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文章- 元器件知識

IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管) ? 電力電子領(lǐng)域核心開關(guān)器件,通過柵極電壓控制導(dǎo)通狀態(tài): ? 結(jié)構(gòu)特性 ?:融合MOSFET高輸入阻抗與BJT低導(dǎo)通壓降,形成四層半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)(PNPN排列),支持600V以上高壓場景 ? 功能特性 ?:兼具高頻開關(guān)與高電流承載能力,導(dǎo)通功耗僅為傳統(tǒng)器件的1/5~1/10 ? SiC(碳化硅)功率器件 ? 第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的代表: ? 材料優(yōu)勢 ?:禁帶寬度達(dá)3.3eV(硅的3倍)
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