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標(biāo)簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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四家存儲(chǔ)器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術(shù)和成本分析
每家制造商實(shí)施不同的技術(shù)手段,改變存儲(chǔ)類型和存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì),并在每一代產(chǎn)品中堆疊更多層,以增加比特密度,減小芯片尺寸。存儲(chǔ)單元架構(gòu)的技術(shù)變化和基本存儲(chǔ)器特...
如何在U-Boot中實(shí)現(xiàn)對(duì)Yaffs鏡像的設(shè)計(jì)?
U-Boot是目前廣泛使用的嵌入式操作系統(tǒng)通用引導(dǎo)程序,具有功能豐富強(qiáng)大,支持多種操作系統(tǒng)和CPU體系,易于功能擴(kuò)展和移植,源碼開(kāi)放等多種優(yōu)點(diǎn)。U-Bo...
基于NAND FLASH控制器的自啟動(dòng)方式實(shí)現(xiàn)SOC系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
本文所討論的NAND FLASH控制器是針對(duì)一款基于ARM7TDMI的SoC芯片,該控制器在芯片中的位置如圖1所示,作為AMBA總線上的一個(gè)從設(shè)備集成于...
基于NAND FLASH存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)在系統(tǒng)中的讀寫和控制
NAND寫回速度快、芯片面積小,特別是大容量使其優(yōu)勢(shì)明顯。頁(yè)是NAND中的基本存貯單元,一頁(yè)一般為512 B(也有2 kB每頁(yè)的large page N...
大容量存儲(chǔ)器TC58DCG02A1FT00的引腳功能、特點(diǎn)及應(yīng)用分析
此外,NAND的實(shí)際應(yīng)用方式要比NOR復(fù)雜得多。NOR可以直接使用,并在上面直接運(yùn)行代碼。而NAND需要I/O接口,因此使用時(shí)需要驅(qū)動(dòng)程序。不過(guò)當(dāng)今流行...
2020-05-26 標(biāo)簽:nand存儲(chǔ)器操作系統(tǒng) 2578 0
NEC 78F單片機(jī) / RL78開(kāi)發(fā)板 Nand Flash 連續(xù)讀寫,頁(yè)編程,頁(yè)擦除演示操作視頻。Nand Flash有一個(gè)特性,它并不能保證所有B...
層數(shù)的增加也就意味著對(duì)工藝、材料的要求會(huì)提高,要想達(dá)到140層堆疊就必須使用新的基礎(chǔ)材料。而且在堆疊層數(shù)增加的時(shí)候,存儲(chǔ)堆棧的高度也在增大,然而每層的厚...
對(duì)于許多消費(fèi)類音視頻產(chǎn)品而言,NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案,這在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重...
利用Micron可管理NAND 適用嵌入式大容量存儲(chǔ)
與多年前相比,現(xiàn)在的移動(dòng)消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜,功能豐富,能夠存儲(chǔ)大量音樂(lè)、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是,存儲(chǔ)系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)能夠適應(yīng)這些新的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用...
什么是閃存顆粒?2D NAND和3D NAND間的區(qū)別跟聯(lián)系又是什么?
如果用一個(gè)詞來(lái)描述2016年的固態(tài)硬盤市場(chǎng)的話,那么閃存顆粒絕對(duì)是會(huì)被提及的一個(gè)關(guān)鍵熱詞。在過(guò)去的2016年里,圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事,包括閃...
3D XPoint的原理解析 NAND和DRAM為什么拼不過(guò)它
3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來(lái),最具突破性的一項(xiàng)存儲(chǔ)技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢(shì),3D Xpoint被看做是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者:...
3D NAND與2D NAND之間的區(qū)別聯(lián)系對(duì)比
如果用一個(gè)詞來(lái)描述2016年的固態(tài)硬盤市場(chǎng)的話,那么閃存顆粒絕對(duì)是會(huì)被提及的一個(gè)關(guān)鍵熱詞。在過(guò)去的2016年里,圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事,包括閃...
指定了SDRAM卻燒寫到了Nand flash的詳細(xì)分析
要解答這個(gè)問(wèn)題,首先要從Nand flash本身的結(jié)構(gòu)說(shuō)起。Nand flash的結(jié)構(gòu)和RAM不一樣,它的數(shù)據(jù)線是復(fù)用的,內(nèi)與足夠的地址線用來(lái)尋址,對(duì)于...
基于NAND Flash的閃存轉(zhuǎn)譯層設(shè)計(jì)
本文設(shè)計(jì)了一種針對(duì)NAND型的閃存轉(zhuǎn)譯層,使NFTL完成地址映射和壞塊管理以及連續(xù)讀寫數(shù)據(jù)的操作。對(duì)NAND Flash的分區(qū)設(shè)計(jì),使塊管理結(jié)構(gòu)清晰,...
如何挑選SSD 三個(gè)標(biāo)準(zhǔn)可以參考
NAND閃存閃存技術(shù)不斷成長(zhǎng),從單一Cell單元存儲(chǔ)1bit(比特)的SLC,發(fā)展到單一Cell存儲(chǔ)2bit的MLC,再到目前主流的單一Cell存儲(chǔ)3b...
2018-04-26 標(biāo)簽:nandssd長(zhǎng)江存儲(chǔ) 6811 0
Nand-flash存儲(chǔ)器工作原理及其操作實(shí)例(以K9F1208UOB為例)
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NORflash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)...
2017-10-11 標(biāo)簽:nandflash存儲(chǔ)器k9f1208uob 2.3萬(wàn) 0
NAND FLASH被廣泛應(yīng)用于電子系統(tǒng)中作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應(yīng)用。FPGA靈活的硬件邏輯能實(shí)現(xiàn)對(duì)NA...
Nand Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于...
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