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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

詳解硅片的研磨、拋光和清洗技術(shù)

在半導(dǎo)體和LED的制造中，需要研磨以使晶片的厚度變薄，以及拋光以使表面成為鏡面。在半導(dǎo)體器件的制造中，半導(dǎo)體制造工藝包括:（1）從晶體生長(zhǎng)開(kāi)始切割和拋光...

2022-04-20 標(biāo)簽：SiC 硅片清洗 1.6萬(wàn) 0

單晶SiC晶圓加工過(guò)程中的低溫濕法蝕刻

硅片在大口徑化的同時(shí)，要求規(guī)格的嚴(yán)格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴(yán)格，因此超精密磨削技術(shù)得以開(kāi)發(fā)，實(shí)現(xiàn)了無(wú)蝕刻化，無(wú)拋光化。雖然在單晶SiC...

2022-04-15 標(biāo)簽：晶圓 SiC 刻蝕 2102 0

外延層的摻雜濃度對(duì)SiC功率器件的重要性

控制外延層的摻雜類型和濃度對(duì) SiC 功率器件的性能至關(guān)重要，它直接決定了后續(xù)器件的比導(dǎo)通電阻，阻斷電壓等重要的電學(xué)參數(shù)。

2022-04-11 標(biāo)簽：工藝功率器件 SiC 8724 0

一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法

一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底；通過(guò)在基底上施加一層材料來(lái)形成非金屬掩模層；形成掩模層以暴露基底的底層區(qū)域；并以第一速率用...

2022-03-29 標(biāo)簽：SiC 碳化硅刻蝕 1988 0

IGBT和SiC電源開(kāi)關(guān)知識(shí)科普

IGBT 和 SiC 電源開(kāi)關(guān)有哪些市場(chǎng)和應(yīng)用? 高效的電源轉(zhuǎn)換在很大程度上取決于系統(tǒng)中使用的功率半導(dǎo)體器件。由于功率器件技術(shù)不斷改進(jìn)，大功率應(yīng) 用的...

2022-03-18 標(biāo)簽：IGBT 電源開(kāi)關(guān)SiC 8372 0

PI推出集成SiC MOSFET的車規(guī)級(jí)反激式開(kāi)關(guān)IC

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/程文智)這幾年電動(dòng)汽車發(fā)展異?；馃幔N量是節(jié)節(jié)攀升，其續(xù)航能力也在不斷取得突破。但里程焦慮還沒(méi)有徹底解決，為了應(yīng)對(duì)該問(wèn)題，汽車廠商...

2022-02-22 標(biāo)簽：MOSFET IC SiC 2040 0

高可靠性SiC MOSFET芯片優(yōu)化設(shè)計(jì)

以特斯拉Model 3為代表的眾多電動(dòng)汽車量產(chǎn)車型成功應(yīng)用SiC MOSFET芯片，表明SiC MOSFET在性能、可靠性和綜合成本層面已得到產(chǎn)業(yè)界的認(rèn)...

2022-02-18 標(biāo)簽：芯片 MOSFET SiC 5042 0

碳化硅在堿性溶液中的陽(yáng)極刻蝕

引言人們對(duì)用于器件應(yīng)用的碳化硅(SiC)重新產(chǎn)生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)，可以作為第三族氮化物外延生長(zhǎng)的襯底。在許多應(yīng)用領(lǐng)域，例...

2022-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2369 0

GaN 和 SiC 器件相似和差異

GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。

2021-11-17 標(biāo)簽：SiC GaN 半導(dǎo)體器件 5040 0

首款國(guó)產(chǎn)1700V SiC MOSFET獲“低碳能效獎(jiǎng)“，可提升電源效率4%！

工業(yè)三相供電（400 VAC to 690VAC）的功率變換系統(tǒng)，其母線電壓通常高于600V，母線電壓范圍在300Vdc-1000Vdc。

2021-10-11 標(biāo)簽：MOSFET 電源設(shè)計(jì)SiC 2142 0

國(guó)產(chǎn)高壓SiC MOSFET介紹及競(jìng)品分析

工業(yè)4.0時(shí)代及電動(dòng)汽車快速的普及，工業(yè)電源、高壓充電器對(duì)功率器件開(kāi)關(guān)損耗、功率密度等性能也隨之提高，傳統(tǒng)的Si-MosFet性能已被開(kāi)發(fā)的接近頂峰，S...

2021-09-15 標(biāo)簽：MOSFET SiC 工業(yè)電源 1.1萬(wàn) 0

仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性

SiC MOSFET并聯(lián)的動(dòng)態(tài)均流與IGBT類似，只是SiC MOSFET開(kāi)關(guān)速度更快，對(duì)一些并聯(lián)參數(shù)會(huì)更為敏感。

2021-09-06 標(biāo)簽：英飛凌 pcb MOSFET 4655 0

仿真看世界之650V混合SiC單管的開(kāi)關(guān)特性

英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)...

2021-08-31 標(biāo)簽：IGBT SiC 英飛凌科技 2317 0

確保SiC驗(yàn)證測(cè)試準(zhǔn)確度，有效測(cè)量碳化硅功率電子系統(tǒng)中的信號(hào)

在功率電子系統(tǒng)中，差分探頭和參考地電平探頭是兩種常用的電壓測(cè)量方法。差分探頭是一種流行的選擇，因?yàn)樗梢院翢o(wú)問(wèn)題地添加到電路的任意節(jié)點(diǎn)中。

2021-07-13 標(biāo)簽：電子系統(tǒng)SiC 碳化硅 2444 0

碳化硅在下一代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的作用

使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造出性能超越硅(Si)的同類產(chǎn)品。雖然有各種重要的機(jī)會(huì)使用這項(xiàng)技術(shù)，但工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)正獲得最大的興趣和關(guān)注。

2021-07-04 標(biāo)簽：SiC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器碳化硅 2542 0

淺談柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌

MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開(kāi)關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中，SiC MOSFET在近年來(lái)的應(yīng)用速度與日俱增，它的工作速度...

2021-06-12 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率元器件 3186 0

追求盡善盡美–電動(dòng)車中的SiC半導(dǎo)體

本文探討了SiC FET共源共柵結(jié)構(gòu)是如何提供最佳性能和一系列其他好處的。

2021-05-12 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電動(dòng)車 SiC 1201 0

領(lǐng)先的SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動(dòng)

基于硅IGBT的傳統(tǒng)逆變器和轉(zhuǎn)換器占據(jù)市場(chǎng)主體（占比超過(guò)70%），這主要?dú)w功于工廠生產(chǎn)線中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用和第一代風(fēng)力和太陽(yáng)能逆變器。

2021-04-12 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器功率轉(zhuǎn)換器 1111 0

【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試】系列之四：寬禁帶材料測(cè)試

隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來(lái)越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。

2021-03-26 標(biāo)簽：萬(wàn)用表 SiC GaN 1191 0

在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化

650V SiC MOSFET的擁護(hù)者可能會(huì)指出，他們發(fā)現(xiàn)其他類似器件在Tj =125°C下的該數(shù)值通常為+20-25%。這能說(shuō)明SiC MOSFET比...

2021-01-08 標(biāo)簽：MOSFET SiC 柵極驅(qū)動(dòng) 3440 0

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快充技術(shù)

快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
WPC

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手機(jī)快充

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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽(yáng)能充電

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PSR

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
系統(tǒng)電源

系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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