SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？

自舉式懸浮驅(qū)動(dòng)電路可以極大的簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì)，只需要一路電源就可以驅(qū)動(dòng)上下橋臂兩個(gè)開(kāi)關(guān)管的驅(qū)動(dòng)，可以節(jié)省Si MOSFET功率器件方案的成本。

2022-01-14 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)電源自舉電路SiC MOSFET 4149 0

SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時(shí)如何實(shí)現(xiàn)負(fù)壓？

用+14V左右的穩(wěn)壓管Z1加上Z2管正向?qū)▔航?，在開(kāi)通時(shí)候?qū)㈦妷悍€(wěn)定在+15V左右，這樣在開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)電容C10上就會(huì)有3V壓降。

2021-12-06 標(biāo)簽：單電源SiC MOSFET 5415 0

探討1,200-V 300-A SiC MOSFET對(duì)開(kāi)關(guān)頻率的影響

由于快速的開(kāi)關(guān)，傳導(dǎo)損耗和擊穿電壓的增加，在現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用中增加了SiC MOSFET的使用。通過(guò)最快速的開(kāi)關(guān)速度和更高的頻率賦能，該框架減小了尺寸并提高...

2021-03-19 標(biāo)簽：MOSFET開(kāi)關(guān)頻率SiC MOSFET 8242 0

關(guān)于SiC MOSFET的新的電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

碳化硅（SiC）MOSFET提供了巨大的新特性和功能，但同時(shí)也帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。ROHM半導(dǎo)體器件使工程師能夠充分利用SiC MOSFET，同時(shí)克服了驅(qū)動(dòng)...

2021-04-02 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體器件柵極驅(qū)動(dòng)器 4297 0

SiC MOSFET的短路測(cè)試下的引線鍵合應(yīng)力分析

除了提供緊湊，高效的解決方案外，WBG材料還必須在異常或關(guān)鍵工作條件（例如短路和極端溫度操作）的情況下滿足安全要求。

2021-05-18 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器功率轉(zhuǎn)換器CAD 2107 0

如何復(fù)制下一代柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器的改進(jìn)，以驅(qū)動(dòng)和保護(hù)SiC MOSFET

為了匹配CREE SiC MOSFET的低開(kāi)關(guān)損耗，柵極驅(qū)動(dòng)器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓，以克服SiC MOSFET的柵極電容。

2021-05-24 標(biāo)簽：光電耦合器柵極驅(qū)動(dòng)器SiC MOSFET 3231 0

碳化硅和硅混合五電平單向整流器技術(shù)解析

隨著云計(jì)算的概念越來(lái)越流行，數(shù)據(jù)量越來(lái)越大，數(shù)據(jù)中心每天都在改進(jìn)，最終開(kāi)始以更快的速度增長(zhǎng)。它們已成為最大和最快的能源消耗來(lái)源，而 UPS（不間斷電源）...

2021-06-14 標(biāo)簽：整流器碳化硅SiC MOSFET 3174 0