAM），今天的計算機甚至無法啟動。
2023-05-30 15:19:55313 和耐久性設計，這些要求使國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC成為最佳的存儲選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
在單板設計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復雜的單板設計，都離不開存儲器設計：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
在定義方面它們有本質(zhì)的區(qū)別，硬盤屬于“ 非易失性存儲器”，而內(nèi)存是“隨機存取存儲器”，屬于“易失性存儲設備“。
2023-05-17 15:40:191537 EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應用中。串行訪問的靜態(tài)隨機存取存儲器采用先進的CMOS技術進行設計和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
RAM ：隨機存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機存儲器”。
2023-04-25 15:58:205062 
富士通電子芯片MB89R118C使用CLRC66301HN只讀取數(shù)據(jù)區(qū)不寫入數(shù)據(jù)，請告知
2023-04-23 07:19:24
PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元，對標富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無污染。
2023-04-20 11:29:57224 具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運行，但還允許系統(tǒng)設計人員利用MRAM的四倍隨機存取周期時間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
隨著萬物智聯(lián)時代的到來，智能汽車等新興應用場景對存儲提出了更高的性能要求。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導體存儲器解決方案有限公司提供的一款2Mbit FeRAM——MB85RS2MLY
2023-04-07 11:24:481501 存儲器FRAM 128K（16 K×8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 64 K（8 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:56
存儲器FRAM 16 K（2 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 1M（128 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
64 K（8 K×8）位I2C存儲器FRAM
2023-03-27 13:39:18
ReRAM代表電阻式隨機存取存儲器，是一種非易失性存儲器，具有如低功耗和快速寫入的特長。該存儲器在所有存儲器產(chǎn)品中的讀取電流都最小，特別適合于助聽器等可穿戴設備。
2023-03-25 15:49:351054 FRAM存儲器 SOP8_150MIL 16Kb 1MHz
2023-03-24 13:43:53
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