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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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通過軟件設(shè)計0.18μmH柵P-Well SOI MOSFET器件并進(jìn)行仿真實驗
近年來全球范圍內(nèi)出現(xiàn)了新一輪的太空探索熱潮,世界各主要航天大國相繼出臺了一系列雄心勃勃的航天發(fā)展規(guī)劃??臻g技術(shù)的迅猛發(fā)展,使各種電子設(shè)備已經(jīng)廣泛應(yīng)用于人...
RF功率MOSFET的性能和結(jié)構(gòu)特征及其應(yīng)用
RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期,RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSF...
通過采用CPLD芯片實現(xiàn)對MOSFET器件電路的保護(hù)設(shè)計
功率MOSFET最初是從MOS集成電路發(fā)展起來的,它通過增加源漏橫向距離提高器件耐壓,從而實現(xiàn)集成電路中高壓驅(qū)動[1].功率MOSFET已大量應(yīng)用于電力...
新型固體圖像傳感器LBCAST JFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點及功能分析
尼康公司的D2H單反數(shù)字相機(jī)中使用了一種新型的固體圖像傳感器LBCAST JFET。該器件在讀數(shù)方式、內(nèi)部結(jié)構(gòu)等方面有了較大改進(jìn),與CCD、CMOS圖像...
具有自動防擊穿保護(hù)的MOSFET器件在各種H橋配置中的應(yīng)用
MOSFET作為功率開關(guān)元件廣泛應(yīng)用于調(diào)節(jié)器和馬達(dá)控制器。在各種H橋配置中,它們不僅可是分立器件也可集成到IC。
在MOSFET器件的功率問題中如何采用反激轉(zhuǎn)換器消除米勒效應(yīng)
設(shè)計電源時,工程師常常會關(guān)注與MOSFET導(dǎo)通損耗有關(guān)的效率下降問題。在出現(xiàn)較大RMS電流的情況下, 比如轉(zhuǎn)換器在非連續(xù)導(dǎo)電模式(DCM)下工作時,若選...
2020-01-13 標(biāo)簽:電流轉(zhuǎn)換器mosfet 1906 0
在電源電路應(yīng)用中,往往首先考慮漏源電壓 VDS 的選擇。在此上的基本原則為 MOSFET 實際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書中標(biāo)稱漏...
2018-08-29 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源 8254 0
采用2SD315AI-33模塊實現(xiàn)高性能的IGBT驅(qū)動保護(hù)電路的設(shè)計
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型功率管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管...
通過采用CMOS求和比較器實現(xiàn)開關(guān)電源電流PWM控制
開關(guān)電源1是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET...
2018-12-12 標(biāo)簽:mosfet開關(guān)電源pwm 7517 0
飛兆開發(fā)出二極管的器件FDZ3N513ZT,專為智能電話的顯示屏提供照明
飛兆半導(dǎo)體 (NYSE: FCS) 開發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT,占位面積僅為1mm x 1mm。 FDZ3N5...
ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(相比第二代)ROHM第三代設(shè)計應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中,包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1...
詳細(xì)解析五種PFC的開關(guān)管驅(qū)動方案
什么是PFC? PFC(Power Factor Correction)-功率因數(shù)校正,功率因數(shù),簡單的說就是有功功率和視在功率的比值,這里的視在功率被...
MOS管的構(gòu)造及MOS管種類和結(jié)構(gòu)
實際在MOS管生產(chǎn)的過程中襯底在出廠前就和源極連接,所以在符號的規(guī)則中,表示襯底的箭頭也必須和源極相連接,以區(qū)別漏極和源極。圖1-4-(c)是P溝道MO...
在便攜和可穿戴式設(shè)備應(yīng)用的驅(qū)動下,很多設(shè)計正在朝著 3.6 伏或更低供電電壓的方向發(fā)展。但是,很多便攜式設(shè)備的某些功能又需要更高的電壓,這就要求設(shè)計人員...
本文將探討如何選擇用于熱插拔的MOSFET。對于設(shè)計師而言,關(guān)鍵的問題是FET可能會經(jīng)受的最大浪涌電流(或預(yù)計會限制到輸出)是多大,以及這種浪涌會持續(xù)多...
基于SiC材料的MOSFET的性能及SiC MOSFET的驅(qū)動設(shè)計要求
如何驅(qū)動碳化硅MOSFET以優(yōu)化高功率系統(tǒng)的性能和可靠性
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