完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
文章:5720個(gè) 瀏覽:220486次 帖子:1132個(gè)
在幾十年的時(shí)間里,制造商對(duì)基本設(shè)計(jì)進(jìn)行了改進(jìn),設(shè)置導(dǎo)通電阻和擊穿電壓的新標(biāo)準(zhǔn)。然而,這些參數(shù)通常需要在MOSFET設(shè)計(jì)中相互折衷。增加擊穿電壓的技術(shù)往往...
2019-03-13 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)器晶體管 3.9萬(wàn) 0
利用無(wú)光反激轉(zhuǎn)換器芯片簡(jiǎn)化隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)
除了用于電信和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)外,許多其他噪聲敏感應(yīng)用也需要隔離直流輸出,如汽車(chē)電池充電,各種電子負(fù)載的中間總線(xiàn)電壓和工業(yè)輸入。雖然反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在隔離式D...
2019-03-15 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器mosfet 4749 0
有源鉗位吸收器電路設(shè)計(jì)與數(shù)字實(shí)現(xiàn)方式
隨著MOSFET擊穿電壓額定值的增大,導(dǎo)通電阻也會(huì)增大。在這樣場(chǎng)景中如何消除同步整流器上的電壓尖峰和振鈴,另外有源-鉗位方案優(yōu)勢(shì)有哪些?
深入探討有源鉗位吸收器電路及其數(shù)字實(shí)現(xiàn)方式
本文將深入探討有源鉗位吸收器電路及其數(shù)字實(shí)現(xiàn)方式,該吸 收器電路可以避免電壓偏移,特別是能消除MOSFET中寄生二極 管的反向恢復(fù)損耗,還具有多種其他優(yōu)...
汽車(chē)控制單元模塊主要集中在比如電機(jī)控制、EPS、新能源車(chē)的輕混水泵、油泵等上面。富士通的代理品牌 SHINDENGEN(新電元)目前在市場(chǎng)主推的除了小功...
米勒效應(yīng)在單電源門(mén)極驅(qū)動(dòng)過(guò)程中非常顯著?;陂T(mén)極G與集電極C之間的耦合,在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv/dt,這樣會(huì)引發(fā)門(mén)極VGE間電壓升高...
2019-02-04 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 4.0萬(wàn) 0
從事開(kāi)發(fā)近20年的工程師,談開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品設(shè)計(jì)要訣!
從2000年開(kāi)始進(jìn)入開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品行業(yè),一直從事開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā),對(duì)開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品的設(shè)計(jì),產(chǎn)品制造工藝以及應(yīng)用都有豐富的經(jīng)驗(yàn)。
2019-01-08 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源電源工程師 0 0
高功率電動(dòng)機(jī)各種元件所面臨的挑戰(zhàn)
對(duì)于緊湊型且性能強(qiáng)大的電動(dòng)機(jī)的強(qiáng)烈需求給設(shè)計(jì)工程師帶來(lái)了新的挑戰(zhàn),為了最大限度的提高小型電動(dòng)機(jī)的輸出功率,工程師們正考慮采用高壓和高頻的方式。
2019-01-04 標(biāo)簽:MOSFET電動(dòng)機(jī)GaN 4710 0
SiC MOSFET進(jìn)入主流市場(chǎng),功率器件新局面正式開(kāi)啟
進(jìn)一步提高切換頻率會(huì)導(dǎo)致硅基解決方案效率與最大輸出功率迅速降低,但SiC MOSFET的低切換損耗不會(huì)有此問(wèn)題。透過(guò)此范例的證明,工作頻率高達(dá)72kHz...
美國(guó)佛羅里達(dá)大學(xué)、美國(guó)海軍研究實(shí)驗(yàn)室和韓國(guó)大學(xué)的研究人員在AIP出版的《應(yīng)用物理學(xué)》上發(fā)表了研究有關(guān),展現(xiàn)最具前景的超寬帶化合物——氧化鎵(Ga2O3)...
2018-12-28 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體 6268 0
電子開(kāi)關(guān)一種基于集成電路技術(shù)的智能型器件
AAT4610將6V/2A的P溝道MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管與柵極驅(qū)動(dòng)器、電壓基準(zhǔn)、限流比較器和欠壓閉鎖電路組合在SOT-23-5封裝中(如圖2)。其中MOS...
2018-12-06 標(biāo)簽:電路MOSFET電子開(kāi)關(guān) 5717 0
淺析MOSFET電容在LLC串聯(lián)諧振電路中的應(yīng)用
LLC的優(yōu)勢(shì)之一就是能夠在比較寬的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開(kāi)通(ZVS),MOSFET的開(kāi)通損耗理論上就降為零了。
半導(dǎo)體世界可能會(huì)有一個(gè)新的參與者,它以氧化鎵技術(shù)的形式出現(xiàn)。
2018-11-20 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體 5419 0
針對(duì)LED照明的全集成開(kāi)關(guān)型變換方案
LED照明較其他照明產(chǎn)品具有綠色、節(jié)能、環(huán)保、長(zhǎng)壽命等優(yōu)點(diǎn),隨著整體成本降低,LED照明開(kāi)始廣泛使用在商業(yè)、家庭等領(lǐng)域。
如何通過(guò)調(diào)整門(mén)極驅(qū)動(dòng)負(fù)壓,來(lái)限制SiC MOSFET閾值漂移的方法
由于寬禁帶半導(dǎo)體SiC的固有特征,以及不同于Si材料的半導(dǎo)體氧化層界面特性,會(huì)引起閾值電壓變化以及漂移現(xiàn)象。為了理解這些差異,解釋這些差異與材料本身特性...
如何針對(duì)特定設(shè)計(jì)選擇正確的MOSFET
隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步,系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐,才能為其設(shè)計(jì)挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件,工程師需要深入了解它...
編輯推薦廠(chǎng)商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |