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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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SiC MOSFET驅(qū)動電壓尖峰與抑制方法分析（上）

高頻、高速開關是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢之一，這能顯著提升系統(tǒng)效率，但也會在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而讓驅(qū)動電壓產(chǎn)生更大的尖峰。

2023-12-18 標簽：MOSFET emc 電磁干擾 6201 1

SiC功率器件中的失效機制分析

SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應用于電力電子轉(zhuǎn)換半導體 (PECS) 應用，例如電動汽車充電和牽引、儲能系統(tǒng)和工業(yè)電源。SiC 功率...

2023-12-15 標簽：MOSFET 半導體肖特基二極管 6354 0

Boost變換器中SiC與IGBT模塊熱損耗對比研究

摘要：針對Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問題，給出了Boost電路中功率模塊熱損耗的估算方法，并提供了具體的估算公式。以30k...

2023-12-14 標簽：變換器 IGBT Boost 2585 0

SiC功率器件輻照效應研究進展概述

隨著微電子技術日新月異的發(fā)展，作為傳統(tǒng)半導體材料的硅（Si）與砷化鎵（GaAs）在半導體器件中表現(xiàn)出的電學性能已逐漸接近其理論極限。

2023-12-13 標簽：新能源汽車 MOSFET 功率器件 5905 0

使用碳化硅SiC進行雙向充電機OBC設計

電動汽車車載充電機（On Board Charger，OBC）可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式，充電功率從微型電動汽車應用中的2KW，到高端電動汽車中...

2023-12-13 標簽：電動汽車 SiC 碳化硅 2080 0

淺談SiC MOSFET芯片的短路能力

SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承諾短路能力，有少數(shù)在數(shù)據(jù)手冊上標明短路能力的幾家，也通常把短路耐受時間（SCWT：shor...

2023-12-13 標簽：芯片 MOSFET IGBT 4515 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應用領域及未來趨勢

隨著科技的不斷進步，電力電子設備在各種領域中的應用越來越廣泛。然而，傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達到其性能極限。為了滿足不斷增長的性能需求，碳化硅（SiC）...

2023-12-13 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 1012 0

碳化硅的5大優(yōu)勢

碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。

2023-12-12 標簽：MOSFET 電源轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 2233 0

碳化硅的優(yōu)勢和難處

　碳化硅（SiC）具有更低的阻抗和更寬的禁帶寬度，使其能夠承受更大的電流和電壓，同時實現(xiàn)更小尺寸的產(chǎn)品設計和更高的效率。

2023-12-11 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 4341 0

為什么SiC在功率應用中戰(zhàn)勝了Si？

碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導體化合物，屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結合力非常強，使半導體具有很高的機械、化學和熱穩(wěn)定性。

2023-12-11 標簽：半導體 IGBT SiC 1522 0

碳化硅是如何制造的？碳化硅的優(yōu)點和應用

碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化...

2023-12-08 標簽：半導體 SiC 碳化硅 2864 0

芯動半導體和博世汽車電子簽署長期訂單合作協(xié)議

功率半導體元件在新能源汽車中扮演關鍵角色，占據(jù)電機控制器價值量的30%-50%。因此，功率半導體元件的成本、性能和供貨能力對于車企在市場競爭中取得成功至關重要。

2023-12-08 標簽：電機控制器 SiC 功率半導體 2375 0

碳化硅MOSFET在數(shù)據(jù)中心能源管理中的應用

數(shù)據(jù)中心通常依靠高頻功率轉(zhuǎn)換來有效地分配和管理電力，而SiC MOSFET具有低開關損耗和快速開關速度，可實現(xiàn)高頻操作。

2023-12-06 標簽：MOSFET 電源轉(zhuǎn)換器不間斷電源 1245 0

新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)

高比例新能源的技術挑戰(zhàn)在于抗擾性弱，暫態(tài)電壓失穩(wěn)，慣量缺失。新能源滲透率提高，電網(wǎng)強度下降，暫態(tài)穩(wěn)定性問題更加凸顯。Grid Forming構網(wǎng)技術是解...

2023-12-06 標簽：電力系統(tǒng)IGBT 功率器件 1624 0

碳化硅(SiC)功率器件的優(yōu)勢和應用領域

隨著科技的不斷進步，電力電子設備在我們的日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來越重要的作用。然而，隨著電力電子設備向著更高效、更小型化以及更可靠的方向發(fā)展，傳統(tǒng)...

2023-12-06 標簽：半導體功率器件 SiC 2123 0

如何防止碳化硅SiC MOSFET失效呢？

有效的熱管理對于防止SiC MOSFET失效有很大的關系，環(huán)境過熱會降低設備的電氣特性并導致過早失效，充分散熱、正確放置導熱墊以及確保充足的氣流對于 M...

2023-12-05 標簽：MOSFET SiC 熱管理 994 0

碳化硅技術的挑戰(zhàn)與應用

碳化硅（SiC）是一種由硅和碳組成的半導體材料，用于制造電動汽車（EV）、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應用的功率器件。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)...

2023-12-05 標簽：MOSFET 半導體功率器件 1121 0

碳化硅功率器件在儲能領域的應用示例

碳化硅功率器件目前被廣泛用于電源、用于電池充電和牽引驅(qū)動的電池電動汽車（BEV）電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)電機驅(qū)動以及太陽能和風力發(fā)電逆變器等可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等應...

2023-12-03 標簽：太陽能功率器件 SiC 1306 0

碳化硅的超強性能

電力半導體的進步并不完全取決于節(jié)點尺寸的減小。硅電力開關，如MOSFETs和IGBTs，被設計用來處理12V到+3.3kV的電壓和數(shù)百安培的電流。這些開...

2023-12-02 標簽：IGBT SiC MOSEET 555 0

SiCMOSFET和IGBT在短路時的對比

基于溝道的硅碳功率金氧半場效應晶體管（MOSFETs）為電力轉(zhuǎn)換開關設備的性能優(yōu)化系數(shù)（FOM）帶來了顯著提升。這讓系統(tǒng)性能得以凸顯，提高了多種應用的效...

2023-12-01 標簽：MOSFET FOM SiC 1056 0

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