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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性

本文詳細(xì)介紹了SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開(kāi)通和關(guān)斷特性以及體二極管的反向恢復(fù)特性。此外，還應(yīng)注意測(cè)試波形的準(zhǔn)確性。

2025-03-26 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體三菱電機(jī) 891 0

芯力特SIT1462Q CAN FD收發(fā)器簡(jiǎn)介

芯力特是國(guó)內(nèi)首個(gè)量產(chǎn)CAN收發(fā)器和CAN FD收發(fā)器的公司，SIT1462Q作為芯力特全新一代收發(fā)器產(chǎn)品搭載了芯力特多年來(lái)在CAN收發(fā)器接口產(chǎn)品研發(fā)的經(jīng)...

2025-03-25 標(biāo)簽：接口 SiC CAN收發(fā)器 763 0

如何測(cè)試SiC MOSFET柵氧可靠性

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）因其優(yōu)異的性能，如高開(kāi)關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高工作溫度，逐漸成為高...

2025-03-24 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 SiC 1086 0

英飛凌TLE49SR系列角度傳感器的原理和特性

隨著汽車電氣化的蓬勃發(fā)展，特別是SiC等器件在能量變換環(huán)節(jié)的大量使用，因高壓、高頻功率變換給車內(nèi)環(huán)境造成了大量雜散磁場(chǎng)干擾，主機(jī)廠和Tier 1 提出了...

2025-03-21 標(biāo)簽：英飛凌 SiC 角度傳感器 1403 0

SiC MOSFET與肖特基勢(shì)壘二極管的完美結(jié)合，提升電力轉(zhuǎn)換性能

使用反向并聯(lián)的肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFE...

2025-03-20 標(biāo)簽：MOSFET SiC 肖特基勢(shì)壘二極管 412 0

UCC38C52 商用 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCCx8C5x 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器，可在各種應(yīng)用中驅(qū)動(dòng) Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4...

2025-03-20 標(biāo)簽：UVLO 電流模式 SiC 347 0

UCC28C56L 工業(yè)級(jí) 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCCx8C5x 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器，可在各種應(yīng)用中驅(qū)動(dòng) Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4...

2025-03-20 標(biāo)簽：UVLO 電流模式 SiC 307 0

UCC38C53 商用 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCCx8C5x 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器，可在各種應(yīng)用中驅(qū)動(dòng) Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4...

2025-03-20 標(biāo)簽：UVLO 電流模式 SiC 313 0

UCC28C56H-Q1 汽車類 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC28C5x-Q1 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器，可用于驅(qū)動(dòng)各種應(yīng)用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是...

2025-03-20 標(biāo)簽：UVLO 電流模式 SiC 368 0

UCC28C58-Q1 汽車類 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC28C5x-Q1 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器，可用于驅(qū)動(dòng)各種應(yīng)用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是...

2025-03-20 標(biāo)簽：電流模式 SiC PWM控制器 460 0

UCC38C55 商用 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCCx8C5x 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器，可在各種應(yīng)用中驅(qū)動(dòng) Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4...

2025-03-20 標(biāo)簽：電流電流模式 SiC 334 0

GaN、超級(jí)SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別

如果想要說(shuō)明白GaN、超級(jí)SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別，首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性，然后再根據(jù)材料特性分析具體應(yīng)用。

2025-03-14 標(biāo)簽：SiC GaN MOS器件 986 0

2 kV SiC功率模塊：推動(dòng)1500 V系統(tǒng)的革命

由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級(jí)價(jià)值方面的顯著提升，具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來(lái)越普遍。通過(guò)將最新一代SiC芯片的阻斷電壓...

2025-03-14 標(biāo)簽：SiC 功率模塊碳化硅 370 0

碳化硅技術(shù)賦能EA10000系列電源的優(yōu)勢(shì)

為減緩氣候變化的步伐，人類在非化石燃料、可再生能源解決方案方面取得了進(jìn)展，并且交通領(lǐng)域的電氣化進(jìn)程也在加速。這些新興技術(shù)幾乎都要求使用大功率，對(duì)電源的要...

2025-03-13 標(biāo)簽：示波器晶體管 SiC 884 0

SiC MOSFET的靜態(tài)特性

商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過(guò)900V，而SiC擁有更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐...

2025-03-12 標(biāo)簽：芯片 MOSFET IGBT 787 0

SiC MOSFET的短路特性和短路保護(hù)方法

在光伏逆變器、車載充電器及牽引逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域中，由第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基（Si）制成的Si IGBT。

2025-03-12 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 1195 0

SiC模塊解決儲(chǔ)能變流器PCS中SiC MOSFET雙極性退化失效痛點(diǎn)

碳化硅（SiC） MOSFET的雙極性退化（Bipolar Degradation）是其在實(shí)際應(yīng)用中面臨的重要可靠性問(wèn)題，尤其在儲(chǔ)能變流器（PCS）等高...

2025-03-09 標(biāo)簽：MOSFET SiC 變流器 673 0

SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)和測(cè)試中的最佳實(shí)踐

隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiCJFET將越來(lái)越重要。在第一篇文章和第二篇文章中我們重點(diǎn)介紹了SiCJFET并聯(lián)...

2025-03-06 標(biāo)簽：并聯(lián)原理圖 JFET 761 0

碳化硅SiC芯片封裝：銀燒結(jié)與銅燒結(jié)設(shè)備的技術(shù)探秘

隨著碳化硅（SiC）功率器件在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，其高效、耐高壓、高溫等特性得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可。然而，要充分發(fā)揮SiC芯片的性能優(yōu)勢(shì)，封裝技術(shù)起著...

2025-03-05 標(biāo)簽：芯片 SiC 碳化硅 989 0

瑞能半導(dǎo)體最新WeenPACK-B系列SiC功率模塊產(chǎn)品介紹

WeenPACK-B產(chǎn)品系列是一款專為逆變器與變流器設(shè)計(jì)的高效功率模塊，高可靠、靈活集成的電力電子模塊化平臺(tái)，可覆蓋最大功率100kW的應(yīng)用場(chǎng)景。包括工...

2025-03-04 標(biāo)簽：逆變器 SiC 功率模塊 588 0

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快充技術(shù)

快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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