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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET是電子系統(tǒng)中的重要部件,需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇。這些關(guān)鍵指標(biāo)中,以靜態(tài)特性和動態(tài)特性更為重要,本文主要討論靜態(tài)特性。
高電流的負載點電源(POL)應(yīng)用存在著一系列的挑戰(zhàn),包括高能效、合適的功率密度、可編程性和靈活性、具有快速的瞬態(tài)響應(yīng)、嚴(yán)格的容限和精度、可靠的保護功能等...
為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動芯片,需要考慮幾個方面?
SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET在短路特性上有所差異,以英飛凌CoolSiC? 系列為例,全系列SiC MOSFET具有大約3秒的短路耐受能力。...
英飛凌公司獨特的封裝技術(shù):最新CoolMOS系列MOSFET問世
20世紀(jì)80年代末期和90年代初期發(fā)展起來的以功率MOSFET和IGBT為代表的集高頻、高壓和大電流于一身的功率半導(dǎo)體復(fù)合器件,表明傳統(tǒng)電源技術(shù)已經(jīng)進入...
利用MOSFET的線性區(qū)和飽和區(qū)與負載電阻配對來提供脈沖電流
當(dāng)一系列環(huán)境和電路設(shè)計變量影響輸出時,就很難確定具有負反饋電路的穩(wěn)定性。任何計算錯誤都會成為怪異電路行為(如振蕩和振鈴)的溫床。
這個要看生產(chǎn)制造的工藝,現(xiàn)在在一些制造比較好的工廠,對于高密度的產(chǎn)品是非常常見的,這就叫VIP via(Via in Pad),好處有:出線距離短,節(jié)省...
2018-06-03 標(biāo)簽:PCBMOSFETPCB設(shè)計 1.2萬 0
?了解如何創(chuàng)建一個設(shè)計,及運行Vout變換仿真
對于服務(wù)器、以太網(wǎng)交換機、基站、以及等云端基礎(chǔ)設(shè)施終端設(shè)備內(nèi)電源的功率密度的要求越來越高。為了應(yīng)對這一要求,將集成MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶...
隨著汽車電子系統(tǒng)中電流水平的持續(xù)增加,由于存在高功耗和散熱問題,設(shè)計師因而不再能使用傳統(tǒng)的隔離肖特基二極管。LT8672 是一款具反向電流保護功能的有源...
Microchip電源管理MCP19111-MCP87000系列產(chǎn)品
本視頻介紹了MCP19111/MCP87XXX 電源管理產(chǎn)品以及組成的靈活高校的電源方案。MCP19111是全球首款數(shù)字增強型的功率模擬轉(zhuǎn)換器,MCP8...
尚陽通科技生產(chǎn)的超級結(jié)MOSFET已經(jīng)發(fā)展到第三代技術(shù)水平
相比較于第二代產(chǎn)品,第三代N系列考慮系統(tǒng)的兼容性,可以較好的兼容客戶現(xiàn)有產(chǎn)品,滿足客戶對驅(qū)動和EMI的適應(yīng)性要求。F系列以其最優(yōu)的開關(guān)速度,極低的柵極電...
意法半導(dǎo)體推 PWD13F60 節(jié)省電路板空間60% 還能提升最終應(yīng)用的功率密度
意法半導(dǎo)體的 PWD13F60系統(tǒng)封裝(SiP)產(chǎn)品在一個13mm x 11mm的封裝內(nèi)集成一個完整的600V/8A單相MOSFET全橋電路,能夠為工業(yè)...
2018-05-15 標(biāo)簽:mosfetemi意法半導(dǎo)體 1935 0
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