本文主要從結(jié)構(gòu)上進行了創(chuàng)新,通過計算機輔助設(shè)計仿真分析得到了理論解,一定程度上滿足了設(shè)計初衷,但在工藝上還不成熟。更低的驅(qū)動電壓和更高的開關(guān)頻率仍是亟待解決的問題,另外如何保證實際產(chǎn)品的可靠性、實用性也是未來的研究重點。
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Vishay推出3款新型單極雙擲(SPDT)和雙路的雙極雙擲(DPDT)CMOS低壓模擬開關(guān)--- DG2735A、DG2725和DG2599
2011-06-30 09:02:17
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低壓驅(qū)動的RF MEMS開關(guān)設(shè)計與模擬
近年來射頻微電子系統(tǒng)(RF MEMS)器件以其尺寸小、功耗低而受到廣泛關(guān)注,特別是MEMS開關(guān)構(gòu)建的移相器與天線,是實現(xiàn)上萬單元相控陣?yán)走_(dá)的關(guān)鍵技術(shù),在軍事上有重要意義。然而RF MEMS開關(guān)
2013-10-09 11:41:11
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兩款RF MEMS開關(guān)設(shè)計固有的“逆天”性能
其實,我們身邊不乏這樣的“黃金芯片”,ADI 發(fā)布的 RF MEMS 開關(guān)再次將黃金的優(yōu)良金屬性能在芯片中的應(yīng)用發(fā)揮到極致。我們不妨來看看這些黃金造的芯片過人之處。
2018-04-20 08:40:52
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基于MEMS技術(shù)的RF開關(guān)在電路中的設(shè)計
RF開關(guān)用于從多個可用信號源中選擇所需信號,或?qū)⑿盘柭酚傻剿栊诺?,如分集天線系統(tǒng),雷達(dá)以及測試和測量設(shè)置等應(yīng)用。開關(guān)(有時稱為繼電器)可以使用類似于非RF開關(guān)的機電(EM)設(shè)計構(gòu)建,但現(xiàn)在已經(jīng)被開關(guān)IC取代,除了在IC不足的高功率應(yīng)用中,以及一些非常特殊情況或開關(guān)需要多極(觸點)。
2019-03-20 08:22:00
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針對一字型懸臂梁RF MEMS開關(guān)的兩種降低驅(qū)動電壓RF MEMS開關(guān)方法
通過理論分析和仿真,并與傳統(tǒng)的一字型懸臂梁作對比,驗證了增大局部驅(qū)動面積和降低彈性系數(shù)可以減小懸臂梁開關(guān)的驅(qū)動電壓。
2020-08-15 11:50:28
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耗盡型JFET在模擬設(shè)計中的應(yīng)用分析
目前市場上有6種不同類型的場效應(yīng)管(FET),在兩類主要的FET中,增強型FET比耗盡型FET的應(yīng)用要廣泛得多。但耗盡型FET尤其是JFET在模擬設(shè)計中仍占一席之地。
2020-09-24 11:43:44
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5G射頻前端 | RF MEMS與RF SOI 兩種工藝誰才是主流?
鍵合技術(shù)、LIGA 技術(shù)。盡管RF開關(guān)的出貨量巨大,但市場競爭激烈,價格壓力較大。Taylor說,這些設(shè)備的平均銷售價格(ASP)為10至20美分。射頻微機電系統(tǒng)(RF MEMS) 是MEMS技術(shù)
2017-07-13 08:50:15
MEMS開關(guān)技術(shù)基本原理
,F(xiàn)itzgerald,P.,Stenson,B.,McDaid,P.,Goggin,R.:“集成驅(qū)動器電路的DC至K波段超長導(dǎo)通壽命RF MEMS開關(guān)的開發(fā)”,歐洲微波會議(EuMC),歐洲微波協(xié)會
2018-10-17 10:52:05
MEMS開關(guān)缺陷改進
在通信領(lǐng)域上亦憑借超低損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢在手機上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動電壓高、開關(guān)時間長的問題,劣于FET場效應(yīng)管開關(guān)和PIN二極管開關(guān)。相對于國外已取得的成果,國內(nèi)的研究尚處于起步階段。下文將針對MEMS開關(guān)的缺陷做一些改進。
2019-07-29 07:57:25
MEMS開關(guān)缺陷的改進概述
損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢在手機上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動電壓高、開關(guān)時間長的問題,劣于FET場效應(yīng)管開關(guān)和PIN二極管開關(guān)。相對于國外已取得的成果,國內(nèi)的研究尚處于起步階段。下文將
2019-07-08 08:02:54
MEMS的幾種RF相關(guān)應(yīng)用產(chǎn)品
MEMS被廣泛的利用在多個領(lǐng)域里,如下圖。這篇文章主要說說MEMS的幾種RF相關(guān)應(yīng)用產(chǎn)品SAW,BAW, FBAR filter,也是目前手機中最常用的幾種filter。SAW,BAW和FBAR中,A都
2019-06-24 06:27:01
RF-MEMS系統(tǒng)元件封裝問題
的應(yīng)用前景[1]。在目前的通信系統(tǒng)中使用大量射頻片外分立單元,如諧振器、濾波器、耦合器等,使系統(tǒng)的空間尺寸較大。利用MEMS技術(shù)可以同標(biāo)準(zhǔn)集成電路工藝兼容,制作的無源元件有利于系統(tǒng)集成度和電學(xué)性能的提高,并且成本更低。但隨之而來的是對這類RF-MEMS系統(tǒng)元件和封裝問題的研究,這些也成為人們關(guān)注的熱點。
2019-06-24 06:11:50
RF MEMS開關(guān)的設(shè)計模擬
損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢在手機上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動電壓高、開關(guān)時間長的問題,劣于FET場效應(yīng)管開關(guān)和PIN二極管開關(guān)。相對于國外已取得的成果,國內(nèi)的研究尚處于起步階段。下文將針對MEMS開關(guān)的缺陷做一些改進。
2019-07-29 08:31:54
RF MEMS與RF SOI 兩種工藝誰才是主流?
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2017-07-13 09:14:06
RF MEMS元器件有哪些類別?
早在1979年,微電子機械開關(guān)就被用于轉(zhuǎn)換低頻電信號。從那時開始,開關(guān)設(shè)計就采用懸臂、旋轉(zhuǎn)和隔膜的布局來實現(xiàn)RF和微波頻率下的良好性能。RF MEMS表現(xiàn)出低損耗、低功耗和沒有互調(diào)失真。對于有微秒開關(guān)速度就足夠的應(yīng)用來說,這些器件用于取代傳統(tǒng)FET或p-i-n二極管開關(guān)極有吸引力。
2019-10-21 07:38:31
RF MEMS振蕩器介紹
RF MEMS振蕩器介紹Vibrating RF MEMS for Timing and Frequency ReferencesThis paper presents recent
2009-12-12 17:43:18
模擬設(shè)計中MOS的柵長怎么選擇?
采用0.13um的混合工藝 模擬設(shè)計中用到的MOS的柵長選擇就是0.13um嗎? / C5 @, o6 U8 I% q! X而如果采用0.18um的混合工藝 模擬設(shè)計中用到的MOS的柵長選擇就是0.18um嗎?
2012-01-12 16:33:54
模擬設(shè)計中噪聲分析誤區(qū)
作者:Scott Hunt噪聲是模擬電路設(shè)計的一個核心問題,它會直接影響能從測量中提取的信息量,以及獲得所需信息的經(jīng)濟成本。遺憾的是,關(guān)于噪聲有許多混淆和誤導(dǎo)信息,可能導(dǎo)致性能不佳、高成本的過度設(shè)計或資源使用效率低下。本文闡述關(guān)于模擬設(shè)計中噪聲分析的11個由來已久的誤區(qū)。
2019-07-23 06:01:39
模擬設(shè)計中的100條經(jīng)驗
本書是模擬設(shè)計領(lǐng)域牛人經(jīng)驗的濃縮,總結(jié)了100個問題,下載:[hide] [/hide]
2013-09-09 13:32:29
模擬設(shè)計中的噪聲誤區(qū)
噪聲是模擬電路設(shè)計的一個核心問題,它會直接影響能從測量中提取的信息量,以及獲得所需信息的經(jīng)濟成本。遺憾的是,關(guān)于噪聲有許多混淆和誤導(dǎo)信息,可能導(dǎo)致性能不佳、高成本的過度設(shè)計或資源使用效率低下。今天咱們就跟隨ADI攻城獅的腳步了解下關(guān)于模擬設(shè)計中噪聲分析的11個由來已久的誤區(qū)吧~
2021-03-02 06:48:16
模擬設(shè)計的新角色
在過去的十年里,模擬設(shè)計人員和電源設(shè)計人員的角色一直在發(fā)生變化。最近,隨著半導(dǎo)體集成水平越來越高以及產(chǎn)品制造領(lǐng)域的全球性變化,這種角色變化的趨勢進一步加劇。概括地講,集成正在從處理器延伸到各種模擬
2019-07-19 06:07:00
【下載】《嵌入式系統(tǒng)中的模擬設(shè)計》
模擬/數(shù)字混合系統(tǒng)設(shè)計的數(shù)字工程師、學(xué)生、教師及應(yīng)用工程人員。本書是一本有用的參考資料,既可以幫助讀者完成數(shù)字系統(tǒng)中的模擬設(shè)計,也可以作為掌握許多模擬電子方面重要內(nèi)容的指導(dǎo)手冊。內(nèi)容簡介 本書為那些
2017-12-14 17:49:51
【招聘】射頻/模擬、ASIC設(shè)計/驗證、系統(tǒng)、模擬設(shè)計等
【招聘】射頻/模擬、ASIC設(shè)計/驗證、系統(tǒng)、模擬設(shè)計等 射頻集成電路工程師(TRX 方向)-BJ 射頻/模擬集成電路工程師(RF/Analog IC Engineer)-BJ 射頻IC工程師
2017-03-03 14:54:37
一種應(yīng)用于X波段的RF MEMS電容式并聯(lián)開關(guān)設(shè)計
0 引 言 RF MEMS開關(guān)在隔離度、插入損耗、功耗以及線性度等方面,具有比FET或pin二極管傳統(tǒng)微波固態(tài)開關(guān)無法比擬的優(yōu)勢,從而獲得了廣泛的關(guān)注,并顯示出在微波應(yīng)用領(lǐng)域的巨大潛力。自1979年
2019-06-25 06:58:35
什么是RF MEMS?有哪些關(guān)鍵技術(shù)與器件?
什么是RF MEMS?有哪些關(guān)鍵技術(shù)與器件?微電子機械系統(tǒng)(MicroElectroMechanicalSystem),簡稱MEMS,是以微電子技術(shù)為基礎(chǔ)而興起發(fā)展的,以硅、砷化鎵、藍(lán)寶石等為襯底
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什么是高隔離度X波段RF MEMS電容式并聯(lián)開關(guān)?
RF MEMS開關(guān)在隔離度、插入損耗、功耗以及線性度等方面,具有比FET或pin二極管傳統(tǒng)微波固態(tài)開關(guān)無法比擬的優(yōu)勢,從而獲得了廣泛的關(guān)注,并顯示出在微波應(yīng)用領(lǐng)域的巨大潛力。自1979年K.E.Petersen第一次報道RF MEMS開關(guān)的應(yīng)用以來,業(yè)界已研制出很多不同結(jié)構(gòu)的RF MEMS開關(guān)。
2019-09-30 08:18:13
單片機計算器模擬設(shè)計方案
《【畢業(yè)設(shè)計】單片機計算器模擬設(shè)計方案.doc》由會員分享,可免費在線閱讀全文,更多與《畢業(yè)設(shè)計單片機計算器模擬設(shè)計方案(V7.1)》相關(guān)文檔資源請在幫幫文庫數(shù)億1、蹤跡
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(filter)、RF-MEMS開關(guān)(switch),以及MEMS可變電容器的制作技術(shù)。發(fā)展經(jīng)緯寬頻化后的移動電話面臨HSDPA(High Speed Downlink Packet Access
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如何選擇低壓系統(tǒng)模擬IC?
的產(chǎn)品線涵蓋了許多低壓 IC,包括:運算放大器、比較器、微處理器監(jiān)控電路、接口、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、模擬開關(guān)和復(fù)用器、電壓基準(zhǔn)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、數(shù)字電位器以及實時時鐘等時鐘芯片。本文涉及上述多個模擬
2021-03-11 06:21:04
嵌入式系統(tǒng)中的模擬設(shè)計
本帖最后由 pengwon 于 2012-8-10 14:05 編輯
第一次上傳資料,不知會不會有問題?!肚度胧较到y(tǒng)中的模擬設(shè)計》。
2012-08-10 13:35:10
開創(chuàng)性的5 kV ESD MEMS開關(guān)技術(shù)
裝在一起的驅(qū)動器功耗非常低——典型值為10 mW,比RF繼電器的典型驅(qū)動器要求低10倍。圖2. ADGM1004增強型ESD保護MEMS開關(guān)。集成ESD保護借助ADGM1304 MEMS開關(guān)產(chǎn)品,ADI開發(fā)
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射頻微機電(RF MEMS)今年將大舉進駐高階LTE手機。多頻多模4G手機現(xiàn)階段最多須支援十五個以上頻段,引發(fā)內(nèi)部RF天線尺寸與功耗過大問題;為此,一線手機廠已計劃擴大導(dǎo)入RF MEMS元件,透過
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2018-03-07 11:22:36
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關(guān)于ADI新型RF MEMS開關(guān)技術(shù)的基本知識
p>ADI MEMS開關(guān)技術(shù),是開關(guān)解決方案發(fā)展史上的一次革命,可以滿足RF儀器儀表和測試系統(tǒng)的需要,瞄準(zhǔn)的是繼電器替代需求。2016年國際電子展嵌入式平臺大會發(fā)言稿。
2018-06-03 01:45:00
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Cadence教程之如何使用VieloSo模擬設(shè)計環(huán)境進行設(shè)計
本手冊描述如何使用VieloSo模擬設(shè)計環(huán)境來模擬模擬設(shè)計。VieloSo模擬設(shè)計環(huán)境被記錄在一系列在線手冊中。下面的文件給你更多的信息?!ieloSo高級分析工具用戶指南提供有關(guān)蒙特卡洛、優(yōu)化和統(tǒng)計分析的信息。
2018-09-20 08:00:00
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國內(nèi)外RF MEMS廠商大盤點 5G對我國的RF MEMS廠商來說是機遇也是挑戰(zhàn)
射頻微機電系統(tǒng)(RF MEMS)是MEMS技術(shù)的重要應(yīng)用領(lǐng)域之一,也是二十世紀(jì)九十年代以來MEMS領(lǐng)域的研究熱點。RF MEMS用于射頻和微波頻率電路中的信號處理,是一項將能對現(xiàn)有雷達(dá)和通訊中射頻結(jié)構(gòu)產(chǎn)生重大影響的技術(shù)。
2019-02-04 16:54:00
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MEMS開關(guān)基本原理及性能優(yōu)勢
本文介紹ADI公司突破性的微機電系統(tǒng)(MEMS)開關(guān)技術(shù)。與傳統(tǒng)機電繼電器相比,ADI公司的MEMS開關(guān)技術(shù)使RF和DC開關(guān)性能、可靠性及小型化實現(xiàn)了跨越式發(fā)展。
2019-03-04 15:34:52
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Supertex推出兩款高壓模擬開關(guān) 支持獨立開關(guān)和靈活連接的單刀單擲配置
高壓模擬與混合信號集成電路領(lǐng)域的公認(rèn)領(lǐng)先廠商超科公司(Supertex)(納斯達(dá)克股票代碼:SUPX)推出兩款32通道高壓模擬開關(guān)----HV2802和HV2902。這兩款集成電路面向醫(yī)療診斷超聲成像、金屬無損探傷、噴墨打印頭、壓電陶瓷驅(qū)動器和光MEMS模塊等需要用低壓控制信號控制高壓開關(guān)的應(yīng)用。
2019-03-08 15:15:41
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如何模擬設(shè)計電磁曲射炮詳細(xì)競賽試題免費下載
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是如何模擬設(shè)計電磁曲射炮詳細(xì)競賽試題免費下載。
2019-12-23 17:35:17
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PSoC Creator模擬設(shè)計:Net和Mux Constraint組件的使用技巧和事項
本視頻介紹了采用PSoC Creator進行模擬設(shè)計的各種技巧和注意事項。
2020-07-01 12:21:00
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PSoC Creator模擬設(shè)計:編輯器的調(diào)試方法
本視頻介紹了采用PSoC Creator進行模擬設(shè)計的各種技巧和注意事項。
2020-07-01 12:19:00
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PSoC Creator模擬設(shè)計:Resource Reserve組件的應(yīng)用方法
本視頻介紹了采用PSoC Creator進行模擬設(shè)計的各種技巧和注意事項。
2020-07-01 12:17:00
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PSoC Creator模擬設(shè)計:Analog Device Viewer
本視頻介紹了采用PSoC Creator進行模擬設(shè)計的各種技巧和注意事項。
2020-07-01 12:41:00
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CN0377 使用RF MEMS開關(guān)實現(xiàn)的DC至2.5 GHz可切換RF衰減器
圖1所示的電路使用RF MEMS開關(guān)在兩臺表貼RF衰減器和兩條直通路徑之間路由RF信號。 圖1. 射頻開關(guān)衰減器的簡化電路圖?衰減RF信號通常在RF測試儀器儀表和接收器前端完成,以保護
2021-05-29 11:50:55
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使用RF MEMS開關(guān)實現(xiàn)的DC至2.5GHz可切換RF衰減器
四擲 (SP4T) RF MEMS開關(guān)按背靠 背方式配置,在輸入和輸出端之間產(chǎn)生了四條獨立可切換 路徑。前兩條路徑是直通傳輸線,第三條包含一個6 dB衰 減器,第四條包含一個9 dB衰減器。
2022-07-11 09:46:59
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ADI公司革命性MEMS開關(guān)技術(shù)的基本原理
本文介紹ADI公司在微機電系統(tǒng)(MEMS)開關(guān)技術(shù)方面的突破。與傳統(tǒng)的機電繼電器相比,ADI公司的MEMS開關(guān)技術(shù)在RF和DC開關(guān)性能、可靠性和小型化方面實現(xiàn)了巨大的飛躍。
2023-01-05 14:29:24
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RF MEMS開關(guān)技術(shù)分析
從驅(qū)動方式和機械結(jié)構(gòu)的角度介紹了不同的RF MEMS開關(guān)類型,分析了各類MEMS開關(guān)的性能及優(yōu)缺點,分析了MEMS開關(guān)在制作和發(fā)展中面臨的犧牲層技術(shù)、封裝技術(shù)、可靠性問題等關(guān)鍵技術(shù)和問題,介紹了MEMS開關(guān)的發(fā)展現(xiàn)狀及其在組件級和系統(tǒng)級的應(yīng)用,以及對MEMS開關(guān)技術(shù)的展望
2023-05-23 14:29:05
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RF MEMS 開關(guān)的設(shè)計與優(yōu)化
射頻微機電系統(tǒng)(RF MEMS)是MEMS技術(shù)的一大重要應(yīng)用領(lǐng)域,也是20世紀(jì)90年代至今研究MEMS技術(shù)各領(lǐng)域中飛速發(fā)展的熱點。射頻微機械開關(guān)體積小,功耗低,且插入損耗、隔離度等微波性能均遠(yuǎn)優(yōu)于
2023-05-23 14:35:50
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RF MEMS開關(guān)的運作、優(yōu)勢
RF MEMS開關(guān)是一種小型微機械開關(guān),具有低功耗,可以使用傳統(tǒng)的MEMS制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類似于房間里的開關(guān),通過打開或關(guān)閉接觸點來傳導(dǎo)信號。
在RF MEMS設(shè)備的情況下,開關(guān)的機械部件僅有幾微米大小。與普通開關(guān)不同的是,RF MEMS開關(guān)傳導(dǎo)的信號處于射頻范圍內(nèi)。
2023-05-23 14:58:51
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一文讀懂RF MEMS 開關(guān)
所謂,RF MEMS 開關(guān),是一種是小型的微機械開關(guān),功耗低,可以使用傳統(tǒng)的 MEMS 制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類似于房間中的電燈開關(guān),其中觸點打開或關(guān)閉以通過開關(guān)傳導(dǎo)信號。在 RF MEMS 器件的情況下,開關(guān)的機械組件只有微米級尺寸。與電燈開關(guān)不同,在 RF MEMS 開關(guān)中傳導(dǎo)的信號在射頻范圍內(nèi)。
2023-05-23 15:09:18
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模擬設(shè)計中噪聲分析的誤區(qū)
噪聲是模擬電路設(shè)計的一個核心問題,它會直接影響能從測量中提取的信息量,以及獲得所需信息的經(jīng)濟成本。遺憾的是,關(guān)于噪聲有許多混淆和誤導(dǎo)信息,可能導(dǎo)致性能不佳、高成本的過度設(shè)計或資源使用效率低下。今天我們就聊聊關(guān)于模擬設(shè)計中噪聲分析的11個由來已久的誤區(qū)。
2023-08-30 10:33:11
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基于射頻開關(guān)的MEMS/NEMS狀態(tài)
,以解決早期RF MEMS開關(guān)解決方案的可靠性問題。ADI的ADGM1001(SPDT)聲稱致動壽命為100億次循環(huán),而Menlo的理想開關(guān)解決方案的額定驅(qū)動壽命為3億次循環(huán)。
2023-09-29 16:44:00
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