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SOI全稱為Silicon-On-Insulator，即絕緣襯底上的硅，該技術是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。SOI是硅晶體管結(jié)構在絕緣體之上的意思，原理就是在Silicon（硅）晶體管之間，加入絕緣體物質(zhì)，可使兩者之間的寄生電容比原來的少上一倍。