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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

解決電池組件中過(guò)量電流“泄漏”問(wèn)題

解決電池組件中過(guò)量電流“泄漏”問(wèn)題

很多現(xiàn)代便攜式設(shè)備發(fā)貨時(shí)都必須安裝電池,以便客戶無(wú)需電池安裝或充電便可立即開(kāi)啟設(shè)備。如果連接至電池的組件有過(guò)量電流泄漏,那設(shè)備到客戶手中時(shí)可能就沒(méi)電了。...

2018-04-12 標(biāo)簽:MOSFET電源管理tps3420 9683 0

一種先進(jìn)的利用電流檢測(cè)端子實(shí)現(xiàn)的全SiC模塊過(guò)流和短路保護(hù)方法

一種先進(jìn)的利用電流檢測(cè)端子實(shí)現(xiàn)的全SiC模塊過(guò)流和短路保護(hù)方法

采用電流檢測(cè)并用于FMF800DX-24A的先進(jìn)保護(hù)方法是通過(guò)參考設(shè)計(jì)RDHP-1417來(lái)實(shí)現(xiàn)的(其采用驅(qū)動(dòng)核2SC0435T)[4][5],并包括過(guò)壓...

2018-04-10 標(biāo)簽:電流MOSFETSiC 9026 0

傳導(dǎo)EMI問(wèn)題為何都是由共模噪聲引起

傳導(dǎo)EMI問(wèn)題為何都是由共模噪聲引起

大部分傳導(dǎo) EMI 問(wèn)題都是由共模噪聲引起的。而且,大部分共模噪聲問(wèn)題都是由電源中的寄生電容導(dǎo)致的。 對(duì)于該討論主題的第 1 部分,我們著重討論當(dāng)寄生電...

2018-04-10 標(biāo)簽:MOSFETemiCMC 2.5萬(wàn) 0

采用東芝DTMOSIV超級(jí)結(jié)MOSFET來(lái)解決這些問(wèn)題

功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用電路的基本元件主要有MOSFET和快速恢復(fù)二極管。MOSFET和恢復(fù)二極管對(duì)于采用全橋或零電壓開(kāi)關(guān)/相移拓?fù)涞碾娦藕头?wù)器電源、全橋電機(jī)控制...

2018-04-08 標(biāo)簽:MOSFET東芝功率開(kāi)關(guān) 5199 0

介紹幾個(gè)模塊電源中常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

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分享到 MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探...

2018-04-05 標(biāo)簽:MOSFET電源管理 3.7萬(wàn) 3

東芝的創(chuàng)新型雙面散熱MOSFET封裝DSOP Advance

東芝的創(chuàng)新型雙面散熱MOSFET封裝DSOP Advance

電源系統(tǒng)中的主開(kāi)關(guān)器件是低電壓功率MOSFET,這些系統(tǒng)需要的功率密度正在不斷增加。為減小系統(tǒng)體積和功率損失,需要大力改進(jìn)MOSFET的封裝散熱性。通過(guò)...

2018-04-04 標(biāo)簽:MOSFET東芝 1.3萬(wàn) 0

超級(jí)結(jié)MOSFET開(kāi)關(guān)速度和導(dǎo)通損耗問(wèn)題

超級(jí)結(jié)MOSFET開(kāi)關(guān)速度和導(dǎo)通損耗問(wèn)題

利用仿真技術(shù)驗(yàn)證了由于源極LSource生成反電動(dòng)勢(shì)VLS,通過(guò)MOSFET的電壓并不等于全部的驅(qū)動(dòng)電壓VDRV。MOSFET導(dǎo)通時(shí)3引腳封裝的反電動(dòng)勢(shì)...

2018-03-30 標(biāo)簽:MOSFET封裝柵極驅(qū)動(dòng) 1.2萬(wàn) 0

電源IC與MOS管選定后,選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路很關(guān)鍵

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MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOS...

2018-03-28 標(biāo)簽:MOSFET電源管理驅(qū)動(dòng)電路 1.6萬(wàn) 0

兩個(gè)MOSFET串聯(lián)在半橋時(shí),電流的限制很關(guān)鍵

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當(dāng)兩個(gè)MOSFET串聯(lián)在串聯(lián)(半橋)時(shí),請(qǐng)注意電流的限制,而這些限制并不總是在每個(gè)MOSFET都提供.

2018-03-26 標(biāo)簽:MOSFET 1.6萬(wàn) 0

電源產(chǎn)品設(shè)計(jì),如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理

我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理,而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始...

2018-03-19 標(biāo)簽:MOSFET電源管理傳導(dǎo)損耗 6018 0

巧用IC負(fù)載開(kāi)關(guān)的特性來(lái)安全地降低功耗

巧用IC負(fù)載開(kāi)關(guān)的特性來(lái)安全地降低功耗

為了最大限度地降低功耗,一個(gè)簡(jiǎn)單的MOSFET通常用于為未使用的電路提供電源。 然而,更好的選擇是使用負(fù)載開(kāi)關(guān),因?yàn)樗哂蓄~外的功能來(lái)處理電源軌管理的許...

2018-03-16 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開(kāi)關(guān)低功耗 1.2萬(wàn) 0

由于繼電器的振動(dòng),MOSFET也可以在開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)被破壞

由于繼電器的振動(dòng),MOSFET也可以在開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)被破壞

當(dāng)MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí),開(kāi)關(guān)的開(kāi)啟會(huì)導(dǎo)致MOSFET的破壞:由于機(jī)械開(kāi)關(guān)的短暫時(shí)間,高的dvdt會(huì)激活在MOSFET中包含的寄生晶體管。浪涌的能量...

2018-03-16 標(biāo)簽:繼電器mosfet 1.0萬(wàn) 1

汽車工業(yè)領(lǐng)域定義并構(gòu)建基于48V電池系統(tǒng)

汽車工業(yè)的電氣化以不斷增長(zhǎng)的速度發(fā)展,主要受政府頒布關(guān)于二氧化碳(CO2)減排標(biāo)準(zhǔn)的驅(qū)動(dòng)。歐盟制定了到2020年新車排放量?jī)H有95g/km的目標(biāo)。中國(guó)等...

2018-03-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLM5170 8522 0

介紹一種模擬控制器最合適控制方案

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48V-12V雙電池電源系統(tǒng)正普通用于輕度混合動(dòng)力電動(dòng)車。車輛的動(dòng)態(tài)工作條件可能需要在兩個(gè)電池軌道之間來(lái)回傳送高達(dá)10kW的電功率。由于移動(dòng)車輛中的各種...

2018-03-12 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)控制脈沖寬度調(diào)制 1.0萬(wàn) 1

MOSFET選型注意事項(xiàng)及應(yīng)用實(shí)例

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一般IC的PWM OUT輸出內(nèi)部集成了限流電阻,具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動(dòng)輸出能力有關(guān),可以近似認(rèn)為R=Vcc/Ipeak.一般結(jié)合IC驅(qū)動(dòng)能力 Rg...

2018-03-10 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源控制電路 1.3萬(wàn) 0

淺談焊盤(pán)上是否可以打孔及打孔的注意事項(xiàng)

“立碑”現(xiàn)象常發(fā)生在CHIP元件(如貼片電容和貼片電阻)的回流焊接過(guò)程中,元件體積越小越容易發(fā)生。特別是1005或更小釣0603貼片元件生產(chǎn)中,很難消除...

2018-03-20 標(biāo)簽:mosfet焊盤(pán) 2.7萬(wàn) 0

P溝道和N溝道MOSFET在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用

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MOSFET多數(shù)是載流子器件, N溝道MOSFET在導(dǎo)電過(guò)程中有電子流動(dòng)。 P溝道在導(dǎo)電期間使用被稱為空穴的正電荷。電子的流動(dòng)性是空穴的三倍。盡管沒(méi)有直...

2018-03-09 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源 2.3萬(wàn) 0

USB OTG Vbus電源框圖及應(yīng)用方案

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通用串行總線即USB已經(jīng)流行許久; 起初USB設(shè)備便具有主設(shè)備和從設(shè)備之分:傳輸?shù)臄?shù)據(jù)來(lái)自主設(shè)備如電腦,數(shù)據(jù)傳輸至從設(shè)備如手機(jī)、鼠標(biāo)或鍵盤(pán)。但隨著消費(fèi)電...

2018-03-09 標(biāo)簽:MOSFET便攜式設(shè)備TPS61230A 1.9萬(wàn) 0

設(shè)計(jì)一款由12V鉛酸電池,直接供電的12V汽車音響系統(tǒng)

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汽車系統(tǒng)需要承受高溫差、極端輸入瞬變和其它多種干擾的影響。汽車中幾乎所有的電子產(chǎn)品都需經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試,以符合汽車電子委員會(huì)(AEC)規(guī)定的質(zhì)量體系標(biāo)準(zhǔn)和...

2018-03-09 標(biāo)簽:MOSFET汽車電子升壓轉(zhuǎn)換器 1.2萬(wàn) 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫(xiě),字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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