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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術

半導體工藝之氣相外延介紹

在半導體科學技術的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用，該技術已廣泛用于Si半導體器件和集成電路的工業(yè)化生產。

2023-05-19 標簽：半導體 SiC 電源系統(tǒng) 3965 0

MOS_DS電壓尖峰產生的原因

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。

2023-05-19 標簽：MOSFET MOS管 SiC 7302 0

連續(xù)纖維增強陶瓷基復合材料研究與應用進展

連續(xù)纖維增強陶瓷基復合材料(以下簡稱陶瓷基復合材料)發(fā)明于20世紀70年代，歷經近40年的發(fā)展，陶瓷基復合材料已成為戰(zhàn)略性尖端材料，許多國外機構已具備了...

2023-05-18 標簽：纖維 SiC 復合材料 4134 0

如何化解第三代半導體的應用痛點

所謂第三代半導體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料，又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁...

2023-05-18 標簽：半導體 SiC GaN 1713 0

如何提高系統(tǒng)功率密度

在功率器件領域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談論功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復原、低輸出電荷...

2023-05-18 標簽：功率器件 SiC GaN 1724 0

SiC MOSFET的設計挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設計者必須掌握一個關鍵的挑戰(zhàn)：確定哪種設計方法能夠在其應用中取得最大的成功。

2023-05-18 標簽：電阻 MOSFET 晶體管 453 0

SiC碳化硅單晶的生長原理

碳化硅單晶襯底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下簡稱SiC襯底）也是晶體材...

2023-05-18 標簽：半導體射頻單晶 3318 0

第三代半導體器件的機會在哪里

與第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比，GaN和SiC具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子遷移率高、熱導電率大、介電常數(shù)小和抗輻射能力強等特...

2023-05-18 標簽：半導體 SiC GaN 1019 0

激光與碳化硅相互作用的機理及應用

本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導體晶圓制程中的應用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理，并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片...

2023-05-17 標簽：半導體激光晶圓 2703 0

聚焦器件可靠性、柵極驅動器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案

碳化硅 (SiC) 技術能在大幅提高當前電力系統(tǒng)效率的同時降低其尺寸、重量和成本，因此市場需求不斷攀升。但是SiC 解決方案并不是硅基解決方案的直接替代...

2023-05-17 標簽：驅動器 SiC 碳化硅 561 0

微電網 - 脫離公共電網的高效選擇

我們中許多擁有電動汽車的人不得不考慮充電問題 — 重點在于節(jié)約能源，所以微電網從當?shù)乜稍偕茉粗蝎@取電能絕對符合時代精神。電動車電池是一種大型充電負載，...

2023-05-16 標簽：電動汽車 SiC 可再生能源 1166 0

基于國產單晶襯底的150mm 4H-SiC同質外延技術進展

本文研究了一種用于5G通信的射頻微系統(tǒng)與天線一體化三維扇出型集成封裝技術. 通過在玻璃晶圓上使用雙面布線工藝，實現(xiàn)毫米波天線陣列的制作. 將TSV轉接...

2023-05-14 標簽：MOSFET 半導體天線 1241 0

SMPD先進絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢

SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device)，是先進的頂部散熱絕緣封裝，由IXYS（現(xiàn)在是Littelfuse公...

2023-05-12 標簽：MOSFET 封裝功率器件 2973 0

基于SIC功率模塊的200kW車載逆變控制器介紹

在電動汽車驅動控制器中，逆變控制器是實現(xiàn)能量交直流轉化的關鍵部件，用于電機的驅動或制動時的能量回收或是提供交流電源。市場對于逆變控制器的能量傳輸效率、功...

2023-05-11 標簽：電動汽車控制器晶體管 2522 0

半導體制造裝置之SiC涂層石墨基座介紹

SiC涂層的制備方法主要有凝膠-溶膠法、包埋法、刷涂法、等離子噴涂法、化學氣相反應法(CVR)和化學氣相沉積法(CVD)。

2023-05-11 標簽：SiC GaN 碳化硅 5149 0

小心彎曲：為什么不應通過元件腳端彎曲來走捷徑

許多電力工程師都知道如何使用其手工原型獲得可行的成果，但在生產環(huán)境中，我們需要更好地控制腳端彎曲。否則，可能會引起數(shù)不盡的問題。本博客文章討論了獲得可靠...

2023-05-10 標簽：電路板封裝元件 648 0

碳化硅功率器件及應用

碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導體材料。作...

2023-05-10 標簽：半導體功率器件 SiC 2463 0

相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能？

隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優(yōu)質產品，競爭日益激烈。由于 EV 的...

2023-05-09 標簽：電動汽車安森美 IGBT 8993 0

簡述碳化硅襯底類型及應用

碳化硅襯底產業(yè)鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。

2023-05-09 標簽：SiC 碳化硅 5532 0

測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法

SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：...

2023-05-08 標簽：MOSFET 柵極 SiC 1302 0

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