中科院8英寸SiC導(dǎo)電單晶研制成功

8英寸SiC晶體生長(zhǎng)的難點(diǎn)在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來(lái)的溫場(chǎng)不均勻和氣相原料分布和輸運(yùn)效率問(wèn)題。

2023-07-05 標(biāo)簽：SiC碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 483 0

針對(duì)氮化鎵的優(yōu)化KABRA工藝，可使產(chǎn)能提升近40%！

切割出片數(shù)量方面，以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例，在切割指定厚度為400微米的襯底時(shí)，KABRA工藝可切11片，相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。

2023-07-04 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 1262 1

車規(guī)級(jí)功率器件可靠性測(cè)試難點(diǎn)及應(yīng)用場(chǎng)景

車規(guī)級(jí)功率器件未來(lái)發(fā)展趨勢(shì) 材料方面: SiC和GaN是必然趨勢(shì)，GaAs在細(xì)分領(lǐng)域有可能 ●封裝方面:高功率密度、高可靠性和定制化 ●評(píng)測(cè)方面:...

2023-07-04 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 1021 0

如何通過(guò)實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度提高SiC牽引逆變器的效率

在本文中，我們將重點(diǎn)介紹實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，這項(xiàng)新功能可讓設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)參數(shù)，例如效率（影響電動(dòng)汽車行駛里程）和 SiC過(guò)沖（影響可靠性）。

2023-07-04 標(biāo)簽：SiC柵極驅(qū)動(dòng)牽引逆變器 1013 0

SiC系統(tǒng)梳理貼

1月5日，比亞迪發(fā)布會(huì)重磅發(fā)布了2款新的SiC電控的車型：比亞迪發(fā)布2款仰望車型搭載SiC電控，時(shí)隔2年，比亞迪再次公布了2款SiC電控的車型。正式發(fā)布...

2023-06-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 971 0

淺談碳化硅功率器件的封裝技術(shù)

SiC作為第三代半導(dǎo)體材料具有優(yōu)越的性能，相比于前兩代半導(dǎo)體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高以及抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)，...

2023-06-28 標(biāo)簽：封裝功率器件SiC 1235 0

碳化硅功率器件的基本原理、特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有許多優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用前景。

2023-06-28 標(biāo)簽：新能源汽車轉(zhuǎn)換器逆變器 4612 0

碳化硅在新能源車中的主要應(yīng)用

新能源汽車的加速性能與動(dòng)力系統(tǒng)輸出的最大功率和最大扭矩密切相關(guān)，碳化硅（SiC）技術(shù)允許驅(qū)動(dòng)電機(jī)在低轉(zhuǎn)速時(shí)承受更大輸入功率，且不怕電流過(guò)大導(dǎo)致的熱效應(yīng)和...

2023-06-27 標(biāo)簽：新能源汽車驅(qū)動(dòng)器SiC 2955 0

先進(jìn)單溝道高壓隔離柵極驅(qū)動(dòng)器GD3160介紹

電動(dòng)車逐漸代替燃油車已經(jīng)成為一種不可逆轉(zhuǎn)的趨勢(shì)。電動(dòng)車上最主要的動(dòng)力來(lái)源就是主驅(qū)電機(jī)，所以作為主驅(qū)電機(jī)的控制方案就變得尤為重要。

2023-06-26 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 7289 0

半導(dǎo)體切割-研磨-拋光工藝簡(jiǎn)介

SiC襯底切割是將晶棒切割為晶片，切割方式有內(nèi)圓和外圓兩種。由于SiC價(jià)格高，外圓、內(nèi)圓刀片厚度較大，切割損耗高、生產(chǎn)效率低，加大了襯底的成本。

2023-06-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)SiCCMP 4763 0

平面柵和溝槽柵的MOSFET的導(dǎo)通電阻構(gòu)成

兩者因?yàn)槠鋿艠O都是在外延表面生長(zhǎng)出來(lái)的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來(lái)的溝槽里面，叫做溝槽型MOS...

2023-06-25 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管SiC 5144 0

橫向型與垂直型MOSFET簡(jiǎn)介

橫向型MOSFET，又稱之為橫向?qū)щ娦偷腗OSFET，結(jié)構(gòu)如下圖所示。這里橫向的意思是指電流的流動(dòng)方向與晶圓襯底之間的方向。

2023-06-25 標(biāo)簽：MOSFET晶圓電壓源 4533 1

碳化硅晶圓劃片技術(shù)

碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體器件制造的核心材料，SiC 器件具有高頻、大功率、耐高溫、耐輻射、抗干擾、體積小、重量輕等諸多優(yōu)勢(shì)，是目前硅和砷化鎵等半導(dǎo)體材料所無(wú)...

2023-06-25 標(biāo)簽：激光器發(fā)光二極管SiC 723 0

驅(qū)動(dòng)電機(jī)絕緣高頻高壓下的耐久性評(píng)價(jià)總結(jié)

SiC功率器件在耐壓、開關(guān)頻率、損耗等多維度的性能優(yōu)于硅基IGBT功率器件。

2023-06-21 標(biāo)簽：新能源汽車IGBT功率器件 1440 0

如何在中試線上生產(chǎn)一片8英寸碳化硅襯底？

從實(shí)際情況上看，目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進(jìn)行生產(chǎn)，而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍，這也就意味著8英寸制造將會(huì)在很大程度上降...

2023-06-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓SiC 1791 0

基于SiC器件的電力電子變流器研究

基于SiC器件的電力電子變流器研究

2023-06-20 標(biāo)簽：電力電子SiC變流器 949 0

國(guó)產(chǎn)CVD設(shè)備在4H-SiC襯底上的同質(zhì)外延實(shí)驗(yàn)

SiC薄膜生長(zhǎng)方法有多種，其中化學(xué)氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較...

2023-06-19 標(biāo)簽：新能源汽車晶圓SiC 1903 0

開發(fā)基于碳化硅的25 kW快速直流充電樁：方案概述

鑒于所提出的具挑戰(zhàn)的要求和當(dāng)前的市場(chǎng)趨勢(shì)，系統(tǒng)工程團(tuán)隊(duì)考慮了幾個(gè)替代方案來(lái)實(shí)現(xiàn)這兩個(gè)轉(zhuǎn)換級(jí)。，結(jié)論是在AC-DC級(jí)利用6開關(guān)有源整流器，在依賴移相調(diào)制的...

2023-06-24 標(biāo)簽：整流器充電器SiC 1069 0

概述安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件

SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。

2023-06-16 標(biāo)簽：MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 710 0

安森美M1 1200 V SiC MOSFET動(dòng)態(tài)特性分析

SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必...

2023-06-16 標(biāo)簽：MOSFET安森美SiC 1349 0