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      標簽　>　sic

      sic

      sic

      +關(guān)注31人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

      文章：2835個 瀏覽：65027次 帖子：124個

      sic技術(shù)

      SiC MOSFET模塊串擾應用對策

      SiC MOSFET模塊串擾應用對策

      SiC MOSFET模塊目前廣泛運用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域[2-9] ，展示了新技術(shù)的優(yōu)良特性。

      2024-02-19 標簽：MOSFET數(shù)字示波器SiC 1986 0

      目前存在哪些與800V電動汽車動力總成架構(gòu)有關(guān)的設(shè)計和測試挑戰(zhàn)

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      電動汽車 (EV) 普及率的上升激發(fā)了市場對優(yōu)化設(shè)計、降低成本和提升車輛運行效率的需求，并為產(chǎn)品測試提出了新的難題。

      2024-02-19 標簽：電動汽車逆變器功率轉(zhuǎn)換器 1204 0

      具有低導通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設(shè)計

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      北京工業(yè)大學和中國北京大學報道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢壘二極管（SBD）的性能

      2024-02-19 標簽：SBDSiCGaN 2070 0

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      碳化硅（SiC）功率元器件是一種半導體器件，具有許多獨特的特性，使其在高性能電力電子應用中具有優(yōu)勢。以下是SiC功率元器件的一些主要特征： 碳化硅（Si...

      2024-02-04 標簽：功率器件SiC碳化硅 1092 0

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      作者：Rolf Horn 投稿人：DigiKey 北美編輯 整個交通運輸行業(yè)正在經(jīng)歷一場徹底的變革，內(nèi)燃機 (ICE) 汽車逐漸讓位于污染更少的電動汽車...

      2024-02-13 標簽：二極管半導體SiC 1349 0

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      適用SiC逆變器的各要素技術(shù)(SiCpower module,柵極驅(qū)動回路,電容器等)最優(yōu)設(shè)計與基準IGBT對比逆變器能量損失減少→EV續(xù)駛里程提升(5%1)

      2024-01-26 標簽：電容器逆變器SiC 700 0

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      2024-01-25 標簽：MOSFET功率器件SiC 748 0

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      隨著能源轉(zhuǎn)換和輸電技術(shù)的發(fā)展，對高效、高速、高溫工作的半導體器件需求日益增長。

      2024-01-25 標簽：半導體晶體管功率器件 1625 0

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      碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。

      2024-01-24 標簽：二極管MOSFET半導體 4272 0

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      由于這種開關(guān)工作，受開關(guān)側(cè)LS電壓和電流變化的影響，不僅在開關(guān)側(cè)的LS產(chǎn)生浪涌，還會在同步側(cè)的HS產(chǎn)生浪涌。

      2024-01-24 標簽：MOSFETSiC同步升壓 1046 0

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      2024-01-24 標簽：SiC晶片碳化硅 3241 0

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      2024-01-20 標簽：新能源汽車MOSFET晶體管 1604 0

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      摘要：隨著人們環(huán)保意識的不斷提高，傳統(tǒng)的化石能源越來越無法滿足人們的要求，以太陽能為代表的可再生新能源逐漸引起人們的關(guān)注。而并網(wǎng)逆變器作為新能源與電網(wǎng)連...

      2024-01-19 標簽：逆變器IGBT晶體管 2867 0

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      2024-01-18 標簽：半導體SiC晶片 2511 0

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      2024-01-18 標簽：半導體晶體管SiC 551 0

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      碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導體材料，具有高擊穿場強、高電子飽和漂移速率和高熱導率等優(yōu)異性能，使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應用前景。本文將對碳化硅功...

      2024-01-17 標簽：半導體功率器件SiC 1060 0

      碳化硅單晶襯底的常用檢測技術(shù)

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      碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，因其寬禁帶寬度、高擊穿電場強度和高熱導率等優(yōu)異性能，在眾多高端應用領(lǐng)域表現(xiàn)出色，已成為半導體材料技術(shù)的重要發(fā)展方向...

      2024-01-17 標簽：半導體晶體管SiC 3454 0

      半導體碳化硅(SiC)行業(yè)研究

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      第三代半導體性能優(yōu)越，應用場景更廣。半導體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ)，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應用場景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三...

      2024-01-16 標簽：半導體SiC碳化硅 1436 0

      晶圓級立方碳化硅單晶生長研究進展

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      碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導率等優(yōu)異性能，在新能源汽車、光伏和5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應用。與目前應用廣泛的4H-...

      2024-01-16 標簽：晶圓晶體管SiC 1148 0

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      碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點。由于這些優(yōu)異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光...

      2024-01-11 標簽：半導體SiC碳化硅 1232 0

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        TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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        　　閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
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        ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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        目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
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      • 董明珠
        董明珠
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        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級 、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。 　　1990年進入格力做業(yè)務經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務 。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
      • LT8705
        LT8705
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