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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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思睿達(dá)CR6267SK與X1135N有區(qū)別?測(cè)試報(bào)告新鮮出爐
上一篇報(bào)告我們將思睿達(dá)主推的CR6248和XX33AP進(jìn)行了對(duì)比,得出的結(jié)論是思睿達(dá)主推的CR6248會(huì)比XX33AP的效率高,功耗小。本篇文章,我們將...
電源IC用來(lái)降壓及穩(wěn)定控制的各種引腳部件
FB(反饋信號(hào)輸入)引腳通過(guò)光電耦合器來(lái)監(jiān)測(cè)二次側(cè)輸出電壓,從而實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定控制。ZT(過(guò)零電流檢測(cè))引腳通過(guò)VCC繞組檢測(cè)開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)線圈中積蓄的電力被供應(yīng)...
MOS管開(kāi)關(guān)電路在分立設(shè)計(jì)里面應(yīng)用非常廣泛,包括邏輯控制,電源切換,負(fù)載開(kāi)關(guān)等,在一些電路巧妙設(shè)計(jì)上具有非常大的創(chuàng)新性。
上節(jié)課我們講了MOSFET的前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路,同時(shí)也說(shuō)到了這個(gè)芯片在第一次初始上電的時(shí)候,是如何進(jìn)行啟動(dòng)的。
我們?cè)O(shè)計(jì)的這個(gè)Buck方案中對(duì)事件的最小開(kāi)關(guān)時(shí)間是有要求的,這是第一點(diǎn),第二點(diǎn)就是開(kāi)關(guān)電源的頻率是有要求的,雖然可以稍低一點(diǎn),但是電感要大,開(kāi)關(guān)頻率低了...
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上,經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜,襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片,可進(jìn)...
開(kāi)關(guān)電源和線性電源差異 開(kāi)關(guān)電源220v轉(zhuǎn)24v原理
開(kāi)關(guān)電源使用開(kāi)關(guān)器件(如晶體管、功率MOSFET等)來(lái)快速切換電源電壓或電流,并通過(guò)濾波電路將輸出電壓調(diào)整為需要的直流電壓。開(kāi)關(guān)電源利用開(kāi)關(guān)的快速切換和...
2023-09-18 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源濾波電路 7817 0
在一般的系統(tǒng)中,電源(包括電池)能否保持穩(wěn)定供電是極其重要的。因此,要花很長(zhǎng)的時(shí)間進(jìn)行電源測(cè)試時(shí),讓電源連接什么樣的負(fù)載就成了一個(gè)問(wèn)題。
電池保護(hù)板過(guò)充過(guò)放保護(hù)原理
如今社會(huì)電子化越來(lái)越普遍,也越來(lái)越多的產(chǎn)品內(nèi)部集成了電池,電池是一種通過(guò)內(nèi)部材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生電能的器件
大功率寬帶MOSFET運(yùn)算放大器PA85的性能特點(diǎn)和典型應(yīng)用分析
PA85是Apex公司生產(chǎn)的高電壓、大功率寬帶MOSFET運(yùn)算放大器,它在安全操作區(qū)(SOA)沒(méi)有二次擊穿的限制,通過(guò)選擇合適的限流電阻可在任何負(fù)載下選...
2020-08-19 標(biāo)簽:mosfet半導(dǎo)體運(yùn)算放大器 7761 0
思睿達(dá)CR6889B方案能否替換XX11?測(cè)試數(shù)據(jù)分析
我們將為大家?guī)?lái)思睿達(dá)主推的CR6889B替換XX11對(duì)比 測(cè)試 報(bào)告。話不多說(shuō),我們先了解下思睿達(dá)CR6889B的大概內(nèi)容吧! CR6889B芯片特性...
溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進(jìn)的技術(shù),指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小,與平面柵相比,溝槽柵MOSFET...
電機(jī)驅(qū)動(dòng)短路保護(hù)時(shí)間設(shè)定的技術(shù)指標(biāo)
通常采用MOSFET飽和的短路電流,使用單脈沖持續(xù)的時(shí)間來(lái)評(píng)估功率MOSFET抗短路沖擊的性能。從圖3的應(yīng)用測(cè)試波形可以看到,在短路過(guò)程中,發(fā)生了連續(xù)多...
2018-04-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng) 7738 0
MOSFET的絕對(duì)最大額定值相關(guān)參數(shù)
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列第三篇,主要介紹絕對(duì)最大額定值相關(guān)的參數(shù)。 主要包括VDS、VGS、ID、IDM、IAS、EAS、PD、T...
作為有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)方法的最后一篇文章,本文將介紹通過(guò)有刷電機(jī)“單開(kāi)關(guān)電路”和“半橋電路”進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的方法。兩種方法均適用直流驅(qū)動(dòng)和PWM驅(qū)動(dòng)。
近年來(lái),以碳化硅、氮化鎵材料為代表的第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件越來(lái)越受到客戶的追捧。特別是碳化硅材料的MOSFET、肖特基二極管,以其寬帶隙,高電場(chǎng)強(qiáng)度...
功率器件被稱為功率電子器件,即具有處理高電壓和高電流能力的功率型半導(dǎo)體器件。它是電子部件和電子設(shè)備-發(fā)電機(jī)的統(tǒng)稱。功率放大是晶體管的電流控制效果或F...
2023-02-07 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器功率器件 7641 0
SiC MOSFET的EMI和開(kāi)關(guān)損耗解決方案解析
碳化硅(SiC)MOSFET的快速開(kāi)關(guān)速度,高額定電壓和低RDSon使其對(duì)于不斷尋求在提高效率和功率密度的同時(shí)保持系統(tǒng)簡(jiǎn)單性的電源設(shè)計(jì)人員具有很高的吸引力。
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