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英飛凌600V功率開(kāi)關(guān)器件家族又添新丁

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2024-03-20 14:43:16105

igbt導(dǎo)通條件和關(guān)斷條件

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
2024-03-18 16:30:39261

一文解析SiC功率器件互連技術(shù)

和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開(kāi)關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶來(lái)了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43103

如何降低基于CYW43012設(shè)計(jì)的功率峰值?

英飛凌為基于CYW43012的設(shè)計(jì)降低功率峰值提供了哪些指導(dǎo)。 開(kāi)機(jī)和喚醒時(shí)似乎出現(xiàn)浪涌功率峰值。 基于 CYW43012 的模塊似乎需要大約 600ma-700mA 的峰值電流消耗。 是否有偏移或序列函數(shù)的選項(xiàng),這些函數(shù)需要較大的浪涌才能將峰值電流限制在 500mA 以內(nèi)?
2024-02-29 07:34:38

功率電力設(shè)備是利用什么器件完成升降壓的?

元件完成電路的升降壓?jiǎn)??尤其是在同步整流中,前?jí)輸入有LCL濾波裝置,LCL僅僅起到一個(gè)濾波的作用嗎,對(duì)整流的升降壓有沒(méi)有起到作用,低壓三相380同步整流輸出電壓范圍510-710V左右。 此時(shí)的功率器件是采用MOSFET還是IGBT什么的?
2024-01-17 16:26:41

英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部:做更可靠的SiC解決方案提供商

/導(dǎo)讀/英飛凌作為全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)絕對(duì)的領(lǐng)軍者,對(duì)全球“減碳”事業(yè)的探索也一直走在前列。2023年4月,英飛凌還將工業(yè)功率控制事業(yè)部正式更名為零碳工業(yè)功率(GIP
2024-01-10 08:13:51152

英飛凌榮獲年度國(guó)際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)

英飛凌,全球半導(dǎo)體技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,于2023年12月23日榮獲了年度國(guó)際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng),其獲獎(jiǎng)產(chǎn)品為160V MOTIX?三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC。這一榮譽(yù)充分體現(xiàn)了英飛凌在寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)和創(chuàng)新方面的杰出貢獻(xiàn)。
2024-01-03 15:32:19319

逆變電路中的功率開(kāi)關(guān)器件介紹

逆變電路中的功率開(kāi)關(guān)器件是實(shí)現(xiàn)直流電轉(zhuǎn)換為交流電的關(guān)鍵元件,其主要作用是在控制信號(hào)的作用下,將直流電源輸出的電能轉(zhuǎn)換為交流電能。在逆變電路中,功率開(kāi)關(guān)器件的性能直接影響到整個(gè)逆變器的效率、可靠性
2023-12-30 17:02:00702

英飛凌榮獲年度國(guó)際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)

英飛凌是全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,12月23日,英飛凌160VMOTIX三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC獲得年度國(guó)際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)。本次評(píng)獎(jiǎng)活動(dòng)由世紀(jì)電源網(wǎng)舉辦,旨在通過(guò)客觀、真實(shí)、公開(kāi)的評(píng)選方式,評(píng)選
2023-12-30 08:14:04173

英飛凌零碳之路——2023年度盤點(diǎn)(1)

%的年度營(yíng)收。根據(jù)Omdia9月公布的最新數(shù)據(jù),英飛凌功率半導(dǎo)體器件繼續(xù)穩(wěn)居全球第一,占據(jù)超20%的市場(chǎng)份額。今天,小編帶著大家一起來(lái)盤點(diǎn)下2023年英飛凌在零碳道
2023-12-29 08:14:04152

碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件

碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢(shì),主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:材料特性、功率密度、溫度特性和開(kāi)關(guān)速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰(zhàn)
2023-12-21 11:27:09285

英飛凌IGBT模塊封裝

是一種重要的關(guān)鍵技術(shù),被廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換和能量控制系統(tǒng)中。 首先,我們來(lái)了解一下什么是IGBT模塊。IGBT模塊是一種功率半導(dǎo)體器件,是繼MOSFET和BJT之后的第三代功率開(kāi)關(guān)器件。它具有低導(dǎo)通壓降、高開(kāi)關(guān)速度和高耐受電壓的特點(diǎn),適用于高
2023-12-07 16:45:21469

功率半導(dǎo)體器件學(xué)習(xí)筆記(1)

功率半導(dǎo)體器件,以前也被稱為電力電子器件,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),就是進(jìn)行功率處理的,具有處理高電壓,大電流能力的半導(dǎo)體器件。典型的功率處理,包括變頻、變壓、變流、功率管理等等。早期的功率半導(dǎo)體器件:大功率二極管
2023-12-03 16:33:191134

英飛凌EiceDRIVER?技術(shù)以及應(yīng)對(duì)SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)的挑戰(zhàn)

碳化硅MOSFET導(dǎo)通損耗低,開(kāi)關(guān)速度快,dv/dt高,短路時(shí)間小,對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的選擇、驅(qū)動(dòng)參數(shù)配置及短路響應(yīng)時(shí)間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部產(chǎn)品工程師鄭姿清女士,在2023IPAC
2023-12-01 08:14:10212

高壓功率器件開(kāi)關(guān)技術(shù) 功率器件的硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)

高壓功率器件開(kāi)關(guān)技術(shù)簡(jiǎn)單的包括硬開(kāi)關(guān)技術(shù)和軟開(kāi)關(guān)技術(shù)
2023-11-24 16:09:22534

SA2601矽塔科技600V單相半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片SOP8

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)SA2601矽塔科技600V單相半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片SOP8,原裝現(xiàn)貨 半橋柵極動(dòng)心片.半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片是一種用于驅(qū)動(dòng)半橋功率器件(例如電力 MOSFET、IGBT等
2023-11-07 17:06:58

美格納推出第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管

美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473

東芝推出用于直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)的600V小型智能功率器件

-通孔式小型封裝有助于減小表貼面積和電機(jī)電路板尺寸- ? 中國(guó)上海, 2023 年 10 月 26 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出兩款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:50791

Toshiba發(fā)布用于無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的600V小型智能功率器件

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation?("Toshiba")推出了兩款600V小型智能功率器件(IPD)產(chǎn)品,適用于空調(diào)、空氣凈化
2023-10-27 11:13:00301

東芝推出用于直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)的600V小型智能功率器件

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出兩款600V小型智能功率器件(IPD)—“TPD4163K”和“TPD4164K”,可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
2023-10-27 11:05:54657

車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀,SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求

1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求 2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:52419

英飛凌如何控制基于SiC功率半導(dǎo)體器件的可靠性呢?

英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686

600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
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英飛凌單管功率器件的SPICE模型解析及使用方法# #工欲善其事必先利其器,曬一曬你的工具庫(kù)

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?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(下稱“Toshiba”)推出了兩款適用于直流無(wú)刷電動(dòng)機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域的600V小型智能功率元件(IPD
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2023-08-24 16:09:151942

STD4NK60ZT4一款N溝道600 V,1.7 Ω 內(nèi)阻,4A超級(jí)MESH功率MOS管

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BCR16PM-12LC 數(shù)據(jù)表 (600V - 16A - Triac / Medium Power Use)
2023-07-12 18:54:190

BCR12PM-12LC 數(shù)據(jù)表(600V-12A-Triac / Medium Power Use)

BCR12PM-12LC 數(shù)據(jù)表 (600V - 12A - Triac / Medium Power Use)
2023-07-12 18:54:010

BCR8PM-12LE 數(shù)據(jù)表(600V-8A-Triac / Medium Power Use)

BCR8PM-12LE 數(shù)據(jù)表 (600V - 8A - Triac / Medium Power Use)
2023-07-12 18:53:310

BCR2PM-12RE 數(shù)據(jù)表(600V-2A -Triac / Low Power Use)

BCR2PM-12RE 數(shù)據(jù)表 (600V - 2A -Triac / Low Power Use)
2023-07-12 18:53:140

R課堂 | 600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS?產(chǎn)品陣容又增新品

了 “R60xxVNx系列” (含7款機(jī)型)。 此外,高速開(kāi)關(guān)600V耐壓Super Junction MOSFET產(chǎn)品陣容中也新增了導(dǎo)通電阻更低的 “R60xxYNx系列” (含2款機(jī)型
2023-07-12 12:10:08437

RJH60A83RDPD-A0 數(shù)據(jù)表(600V-10A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60A83RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:450

RJH60A81RDPD-A0 數(shù)據(jù)表(600V-5A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60A81RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:310

RJH60A01RDPD-A0 數(shù)據(jù)表(600V-5A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60A01RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:170

RJU60C6SDPQ-A0 數(shù)據(jù)表(600V-25A-Single Diode Fast Recovery Diode)

RJU60C6SDPQ-A0 數(shù)據(jù)表(600V - 25A - Single Diode Fast Recovery Diode)
2023-07-11 20:15:110

向右滑動(dòng)即可找到與GaN/SiC開(kāi)關(guān)完美匹配的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

的MOSFET系統(tǒng)快一個(gè)數(shù)量級(jí))。假設(shè)典型的600V高壓軌,這會(huì)導(dǎo)致(600V/5ns)= 120kV/μs的開(kāi)關(guān)瞬態(tài)。
2023-06-28 14:33:33275

Buck 變換器的功率器件設(shè)計(jì)公式

1 Buck 變換器的功率器件設(shè)計(jì)公式 (1):Buck 變換器的電路圖: (2):Buck 變換器的主要穩(wěn)態(tài)規(guī)格: (3):功率器件的穩(wěn)態(tài)應(yīng)力: -- 有源開(kāi)關(guān) S: -- 無(wú)源開(kāi)關(guān) D: 上述
2023-06-26 10:06:01434

東芝推出采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET,助力提高電源效率

線。該器件采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu),耐壓600V,適用于數(shù)據(jù)中心、開(kāi)關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品,于今日開(kāi)始批量出貨。 ? ? 通過(guò)對(duì)柵極設(shè)計(jì)和工藝進(jìn)行優(yōu)化,與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比,600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的
2023-06-13 16:38:50712

BCR16PM-12LC 數(shù)據(jù)表(600V-16A-Triac / Medium Power Use)

BCR16PM-12LC 數(shù)據(jù)表 (600V - 16A - Triac / Medium Power Use)
2023-05-15 20:01:170

BCR12PM-12LC 數(shù)據(jù)表(600V-12A-Triac / Medium Power Use)

BCR12PM-12LC 數(shù)據(jù)表 (600V - 12A - Triac / Medium Power Use)
2023-05-15 20:01:010

BCR8PM-12LE 數(shù)據(jù)表(600V-8A-Triac / Medium Power Use)

BCR8PM-12LE 數(shù)據(jù)表 (600V - 8A - Triac / Medium Power Use)
2023-05-15 20:00:230

BCR2PM-12RE 數(shù)據(jù)表(600V-2A -Triac / Low Power Use)

BCR2PM-12RE 數(shù)據(jù)表 (600V - 2A -Triac / Low Power Use)
2023-05-15 20:00:080

RJH60A83RDPD-A0 數(shù)據(jù)表(600V-10A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60A83RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:590

RJH60A81RDPD-A0 數(shù)據(jù)表(600V-5A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60A81RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:390

RJH60A01RDPD-A0 數(shù)據(jù)表(600V-5A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60A01RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:270

RJU60C6SDPQ-A0 數(shù)據(jù)表(600V-25A-Single Diode Fast Recovery Diode)

RJU60C6SDPQ-A0 數(shù)據(jù)表(600V - 25A - Single Diode Fast Recovery Diode)
2023-05-15 19:04:130

什么是智能功率開(kāi)關(guān) 智能功率開(kāi)關(guān)的選擇

功率器件可以在各種非正常工況下保護(hù)自己并報(bào)錯(cuò)會(huì)大大提高功率器件自身的可靠性和整個(gè)系統(tǒng)的安全性。以下圖中英飛凌的智能高邊經(jīng)典產(chǎn)品PROFET系列為例,它集成了診斷和保護(hù)功能(Protect)的功率器件
2023-05-02 15:44:00927

絕緣柵GaN基平面功率開(kāi)關(guān)器件技術(shù)

GaN基功率開(kāi)關(guān)器件能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率,得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣(2DEG)。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開(kāi)關(guān)的核心器件增強(qiáng)型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結(jié)構(gòu)。
2023-04-29 16:50:00793

IGBT的工作原理 影響IGBT可靠性因素有哪些

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
2023-04-06 11:45:301042

開(kāi)關(guān)電源功率是由開(kāi)關(guān)管的最大電流決定嗎?

開(kāi)關(guān)電源功率是由開(kāi)關(guān)管的最大電流決定嗎?例如5v1a的電源,開(kāi)關(guān)管選多大的電流,這個(gè)電流是如何算出來(lái)的?謝謝
2023-04-04 16:56:04

功率消隱,使用iso功率器件提高精度

iso功率器件可用于接受消隱信號(hào),并利用它們來(lái)控制開(kāi)關(guān)噪聲對(duì)高精度測(cè)量的負(fù)面影響,從而提高測(cè)量精度。
2023-04-04 11:06:59707

ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書參數(shù)

供應(yīng)ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 ,提供SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-04 10:39:344

電機(jī)常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A規(guī)格書參數(shù)

供應(yīng)電機(jī)常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A,提供SGTP50V60FD2PU關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:24:105

50a 600v igbt 驅(qū)動(dòng)電路SGTP50V60FD2PF規(guī)格書參數(shù)

供應(yīng)50a 600v igbt 驅(qū)動(dòng)電路SGTP50V60FD2PF,提供SGTP50V60FD2PF關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:15:592

SGT30T60SD3PU伺服電機(jī)控制igbt 600V、30A規(guī)格參數(shù)

供應(yīng)SGT30T60SD3PU伺服電機(jī)控制igbt 600V、30A規(guī)格參數(shù),提供SGT30T60SD3PU關(guān)鍵參數(shù) ,可應(yīng)用于光伏,變頻器,UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:09:042

全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7規(guī)格書參數(shù)

供應(yīng)全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7,提供SGT20T60SDM1P7關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 16:02:491

SGT20T60SD1F 20A、600V igbt單管開(kāi)關(guān)逆變器-士蘭微IGBT代理商

供應(yīng)SGT20T60SD1F 20A、600V igbt單管開(kāi)關(guān)逆變器,提供SGT20T60SD1F關(guān)鍵參數(shù) ,是士蘭微IGBT代理商,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微 電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 15:40:25

5a 600v耐壓igbt SGTP5T60SD1D/F/S可代換AOD5B65M1規(guī)格書參數(shù)

供應(yīng)5a、600v耐壓igbt SGTP5T60SD1DFS可代換AOD5B65M1 ,提供SGTP5T60SD1DFS規(guī)格書參數(shù) ,可應(yīng)用于光伏,變頻器,UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 14:48:131

CR08AS-12A 數(shù)據(jù)表(600V-0.8A-Thyristor / Low Power Use )

CR08AS-12A 數(shù)據(jù)表 (600V - 0.8A - Thyristor / Low Power Use )
2023-03-31 19:28:150

RJH60D5BDPQ-E0 數(shù)據(jù)表(600V-37A-IGBT Application: Inverter)

RJH60D5BDPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-31 19:26:480

RJH60M5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(600V-37A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60M5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:15:310

RJH60M7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(600V-50A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60M7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:11:000

RJH60M6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(600V-40A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60M6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 40A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:09:070

RJS6005TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表(600V-15A-Diode / SiC Schottky Barrier Diode)

RJS6005TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表 (600V - 15A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-03-30 19:24:000

RJS6004TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表(600V-10A-Diode / SiC Schottky Barrier Diode)

RJS6004TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-03-30 19:23:430

RJK6011DJE 數(shù)據(jù)表(600V-0.1A-MOS FET / High Speed Power Switching )

RJK6011DJE 數(shù)據(jù)表 (600V - 0.1A - MOS FET / High Speed Power Switching )
2023-03-30 19:22:410

RJK6011DJA 數(shù)據(jù)表(600V-0.1A-MOS FET / High Speed Power Switching)

RJK6011DJA 數(shù)據(jù)表 (600V - 0.1A - MOS FET / High Speed Power Switching)
2023-03-30 19:22:280

RJS6004WDPK 數(shù)據(jù)表(600V-20A-Diode / SiC Schottky Barrier Diode)

RJS6004WDPK 數(shù)據(jù)表 (600V - 20A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-03-30 19:21:350

RJS6005WDPK 數(shù)據(jù)表(600V-30A-Diode / SiC Schottky Barrier Diode )

RJS6005WDPK 數(shù)據(jù)表 (600V - 30A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode )
2023-03-30 19:18:180

RJH60T04DPQ-A1 數(shù)據(jù)表(600V-30A-IGBT / Application:Current resonance circuit)

RJH60T04DPQ-A1 數(shù)據(jù)表 (600V - 30A - IGBT / Application:Current resonance circuit)
2023-03-30 18:47:000

RJP60V0DPM-80 數(shù)據(jù)表(600V-22A-IGBT / Application: Inverter)

RJP60V0DPM-80 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:470

RJP60V0DPM 數(shù)據(jù)表(600V-22A-IGBT / Application: Inverter)

RJP60V0DPM 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:340

600V

NUT/SCREWDRIVERSETW/HANDLE2PC
2023-03-29 21:00:14

ir2104驅(qū)動(dòng)芯片代換料ID7U603SEC-R1 600V半橋預(yù)驅(qū)方案

逆變器、全橋驅(qū)動(dòng)逆變器等領(lǐng)域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點(diǎn)■浮動(dòng)工作電壓可達(dá)600V■拉灌電流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平■dV/dt抗干擾能力±5
2023-03-29 09:24:35930

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