IGBT的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

雖然有些人可能將 IGBT 視為“傳統(tǒng)”技術(shù)，但它在高功率應(yīng)用中仍然發(fā)揮著重要作用。

2023-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBTSiC 1414 0

碳化硅（SiC）相較于硅（Si）有哪些優(yōu)勢(shì)！

硅碳化物(SiC)技術(shù)已經(jīng)達(dá)到了臨界點(diǎn)，即無(wú)可否認(rèn)的優(yōu)勢(shì)推動(dòng)一項(xiàng)技術(shù)快速被采用的狀態(tài)。

2023-09-07 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 2334 0

SiC相較于Si的優(yōu)勢(shì)是什么？碳化硅的實(shí)際應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

如今，大多數(shù)半導(dǎo)體都是以硅（Si）為基材料，但近年來(lái)，一個(gè)相對(duì)新的半導(dǎo)體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應(yīng)用于M...

2023-09-05 標(biāo)簽：二極管太陽(yáng)能半導(dǎo)體 1953 0

山大與南砂晶圓團(tuán)隊(duì)在8英寸SiC襯底位錯(cuò)缺陷控制方面的突破

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料, 具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率、強(qiáng)化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)良特性

2023-08-31 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車SiC碳化硅 1239 0

一種基于實(shí)際頻率測(cè)量的多頻方法來(lái)構(gòu)建復(fù)頻率光波

超透鏡Superlenses是由等離子體激元材料和超材料制成的，并在亞衍射尺度上，實(shí)現(xiàn)特征成像。

2023-08-31 標(biāo)簽：傳感器衰減器SiC 1375 0

使用碳化硅進(jìn)行雙向車載充電機(jī)設(shè)計(jì)

電動(dòng)汽車（EV）車載充電機(jī)（OBC）可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式，充電功率從電動(dòng)機(jī)車等應(yīng)用中的不到2kW，到高端電動(dòng)汽車中的22kW不等。傳統(tǒng)上，...

2023-08-30 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車SiC碳化硅 1439 0

新能源汽車高壓充電系統(tǒng)有哪些

截至2023 年6月末，全國(guó)充電樁保有量為665.2萬(wàn)臺(tái)，同比增加 69.8%。其中，公共充電樁占比 32.3%，私人充電樁占比 67.7%。近年來(lái)車樁...

2023-08-29 標(biāo)簽：動(dòng)力電池新能源汽車IGBT 1028 0

EV充電站的類型和使用方法

在全世界都致力于實(shí)現(xiàn)碳中和的同時(shí)，電動(dòng)汽車 (EV) 也在迅速搶占內(nèi)燃機(jī)汽車的市場(chǎng)份額。 然而，電動(dòng)汽車存在里程焦慮的問(wèn)題，用戶會(huì)擔(dān)心在不充電的情況下E...

2023-08-28 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車SiCLLC 2288 0

聊一聊關(guān)于碳化硅雙脈沖測(cè)試中遇到的串?dāng)_問(wèn)題

碳化硅具有更快的切換速度（更短的切換時(shí)間），較低的損耗，更高的開(kāi)關(guān)頻率，更高的耐壓能力以及更好的溫度特性，相應(yīng)地帶來(lái)效率的替身，系統(tǒng)磁性元器件減小，功率...

2023-08-27 標(biāo)簽：二極管IGBTSiC 5139 0

功率半導(dǎo)體迎來(lái)SiC時(shí)代？碳化硅（SiC）的需求快速增長(zhǎng)

在新能源汽車終端市場(chǎng)中，隨著SiC材料價(jià)格下降，碳化硅（SiC）的需求快速增長(zhǎng)，來(lái)自于車載充電、驅(qū)動(dòng)逆變和DC-DC轉(zhuǎn)換。

2023-08-27 標(biāo)簽：新能源汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器IGBT 3714 0

SiC與Si它們兩者本身有什么不同呢？

始于19世紀(jì)初期半導(dǎo)體材料的研究至今已經(jīng)由第一代半導(dǎo)體材料發(fā)展到了第四代半導(dǎo)體材料，其中較為矚目的莫過(guò)于第一代半導(dǎo)體材料si和第三代半導(dǎo)體材料sic了。

2023-08-23 標(biāo)簽：MOSFET電阻器IGBT 1421 0

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，對(duì)其改良可以實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導(dǎo)體具有低損耗、高速開(kāi)關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢(shì)。

2023-08-23 標(biāo)簽：MOSFETIGBTSiC 2321 0

功率模塊納米銀燒結(jié)技術(shù)研究進(jìn)展

以SiC、GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料具有高 擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密 度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)，非常適合 制作應(yīng)用于高頻、...

2023-08-18 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體材料SiC 3339 0

SiC外延片制備技術(shù)解析

碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。

2023-08-15 標(biāo)簽：晶圓功率器件SiC 2275 0

為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣

在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開(kāi)關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的...

2023-08-14 標(biāo)簽：二極管SiCMPS 1359 0