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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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如何通過柵極驅(qū)動技術(shù)實現(xiàn)SiC性能的最大化
SiC和其他寬禁帶器件的基本優(yōu)勢源于它們的帶隙,價帶頂部和導(dǎo)帶底部之間的能量差。電子從低能價帶移動到高能導(dǎo)帶使材料導(dǎo)電。
2021-02-20 標(biāo)簽:電動汽車IGBT電源開關(guān) 2851 0
人類社會的進步離不開社會上各行各業(yè)的努力,各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開我們的設(shè)計者的努力,其實很多人并不會去了解電子產(chǎn)品的組成,比如SiC光伏并網(wǎng)逆變器。
SiC助力功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用結(jié)溫升高,將大大改變電力系統(tǒng)的設(shè)計格局
Yole Development 的市場調(diào)查報告表明,自硅功率半導(dǎo)體器件誕生以來,應(yīng)用的需求一直推動著結(jié)溫升高,目前已達到150℃。
2020-11-16 標(biāo)簽:電動汽車電力系統(tǒng)CISSOID 2094 0
相對于硅(Si)和碳化硅(SiC),GaN有哪些優(yōu)勢
最終的器件是額定電壓為650 V的FET,具有4 V的高閾值,小于15mΩ的導(dǎo)通電阻以及類似于單芯片的封裝。
SiC如何實現(xiàn)比硅更好的熱管理?SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用?
碳化硅(SiC)是由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)系列材料。它的物理鍵非常牢固,使半導(dǎo)體具有很高的機械,化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...
寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān):緩慢的開關(guān)沿可減少過沖和EMI
在寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)的新時代,器件類型的選擇包括具有自己的特性并聲稱具有最佳性能的SiC?MOSFET和GaN HEMT單元。但是,這兩者都不是理想的開關(guān)...
如何混合Si和SiC器件實現(xiàn)完整SiC MOSFET轉(zhuǎn)換器相同效率的調(diào)制方案
在現(xiàn)代時代,隨著電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)領(lǐng)域的所有進步對具有高功率密度和效率的轉(zhuǎn)換器的需求已經(jīng)增加,尤其是在電動汽車充電點的并網(wǎng)系統(tǒng)中[...
SiC MOSFET在電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計中的優(yōu)化方案
作者:英飛凌科技資深高級工程師René Mente 談起電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計,諸如碳化硅(SiC)等寬禁帶(WBG)技術(shù)是當(dāng)今進行器件選擇時的現(xiàn)實考慮。65...
2021-03-25 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器SiC 2616 0
碳化硅(SiC)由于其固有的寬帶隙和高導(dǎo)熱性的材料特性而被廣泛用于中高壓電力半導(dǎo)體器件的制造中。如今,肖特基二極管,MOSFET和JFET是市場上最受歡...
基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計
工程師對電磁干擾,并行化和布局非常熟悉,但是當(dāng)從基于硅的芯片過渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r,需要多加注意。 芯片顯示,基于硅(Si)的半導(dǎo)體比寬帶隙(WBG...
SiC MOSFET的實時結(jié)溫監(jiān)控電路測量方案
本文介紹了一種新穎的測量電路,以測量用于測量SiC MOSFET的實時或?qū)嶋H結(jié)溫??梢钥闯觯鲇谟嗁徍吞幚頂?shù)據(jù)或電流傳感器的目的,不需要本質(zhì)上復(fù)雜的任何算法。
2021-04-23 標(biāo)簽:MOSFET監(jiān)控電路SiC 6363 0
面向汽車應(yīng)用的下一代高壓離散電源產(chǎn)品
電動汽車的激增將功率半導(dǎo)體性能的邊界推向了新的高度。傳統(tǒng)上,硅功率器件已用于控制汽車中的各種功率電子系統(tǒng),例如用于主逆變器電機,泵,HVAC壓縮機,制動...
當(dāng)討論諸如開關(guān)模式電源(SMPS)或功率因數(shù)校正(PFC)之類的高功率密度和高頻應(yīng)用時,已知硅雙極二極管由于其反向恢復(fù)行為和由此產(chǎn)生的開關(guān)損耗而限制了這...
2021-05-27 標(biāo)簽:升壓轉(zhuǎn)換器PFC肖特基二極管 2388 0
基于SiC的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計實現(xiàn)高功率密度
作者:Maurizio Di Paolo Emilio CISSOID宣布了專門為降低開關(guān)損耗或提高功率而量身定制的新型液冷模塊,屬于其三相碳化硅(Si...
2021-05-28 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器SiC柵極驅(qū)動器 1512 0
簡短的電動汽車部署展望 電動汽車、電動動力總成和車輛電氣化技術(shù)已經(jīng)存在多年。事實上,第一個?電動汽車(EV)?出現(xiàn)在晚19日?世紀(jì)。 然而,在近年來一直...
SiCMOSFET如何實現(xiàn)降低功率轉(zhuǎn)換過程中能量損耗
人們普遍認為,SiCMOSFET可以實現(xiàn)非??斓拈_關(guān)速度,有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。然而,由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制,在實際...
2021-01-27 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體功率晶體管 3849 0
功率GaN出現(xiàn)爆炸式增長 基于GaN的RF器件獨特優(yōu)勢眾多
Qorvo這種新型高功率放大器MMIC是專為“商業(yè)和軍事雷達,以及電子戰(zhàn)應(yīng)用”而設(shè)計。
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