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標(biāo)簽 > nmos
NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。
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為什么關(guān)斷隔離性能在較低頻率時(shí)會(huì)下降?
簡介 ADG9xx CMOS寬帶開關(guān)主要設(shè)計(jì)用來滿足工業(yè)、科研和醫(yī)用(ISM)頻段 (900 MHz) 信號(hào)發(fā)射器件的要求。這些器件具有低插入損耗、高端...
當(dāng)VGS小于一定的電壓值,DS極就會(huì)導(dǎo)通,適合用于S極接正電源的情況(高端驅(qū)動(dòng))。雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動(dòng),但由于其導(dǎo)通電阻大、價(jià)格貴、替換...
前幾期講的MOSFET的物理結(jié)構(gòu)、電學(xué)特性是我們研究MOSFET的基礎(chǔ),只掌握這些在實(shí)際電路中是沒法用的,今天講的內(nèi)容才是我們在電路設(shè)計(jì)中所用到的,但是...
PMOS和NMOS是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的兩種類型。 PMOS和NMOS是MOSFET的兩種互補(bǔ)型式,也稱為CMOS技術(shù),其...
2023-12-07 標(biāo)簽:電路NMOS場效應(yīng)晶體管 6560 1
場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,它可以用來放大或者控制電流 。根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同,場效應(yīng)管可以分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOSFET)。其中,...
2023-11-17 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管NMOS 5963 0
四象限 DC/DC 開關(guān)穩(wěn)壓器的實(shí)現(xiàn)
在很多電子系統(tǒng)中,有必要為特定類型負(fù)載提供雙極性(正和負(fù))電壓或電流。需要雙極性電壓/電流的負(fù)載包括FPGA體偏置應(yīng)用、熱電冷卻器、DC電動(dòng)機(jī)以及其他很...
2014-08-29 標(biāo)簽:FPGA開關(guān)穩(wěn)壓器NMOS 5943 0
在研究MOSFET的實(shí)際工作原理前我們來考慮這種器件的一個(gè)簡化模型,以便對(duì)晶體管有一個(gè)感性認(rèn)識(shí):我們預(yù)期它有什么樣的特性以及特性的哪些方面是重要的。
“晶體管開關(guān)”,是使用晶體管控制電路通斷的開關(guān)。根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場景,也稱“模擬開關(guān)(analog Switch)”或“邏輯開關(guān)(Logic Switch)...
2022-10-18 標(biāo)簽:開關(guān)電路NMOS晶體管 5777 0
當(dāng)柵與襯底之間存在壓差時(shí),它們之間存在電場,靜電邊界條件使多晶硅靠近氧化層界面附近的能帶發(fā)生彎曲,并且電荷耗盡,從而形成多晶硅柵耗盡區(qū)。該耗盡區(qū)會(huì)在多晶...
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