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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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降壓轉(zhuǎn)換器仿真的電源設(shè)計(jì)方案分析
降壓轉(zhuǎn)換器 降壓或降壓轉(zhuǎn)換器是一種廣泛使用的DC / DC開關(guān)穩(wěn)壓器。制造商通過其控制器提供降壓集成電路。降壓DC / DC轉(zhuǎn)換器是一種能夠?qū)⑤斎腚妷恨D(zhuǎn)...
2021-04-02 標(biāo)簽:MOSFET控制器開關(guān)穩(wěn)壓器 3615 0
飛兆半導(dǎo)體的超結(jié)MOSFET和IGBT SPICE模型解讀
如果有足夠的時(shí)間,大多數(shù)工程師都有正確的意圖。作為工程師,您想多久了解一次電路應(yīng)用中每個(gè)部分的行為?是的-檢查。半導(dǎo)體公司的模型通常能真正代表電路應(yīng)用條...
關(guān)于SiC MOSFET的新的電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)MOSFET提供了巨大的新特性和功能,但同時(shí)也帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。ROHM半導(dǎo)體器件使工程師能夠充分利用SiC MOSFET,同時(shí)克服了驅(qū)動(dòng)...
2021-04-02 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體器件柵極驅(qū)動(dòng)器 4290 0
如何在電源良好引腳上使用MOSFET體二極管實(shí)現(xiàn)溫度測(cè)量
設(shè)計(jì)人員經(jīng)常想測(cè)量直流開關(guān)電源的結(jié)溫。從安全和故障模式以及效果分析(FMEA)的角度來(lái)看,了解系統(tǒng)的結(jié)溫是一項(xiàng)重要且基本的要求。在許多應(yīng)用中,重要的是在...
如何利用運(yùn)算放大器和MOSFET構(gòu)建電流負(fù)載
測(cè)試電源和電池需要電流負(fù)載,該電流負(fù)載能夠吸收大電流并消耗大量功率。只需使用一個(gè)運(yùn)算放大器和一個(gè)功率MOSFET就可以構(gòu)建一個(gè)簡(jiǎn)單而準(zhǔn)確的電流負(fù)載,如圖...
探討MOSFET對(duì)DC/DC穩(wěn)壓器電路適用的EMI的抑制技術(shù)
本系列文章的第 1 部分至第 5 部分中,介紹了抑制傳導(dǎo)和輻射電磁干擾 (EMI) 的實(shí)用指南和示例,尤其是針對(duì)采用單片集成功率 MOSFET 的 DC...
如何使用MOSFET或者IGBT實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)電源
生活中有各種各樣的電源,其中就有一款叫高頻開關(guān)電源系統(tǒng),什么是高頻開關(guān)電源系統(tǒng)?它有什么作用?高頻開關(guān)電源(也稱為開關(guān)型整流器SMR)是通過MOSFET...
2020-10-31 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源IGBT 6147 0
基于無(wú)芯變壓器技術(shù)的柵極驅(qū)動(dòng)器
功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時(shí)間,ROHM使用專有的微制造工藝來(lái)開發(fā)無(wú)核片上變壓器,以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健...
緩解開關(guān)電源的低頻和高頻EMI的創(chuàng)新解決方案
“鑒于 EMI 可能在后期嚴(yán)重阻礙設(shè)計(jì)進(jìn)度,浪費(fèi)大量時(shí)間和資金,因此必須在設(shè)計(jì)之初就應(yīng)考慮EMI 問題。”德州儀器(TI)白皮書《通過節(jié)省時(shí)間和成本的創(chuàng)...
2021-04-13 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源emi 8869 0
淺析DC/DC轉(zhuǎn)換器上的Buck應(yīng)用
Buck方式的特征是電路構(gòu)造簡(jiǎn)單。此外,組成小功率的電源電路時(shí),成本也比反激式更有競(jìng)爭(zhēng)力。因此,常使用在家電產(chǎn)品的微控制器用電源上。
2021-04-15 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器 3011 0
SiC MOSFET的實(shí)時(shí)結(jié)溫監(jiān)控電路測(cè)量方案
本文介紹了一種新穎的測(cè)量電路,以測(cè)量用于測(cè)量SiC MOSFET的實(shí)時(shí)或?qū)嶋H結(jié)溫??梢钥闯?,出于訂購(gòu)和處理數(shù)據(jù)或電流傳感器的目的,不需要本質(zhì)上復(fù)雜的任何算法。
2021-04-23 標(biāo)簽:MOSFET監(jiān)控電路SiC 6377 0
具有漏極開路,推挽和雙向復(fù)位輸出的監(jiān)控電路
推挽輸出由一對(duì)互補(bǔ)MOSFET組成(圖2)。此配置類似于比較器的輸出級(jí)。當(dāng)Q2關(guān)閉并且Q1打開時(shí),RESET輸出變?yōu)楦唠娖?;?dāng)Q2打開并且Q1關(guān)閉時(shí),R...
2021-04-30 標(biāo)簽:MOSFET比較器監(jiān)控電路 2672 0
如何利用MOSFET的三極管和飽和區(qū)與負(fù)載電阻配對(duì)以提供脈沖電流
從波特圖獲取增益和相位裕度。該方法通過在頻率上觀察電路的特性響應(yīng)來(lái)通過判斷領(lǐng)域。需要價(jià)格昂貴的網(wǎng)絡(luò)分析儀或頻率響應(yīng)分析儀,將頻率掃至所需范圍的正弦波與輸...
2021-05-07 標(biāo)簽:MOSFET電位器電源轉(zhuǎn)換器 8971 0
晶體管篇:關(guān)于負(fù)載開關(guān)ON時(shí)的浪涌電流
關(guān)于負(fù)載開關(guān)ON時(shí)的浪涌電流 負(fù)載開關(guān)Q1導(dǎo)通瞬間會(huì)暫時(shí)流過比穩(wěn)態(tài)電流大得多的電流。輸出側(cè)的負(fù)載容量CL的電荷接近零時(shí),向輸出VO施加電壓的瞬間會(huì)流過大...
SiC FET由UnitedSiC率先制造,現(xiàn)已推出第四代產(chǎn)品。第四代產(chǎn)品改進(jìn)了單元密度以降低單位面積的導(dǎo)通電阻(RDS.A),運(yùn)用銀燒結(jié)粘接和晶圓減薄...
功率轉(zhuǎn)換器中CoolSiC?MOSFET技術(shù)解析
功率轉(zhuǎn)換器中越來(lái)越多地使用碳化硅(SiC)晶體管,這對(duì)尺寸,重量和/或效率提出了很高的要求。與雙極IGBT器件相反,SiC出色的材料性能使它可以設(shè)計(jì)快速...
如何選擇Mosfet驅(qū)動(dòng)程序進(jìn)行運(yùn)動(dòng)控制
要了解驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O所需的條件,您需要知道MOSFET的開關(guān)速度。您必須在低開關(guān)損耗(需要快速的上升和下降時(shí)間)和低EMI(需要緩慢的上升和下降時(shí)間)之間進(jìn)行...
2021-05-19 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IC無(wú)刷電動(dòng)機(jī) 1649 0
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