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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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TPS22924B 3.6V、2A、18.3mΩ 負載開關(guān),輸出放電和 3.6V 時上升時間為 100μs數(shù)據(jù)手冊
TPS22924x 是一款小型低 R~上~帶受控轉(zhuǎn)數(shù)的負載開關(guān) 上。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 0.75 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作 至...
2025-05-13 標簽:MOSFETNMOS負載開關(guān) 241 0
LM5050-1 5V 至 75V 400uA IQ 或運算 FET 控制器數(shù)據(jù)手冊
LM5050-1/-Q1 高側(cè) OR-ing FET 控制器在與電源串聯(lián)時與外部 MOSFET 一起作為理想二極管整流器運行。該 ORing 控制器允許...
TPS24710 2.5V 至 18V 熱插拔控制器,具有故障輸出的功率限制數(shù)據(jù)手冊
TPS24710/11/12/13 是一款易于使用的 2.5 V 至 18 V 熱插拔控制器,可安全地 驅(qū)動外部 N 溝道 MOSFET。可編程電流限制...
TPS22920 具有輸出放電的 3.6V、4A、5.3mΩ 負載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22920x 是一款節(jié)省空間的小型負載開關(guān) 具有受控導通功能,以減少浪涌電流。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可以 在 0.75 V 至 ...
2025-05-13 標簽:MOSFETNMOS負載開關(guān) 209 0
TPS22913 具有輸出放電的 5.5V、2A、60mΩ 負載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22910A、TPS22912C 和 TPS22913B/C 小,低 r~上~負荷 具有受控打開功能的開關(guān)。該器件包含一個 P 溝道 MOSFET...
2025-05-13 標簽:MOSFET負載開關(guān)輸入電壓 316 0
TPS22933 具有 LDO 的 3 輸入、2.5V 至 12V、2.4 Ω、0.05A 功率多路復用器數(shù)據(jù)手冊
TPS22933設備體積小,性能低 ~上~ 、三重輸入功率 具有自動輸入選擇和低壓差線性穩(wěn)壓器的多路復用器。該設備包含三個 P 溝道 MOSFET,可在...
2025-05-13 標簽:MOSFETldo線性穩(wěn)壓器 253 0
LM5051系列 -6V 至 -100V 690uA IQ 或運算 FET 控制器數(shù)據(jù)手冊
LM5051 低側(cè) OR-ing FET 控制器與外部 MOSFET 配合使用 與電源串聯(lián)時用作理想二極管整流器。這個 OR-ing 控制器 允許 MO...
TPS22910A 具有低電平有效使能的 5.5V、2A、60mΩ 負載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22910A、TPS22912C 和 TPS22913B/C 小、低 r~上~負荷 具有受控打開功能的開關(guān)。該器件包含一個 P 溝道 MOSFET...
2025-05-13 標簽:MOSFET電阻器負載開關(guān) 222 0
TPS22929D 具有輸出放電的 5.5V、1.8A、115mΩ 負載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22929D是一個小型的、低的r~上~帶受控轉(zhuǎn)數(shù)的負載開關(guān) 上。該器件包含一個 P 溝道 MOSFET,可在 1.4 V 至 5.5 伏。該開關(guān)由...
2025-05-13 標簽:MOSFET電阻器負載開關(guān) 251 0
TPS22912C 具有高電平有效啟用的 5.5V、2A、60mΩ 負載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22910A、TPS22912C 和 TPS22913B/C 小、低 r~上~負荷 具有受控打開功能的開關(guān)。該器件包含一個 P 溝道 MOSFET...
2025-05-13 標簽:MOSFET電阻器負載開關(guān) 310 0
TPS22966 2 通道、5.5V、6A、16mΩ 負載開關(guān),具有可調(diào)上升時間和輸出放電數(shù)據(jù)手冊
TPS22966 是一個小而低的 R ~上~ ,帶受控導通的雙通道負載開關(guān)。該設備包含 兩個 N 溝道 MOSFET,可在 0.8 V 至 5.5 V ...
2025-05-13 標簽:MOSFET負載開關(guān)輸入電壓 219 0
TPS22908 具有輸出放電的 3.6V、1A、28mΩ 負載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22908 是一個小而低的 R~上~帶受控轉(zhuǎn)數(shù)的負載開關(guān) 上。該器件包含一個 P 溝道 MOSFET,可在 1 V 至 3.6 的輸入電壓范圍內(nèi)工...
2025-05-13 標簽:MOSFET負載開關(guān)輸入電壓 271 0
TPS2456A 8.5V 至 15V 雙通道熱插拔,具有 Oring 和 Impro-Ved 轉(zhuǎn)換速率抗擾度數(shù)據(jù)手冊
TPS2456A 是雙通道 12 V 保護(熱插拔)和阻塞 (ORing) 控制器,提供浪涌控制、電流限制、過載保護和反向電流 阻塞。電流檢測拓撲結(jié)構(gòu)提...
TPS22965 具有可調(diào)上升時間和可選輸出放電的 5.7V、6A、16mΩ 負載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22965x 是一款單通道負載開關(guān),可提供可配置的上升時間 最大限度地減少浪涌電流。該器件包含一個可在輸入上工作的 N 溝道 MOSFET 電壓范...
2025-05-13 標簽:MOSFET電阻器負載開關(guān) 274 0
TPS22930A 5.5V、2A、35mΩ 負載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22930 是一個小而低的 R~上~帶受控開啟的負載開關(guān)。該器件包含一個 P 溝道 MOSFET,可在 1.4 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍...
2025-05-12 標簽:MOSFET封裝負載開關(guān) 308 0
LM25066IA 具有 I2C 和 PMBus 的 2.9V 至 17V 熱插拔控制器數(shù)據(jù)手冊
雖然 LM25066I/A 在功能上與 LM25066/A 相似,但 LM25066I/A 完全 符合 Intel Node Manager 2.0、2...
TPS22924D 3.6V、2A、18.3mΩ 負載開關(guān),3.6V 時具有 6200μs 的輸出放電和上升時間數(shù)據(jù)手冊
TPS22924D 是一個小而低的 R~上~帶受控轉(zhuǎn)數(shù)的負載開關(guān) 上。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 0.75 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作 ...
LM5050-1-Q1 汽車類 5V 至 75V 400uA IQ 或運算 FET 控制器數(shù)據(jù)手冊
LM5050-1/-Q1 高側(cè) OR-ing FET 控制器在與電源串聯(lián)時與外部 MOSFET 一起作為理想二極管整流器運行。該 ORing 控制器允許...
TPS22964C 具有輸出放電的 5.5V、3A、14mΩ 負載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22963/64 是一款小型、超低的 R~上~負載開關(guān) 受控打開。該設備包含低 R~DSON 系列~N 溝道 MOSFET 可在 1 V 至 5....
2025-05-12 標簽:MOSFETNMOS負載開關(guān) 244 0
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