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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

高頻開(kāi)關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個(gè)例子，它由一個(gè)SiC JFET和一個(gè)硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。

2022-11-11 標(biāo)簽：FET SiC 高頻開(kāi)關(guān) 1390 0

SIC MOS驅(qū)動(dòng)電壓15V和18V之辯

使用SIC MOS的開(kāi)發(fā)人員是越來(lái)越多，但驅(qū)動(dòng)電壓到底選15V還是18V，每個(gè)人都有自己的理解，今晚聽(tīng)許老師講SIC MOS驅(qū)動(dòng)技術(shù)，有些感悟分享給大家。

2022-11-07 標(biāo)簽：MOS SiC 驅(qū)動(dòng)電壓 3824 0

詳解GaN和SiC器件測(cè)試的理想探頭

DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，提供非常高的測(cè)量精度和豐富的連接方式，是Ga...

2022-11-03 標(biāo)簽：SiC GaN MOSFET管 1684 0

碳化硅功率半導(dǎo)體器件是怎樣制造出來(lái)的

碳化硅器件制造環(huán)節(jié)與硅基器件的制造工藝流程大體類似，主要包括光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄等工藝。不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升...

2022-11-02 標(biāo)簽：濾波器 SiC 碳化硅 2017 0

SiC FET器件的特征

寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進(jìn)行了對(duì)比。

2022-10-31 標(biāo)簽：存儲(chǔ)服務(wù)器數(shù)據(jù)中心 1313 0

溝槽型SiC MOSFET工藝流程及SiC離子注入

在提高 SiC 功率器件性能方面發(fā)揮重要作用的最重要步驟之一是器件制造工藝流程。SiC功率器件在用作n溝道而不是p溝道時(shí)往往表現(xiàn)出更好的性能;為了獲得更...

2022-10-27 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 8513 0

認(rèn)識(shí)碳化硅晶錠切割

眾所周知單晶材料是SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，依據(jù)器件的使用，還會(huì)要求SiC單晶片要有高的表面質(zhì)量

2022-10-25 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 7571 0

降低SiC牽引逆變器的功率損耗和熱耗散

隨著電動(dòng)汽車（EV）制造商之間在開(kāi)發(fā)成本更低、行駛里程更長(zhǎng)的車型方面的競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，電力系統(tǒng)工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統(tǒng)效率的壓力，這可...

2022-10-25 標(biāo)簽：逆變器 SiC 2118 0

SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作環(huán)境

GaN 、SiC很有可能在高壓高頻方面完全取代硅基，SiC MOSFET 主打高壓領(lǐng)域；GaN MOSFET 主打高頻領(lǐng)域。

2022-10-19 標(biāo)簽：SiC GaN 528 0

SiC MOSFET必不可少的可靠性測(cè)試

在功率器件半導(dǎo)體領(lǐng)域，越來(lái)越需要高頻高功率耐高溫的功率器件，隨著時(shí)間發(fā)展，硅材料在功率器件領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到了材料性能的極限，碳化硅憑借其材料的優(yōu)越特性開(kāi)始大放異彩

2022-10-18 標(biāo)簽：MOSFET SiC 5082 0

隔離比較器在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的應(yīng)用

功率半導(dǎo)體供應(yīng)商不斷在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)速度上實(shí)現(xiàn)突破，推出更高的電流等級(jí)、更小的封裝尺寸以及更短的短路耐受時(shí)間的半導(dǎo)體器件。并且隨著寬禁帶半導(dǎo)體器件成本降...

2022-10-14 標(biāo)簽：比較器電機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2876 0

UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器讓功率設(shè)計(jì)選擇FET和SiC變得輕而易舉

該工具可以立即計(jì)算出整體效率、動(dòng)態(tài)和導(dǎo)通導(dǎo)致的組件功耗以及電流應(yīng)力水平；甚至可以指定并聯(lián)器件、多個(gè)轉(zhuǎn)換器“支路”和外部散熱片性能，以便預(yù)測(cè)結(jié)溫。

2022-10-11 標(biāo)簽：FET 肖特基二極管 SiC 876 0

什么是GaN氮化鎵？為什么充電器用GaN而不是SiC？

新能源車的功率控制單元（PCU）是汽車電驅(qū)系統(tǒng)的中樞神經(jīng)，管理電池中的電能與電機(jī)之間的流向、傳遞速度。傳統(tǒng) PCU 使用硅基材料半導(dǎo)體制成，強(qiáng)電流與高壓...

2022-10-08 標(biāo)簽：充電器 SiC 氮化鎵 5629 0

碳化硅功率器件解讀碳化硅與車載充電器(OBC)

碳化硅功率器件，助力OBC提升功率密度降低重量，讓新能源汽車充電更快，續(xù)航更長(zhǎng)

2022-09-23 標(biāo)簽：新能源汽車充電器 SiC 8491 0

使采用SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)更容易

BM2SC12xFP2-LBZ是業(yè)內(nèi)先進(jìn)*的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC，采用一體化封裝，已將1700V耐壓的SiC MOSFET和針對(duì)其驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的控制電路內(nèi)...

2022-09-20 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET SiC 1290 0

VE-Trac SiC如何讓主驅(qū)逆變器變得更強(qiáng)

雙碳目標(biāo)正加速推進(jìn)汽車向電動(dòng)化發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新助力汽車從燃油車過(guò)渡到電動(dòng)車，新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)因獨(dú)特優(yōu)勢(shì)將改變電動(dòng)車的未來(lái)，如在關(guān)鍵...

2022-09-20 標(biāo)簽：安森美逆變器 SiC 1588 0

VE-Trac IGBT和碳化硅(SiC)模塊如何延長(zhǎng)電動(dòng)車?yán)m(xù)航能力

因續(xù)航能力有限而導(dǎo)致的“里程焦慮”是許多消費(fèi)者采用電動(dòng)車的一個(gè)障礙。增加電池密度和提高能量轉(zhuǎn)換過(guò)程的效率是延長(zhǎng)車輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關(guān)鍵。能效至關(guān)...

2022-08-31 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 MOSFET 逆變器 3631 0

優(yōu)化SiC功率器件的三個(gè)步驟

隨著 SiC MOSFET 等新型功率晶體管越來(lái)越多地用于電力電子系統(tǒng)，使用特殊的驅(qū)動(dòng)器已成為必要。通過(guò)提供對(duì) IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，...

2022-08-10 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 1582 0

評(píng)估1200V SiC MOSFET在短路條件下的穩(wěn)健性

由于其極低的開(kāi)關(guān)損耗，碳化硅 (SiC) MOSFET 為最大限度地提高功率轉(zhuǎn)換器的效率提供了廣闊的前景。然而，在確定這些設(shè)備是否是實(shí)際電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的實(shí)...

2022-08-09 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1687 0

碳化硅MOSFET的經(jīng)濟(jì)高效且可靠的大功率解決方案

碳化硅已被證明是高功率和高電壓設(shè)備的理想材料。但是，設(shè)備的可靠性極其重要，我們不僅指短期可靠性，還指長(zhǎng)期可靠性。性能、成本和可制造性也是其他重要因素，但...

2022-08-09 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器 SiC 2476 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
系統(tǒng)電源

系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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