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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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深入剖析!捷捷微器件在高速吹風(fēng)機(jī)中的關(guān)鍵技術(shù)應(yīng)用
在追求高效生活與精致護(hù)理的當(dāng)下,高速吹風(fēng)機(jī)憑借其卓越性能,迅速成為眾多消費(fèi)者的心頭好。你可曾想過(guò),在這小小吹風(fēng)機(jī)高效運(yùn)行、呵護(hù)秀發(fā)的背后,有著怎樣的關(guān)鍵...
2025-06-11 標(biāo)簽:MOSFET吹風(fēng)機(jī)捷捷微電 187 0
LM3102系列 同步 1MHz 2.5A 降壓穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM3102 同步整流降壓轉(zhuǎn)換器具有實(shí)現(xiàn)高效且經(jīng)濟(jì)高效的降壓穩(wěn)壓器所需的所有功能。該器件可為輸出電壓低至 0.8 V 的負(fù)載提供 2.5 A 的電流。雙...
TPS54618 2.95V 至 6V 輸入、6A、同步降壓 SWIFT? 轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS54618 器件是一款功能齊全的 6V、6A、同步降壓電流模式轉(zhuǎn)換器,具有兩個(gè)集成 MOSFET。 該 TPS54618 通過(guò)集成 MOSF...
UCC21732-Q1 汽車(chē)類(lèi) 5.7kVrms ±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21732-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,專(zhuān)為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì),具有先進(jìn)的保...
LM22670-Q1 3A 簡(jiǎn)單開(kāi)關(guān)器、具有同步或可調(diào)開(kāi)關(guān)頻率的降壓穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM22670 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器提供實(shí)現(xiàn) 高效的高壓降壓 (Buck) 穩(wěn)壓器,使用最少的外部元件。這很簡(jiǎn)單 使用穩(wěn)壓器包含一個(gè) 42 V N 溝道 MOSF...
2025-07-16 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器元件 182 0
LM5575-Q1系列 75V、1.5A 降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5575-Q1 是一款易于使用的降壓穩(wěn)壓器,允許設(shè)計(jì)工程師使用最少的組件來(lái)設(shè)計(jì)和優(yōu)化穩(wěn)健的電源。LM5575-Q1 的輸入電壓范圍為 6V 至 75...
2025-07-16 標(biāo)簽:MOSFET降壓穩(wěn)壓器輸入電壓 180 0
LM25576 4.5V 至 42V、3A 降壓型 DC/DC 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
該LM25576是一款易于使用的降壓穩(wěn)壓器,允許設(shè)計(jì)工程師使用最少的組件集來(lái)設(shè)計(jì)和優(yōu)化穩(wěn)健的電源。該LM25576在 6 V 至 42 V 的輸入電壓范...
2025-07-18 標(biāo)簽:MOSFETemi開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 179 0
LM22677-Q1 5A 簡(jiǎn)單開(kāi)關(guān),具有同步或可調(diào)開(kāi)關(guān)頻率的降壓電壓調(diào)節(jié)數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM22677 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器提供實(shí)現(xiàn) 高效的高壓降壓 (Buck) 穩(wěn)壓器,使用最少的外部元件。這 易于使用的穩(wěn)壓器包含一個(gè) 42V N 溝道 MOSFE...
2025-07-16 標(biāo)簽:MOSFET輸出電壓降壓穩(wěn)壓器 176 0
TPS62110-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品 17 V、1.5 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS6211x 器件是一系列低噪聲同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器,非常適合由 2 節(jié)鋰離子電池或 12V 或 15V 電源軌供電的系統(tǒng)。 TPS621...
TPS54340 42 V 輸入、3.5 A、帶 Eco 模式?的降壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS54340 是一款 42 V、3.5 A 降壓穩(wěn)壓器,集成了高壓側(cè) MOSFET。該器件可承受高達(dá) 45 V 的負(fù)載突降脈沖,符合 ISO 763...
2025-06-30 標(biāo)簽:MOSFETDC-DC降壓穩(wěn)壓器 175 0
同步整流MOSFET的設(shè)計(jì)要點(diǎn)與效率提升技巧
在現(xiàn)代高效率電源系統(tǒng)中,同步整流技術(shù)已成為主流選擇,尤其是在DC-DC變換器、USB快充適配器、服務(wù)器電源和車(chē)載電源等場(chǎng)景中。同步整流相比傳統(tǒng)的肖特基二...
TPS65266 2.7V 至 6.5V 輸入電壓、3A/2A/2A 輸出電流同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
該TPS65266集成了 3 個(gè)通道的高效同步降壓轉(zhuǎn)換器,用于 使用適配器或電池工作且輸入電壓低于 6.5 V 的應(yīng)用。 降壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器...
并聯(lián)MOSFET設(shè)計(jì)指南:均流、寄生參數(shù)與熱平衡
在現(xiàn)代高效電源設(shè)計(jì)中,MOSFET并聯(lián)技術(shù)廣泛應(yīng)用于要求大電流承載能力的電路中,如電動(dòng)汽車(chē)、電源供應(yīng)、功率放大器等。通過(guò)并聯(lián)多個(gè)MOSFET,可以大幅提...
TPS54332 具有 Eco 模式的 3.5V 至 28V 輸入、3.5A、1MHz 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS54332 是一款 28V、3.5A 非同步降壓轉(zhuǎn)換器,集成了低 R DS(on) 高側(cè) MOSFET。為了提高輕負(fù)載時(shí)的效率,脈沖跳躍 Eco ...
辰達(dá)MOSFET在DC-DC變換器中的關(guān)鍵作用與優(yōu)化策略
一、MOSFET在DC-DC變換器中的關(guān)鍵作用開(kāi)關(guān)功能DC-DC變換器的核心工作原理是通過(guò)高頻開(kāi)關(guān)操作將輸入直流電壓轉(zhuǎn)換為所需的輸出直流電壓。MOSFE...
浮思特 | 一文讀懂何為超結(jié)MOSFET (Super Junction MOSFET)?
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,突破硅材料的物理極限一直是工程師們的終極挑戰(zhàn)。隨著電力電子設(shè)備向高壓、高效方向快速發(fā)展,傳統(tǒng)MOSFET結(jié)構(gòu)已逐漸觸及性能天花板。本文...
2025-06-25 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體超結(jié)器件 165 0
Texas Instruments TPS4810-Q1智能高側(cè)驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
Texas Instruments TPS4810-Q1智能高側(cè)驅(qū)動(dòng)器是一款100V、低I~Q~ 器件,與TPS1210-Q1驅(qū)動(dòng)器引腳對(duì)引腳兼容。這款...
2025-07-07 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器 162 0
TPS62113 采用 QFN-16 封裝,具有 LBI 功能的 1.5A、17Vin 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS6211x 器件是低噪聲同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器系列 非常適合由 2 至 4 節(jié)鋰離子電池或 12V 或 15 V 電源軌。 TPS6211...
瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(2)
瑞能G3 超結(jié)MOSFET Analyzation 瑞能超結(jié)MOSFET “表現(xiàn)力”十足 可靠性表現(xiàn) ? ? 可靠性保障 ?瑞能?chē)?yán)謹(jǐn)執(zhí)行三批次可靠性測(cè)試...
2025-05-22 標(biāo)簽:MOSFET數(shù)據(jù)中心瑞能半導(dǎo)體 160 0
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