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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand技術(shù)

JK觸發(fā)器的原理和功能

JK觸發(fā)器，也被稱為通用可編程觸發(fā)器，是數(shù)字電路中的一種重要且功能強大的基本存儲器件。其名稱源自其兩個輸入端口J（置位）和K（復(fù)位），以及一個關(guān)鍵的控制...

2024-08-30 標簽：NAND JK觸發(fā)器數(shù)字電路 8579 0

瀚海微SD NAND存儲功能描述(15)命令類b

1)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)不得跨越物理塊邊界，除非在CSD中設(shè)置了WRITE BLK MISALIGN。如果不支持寫部分塊，則塊長度-默認塊長度(在CSD中給出)1...

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2024-08-20 標簽：NAND 存儲器 SSD硬盤 1299 0

恩智浦i.MX RT1170 uSDHC eMMC啟動時間

大家好，我是痞子衡，是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是恩智浦i.MX RT1170 uSDHC eMMC啟動時間。

2024-08-08 標簽：芯片 NAND 恩智浦 1125 0

瀚海微SD NAND存儲功能描述（8）專用命令CMD55 56

應(yīng)用專用命令app_cmd (CMD55) 當卡接收到這個命令時，會使卡將下面的命令解釋為一個特定于應(yīng)用程序的命令A(yù)CMD。ACMD提供命令擴展，具有與...

2024-08-08 標簽：NAND 存儲 SD 1579 0

K210使用創(chuàng)世NAND flash完成火災(zāi)檢測

2024-08-10 標簽：芯片 NAND FlaSh 1002 0

NAND Flash的擦寫次數(shù)介紹

NAND Flash作為非易失性存儲技術(shù)的重要一員，其擦寫次數(shù)是評估其性能和壽命的關(guān)鍵因素之一。以下將詳細介紹NAND Flash的擦寫次數(shù)，包括其定義...

2024-07-29 標簽：NAND FlaSh 存儲技術(shù) 5477 0

NAND Flash和NOR Flash哪個更好

在討論NAND Flash和NOR Flash哪個更好時，我們需要從多個維度進行深入分析，包括它們的技術(shù)特性、應(yīng)用場景、成本效益以及未來發(fā)展趨勢等。

2024-07-29 標簽：驅(qū)動器 NAND FlaSh 2503 0

NAND Flash與NOR Flash：壞塊管理需求的差異解析

NOR Flash和NAND Flash是兩種不同類型的閃存技術(shù)，它們在存儲單元的連接方式、耐用性、壞塊管理等方面存在差異。

2024-07-10 標簽：mcu NAND FlaSh 3261 0

貼片式SD卡功能介紹【MK SD NAND】

SDNAND，通常稱為嵌入式SD卡、貼片式TF卡、SD Flash、直接貼裝SD卡、貼裝卡、焊接式存儲卡、工業(yè)級TF卡、工業(yè)級SD卡或內(nèi)置SD卡，是為空...

2024-07-05 標簽：mcu NAND SD卡 1590 0

掌握 SD NAND 貼片的重要注意事項

1、SD NAND回流焊的最高溫度不能超過260°（無鉛焊錫）.回流焊的參數(shù)設(shè)置還需要根據(jù)焊錫的熔點和板子的其他元器件回流焊參數(shù)來設(shè)置。如果使用含鉛焊錫...

2024-06-27 標簽：NAND 貼片虛焊 640 0

【GD32F303紅楓派開發(fā)板使用手冊】第二十講 SPI-SPI NAND FLASH讀寫實驗

通過本實驗主要學(xué)習(xí)以下內(nèi)容： ?SPI通信協(xié)議，參考19.2.1東方紅開發(fā)板使用手冊 ?GD32F303 SPI操作方式，參考19.2.2東方紅開發(fā)板...

2024-06-20 標簽：單片機 NAND FlaSh 1842 0

SD NAND異常問題案例——文件系統(tǒng)篇

近期，有用戶在使用SD NAND中出現(xiàn)芯片出現(xiàn)讀寫異?，F(xiàn)象，我們工程師對出現(xiàn)異常的3片芯片進行分析，發(fā)現(xiàn)3片均能正常讀卡，里面的文件大多數(shù)可以正常讀取，...

2024-06-14 標簽：芯片 NAND 文件系統(tǒng) 905 0

深入解析MK米客方德 SD NAND與文件系統(tǒng)

MK米客方德的SD NAND，一款基于NAND閃存技術(shù)的創(chuàng)新存儲解決方案，因其卓越的耐用性和小巧的體積，在市場中贏得了廣泛的認可。這款產(chǎn)品遵循SD協(xié)會制...

2024-06-07 標簽：單片機 NAND STM32 970 0

關(guān)于SD NAND（貼片式TF卡）壞塊管理技術(shù)問答

每個Nand包含一個或多個Chip。Chip是可以獨立執(zhí)行命令并上報狀態(tài)的最小單元。每個Chip包含一個或多個plane。不同的plane間可以并發(fā)操...

2024-06-06 標簽：NAND 壞塊管理 TF卡 1457 0

SD NAND 簡介

SD NAND是一種創(chuàng)新的存儲芯片，可直接貼片，又名貼片式TF卡、貼片式T卡、貼片式SD卡、貼片式內(nèi)存卡、SD Flash、Nand Flash等。它將...

2024-05-29 標簽：NAND SD卡存儲芯片 1818 0

三星宣布量產(chǎn)第九代V-NAND芯片，位密度提升50%

在技術(shù)層面，第九代V-NAND無疑展現(xiàn)出了三星的卓越技術(shù)實力。它采用了雙重堆疊技術(shù)，在原有的旗艦V8閃存236層的基礎(chǔ)上，再次實現(xiàn)了技術(shù)上的重大突破，堆...

2024-04-28 標簽：NAND TLC V-NAND 1530 0

在i.MXRT1xxx系列上用NAND型啟動設(shè)備時可用兩級設(shè)計縮短啟動時間

去年痞子衡寫過一篇騷操作文章《借助i.MXRT10xx系列INIT_VTOR功能可以縮短程序熱重啟時間》，這對于 NAND 型啟動設(shè)備上程序熱重啟時間...

2024-05-01 標簽：NAND Vcc emmc 1153 0

3D NAND的主要工藝流程

3DNAND絕對是芯片制程的天花板，三星，海力士，英特爾，長江存儲等都有3DNAND的產(chǎn)線，代表了一個國家的芯片制造水平。今天，我們就來剖析一下3DNA...

2024-04-17 標簽：芯片 NAND 3D 1885 0

韓國研究團隊開發(fā)新型超低功耗存儲設(shè)備

DRAM是最常用的存儲器之一，速度非?？欤哂幸资蕴匦?，當電源關(guān)閉時，數(shù)據(jù)會消失。NAND閃存是一種存儲設(shè)備，讀/寫速度相對較慢，但它具有非易失性特...

2024-04-08 標簽：閃存 DRAM NAND 518 0

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