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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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開關(guān)穩(wěn)壓器的基礎(chǔ)知識(shí)之輸出預(yù)偏置保護(hù)
DC/DC轉(zhuǎn)換器啟動(dòng)時(shí)的Vout電壓基本上假設(shè)為零伏,但實(shí)際上由于電路構(gòu)成和短時(shí)間內(nèi)的重新啟動(dòng)等因素影響,啟動(dòng)前Vout可能存在電壓,也就是說可能并非為零。
2021-03-05 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器DC-DC轉(zhuǎn)換器 2805 0
高度集成的開關(guān)穩(wěn)壓器單片式解決方案解析
開關(guān)穩(wěn)壓器可以采用單片結(jié)構(gòu),也可以通過控制器構(gòu)建。在單片式開關(guān)穩(wěn)壓器中,各功率開關(guān)(一般是MOSFET)會(huì)集成在單個(gè)硅芯片中。使用控制器構(gòu)建時(shí),除了控制...
2021-03-05 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器 3005 0
基于LCC拓?fù)涞陌霕騆CC諧振變換數(shù)字控制和同步整流為特性的300W電源
作者:Akshat JAIN, Fabrizio DI FRANCO 近年來,諧振變換器的熱度越來越高,被廣泛用于計(jì)算機(jī)服務(wù)器、電信設(shè)備、燈具和消費(fèi)電子...
2021-03-10 標(biāo)簽:變壓器MOSFET并聯(lián)電容器 9989 0
Nexperia均流技術(shù)的并行MOSFET設(shè)計(jì)應(yīng)用
多年來,功率MOSFET一直是高功率應(yīng)用的支柱,能夠可靠地提供大電流。然而,隨著功率應(yīng)用技術(shù)的進(jìn)步,需要極高水平的電流。這些應(yīng)用已達(dá)到功率水平要求,而一...
使用H橋電路來驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)的方案介紹
在該有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)器電路示例中,可以通過線性控制高邊Pch MOSFET來更改OUT引腳的H電壓,從而控制施加到電機(jī)的電壓。
2021-03-11 標(biāo)簽:反饋電路MOSFET運(yùn)算放大器 4616 0
作者:Martin Warnke和Yazdi Mehrdad Baghaie 各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中SiC MOSFET的出現(xiàn)大大提高了性能和效率。但是,如果使...
2021-03-11 標(biāo)簽:MOSFETSiC MOSFET 3148 0
新型三相逆變器如何進(jìn)行SiC MOSFET的結(jié)溫估算?
與功率MOSFET相比,功率MOSFET中的SiC具有一系列優(yōu)勢(shì),例如更高的電導(dǎo)率,更低的開關(guān)速度和更低的傳導(dǎo)損耗[1] [2]-[6]。
2021-03-12 標(biāo)簽:MOSFET熱敏電阻功率轉(zhuǎn)換器 8262 0
根據(jù)柵極電壓,觀察負(fù)載R1上流過的電流,看看MOSFET的導(dǎo)電性能如何。相對(duì)圖如圖3所示。對(duì)于–25 V至5.8 V之間的所有“柵極”電壓,該組件均保持...
2021-03-11 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì) 2637 0
如何應(yīng)對(duì)輸入端負(fù)壓 驅(qū)動(dòng)輸入端負(fù)壓尖峰的形成原因
由于開關(guān)電源經(jīng)常需要硬開關(guān)驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載,在硬開關(guān)以及布局限制的情況下,功率MOSFET往往會(huì)對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片的輸入和輸出端形成較大的地彈電壓和振蕩尖峰電壓。
2021-03-15 標(biāo)簽:pcbMOSFET驅(qū)動(dòng)器 1.2萬 1
如何使用ASIC實(shí)現(xiàn)在家用電器中應(yīng)用功能安全性
如果我們首先看一下電池管理器的元件,則需要高精度的電壓感應(yīng)來確定鋰離子電池的充電狀態(tài)和溫度。
有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)H橋電路:輸出狀態(tài)的切換
本文將介紹有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)的H橋的實(shí)際控制(切換)。 H橋電路:輸出狀態(tài)的切換 在上一篇文章中我提到過在向電機(jī)的兩個(gè)端子施加電壓時(shí)有四種連接方式: ①兩...
2021-03-18 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器直流電機(jī) 4188 0
SiC如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理?SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用?
碳化硅(SiC)是由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)系列材料。它的物理鍵非常牢固,使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械,化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...
寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān):緩慢的開關(guān)沿可減少過沖和EMI
在寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)的新時(shí)代,器件類型的選擇包括具有自己的特性并聲稱具有最佳性能的SiC?MOSFET和GaN HEMT單元。但是,這兩者都不是理想的開關(guān)...
盤點(diǎn)MOSFET技術(shù) MOS在電路中的常見應(yīng)用
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,英文簡(jiǎn)稱是MOSFET,一般也簡(jiǎn)稱為...
2021-03-18 標(biāo)簽:三極管MOSFET半導(dǎo)體三極管 9521 0
如何利用DC-DC負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器進(jìn)行精確地限制電流?
高端電流檢測(cè)放大器也可用于通過電源路徑中的電流檢測(cè)電阻測(cè)量小壓降。它們可以非常準(zhǔn)確地測(cè)量電流。
2021-03-19 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓器開關(guān)穩(wěn)壓器 1.1萬 0
探討1,200-V 300-A SiC MOSFET對(duì)開關(guān)頻率的影響
由于快速的開關(guān),傳導(dǎo)損耗和擊穿電壓的增加,在現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用中增加了SiC MOSFET的使用。通過最快速的開關(guān)速度和更高的頻率賦能,該框架減小了尺寸并提高...
2021-03-19 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)頻率SiC MOSFET 8236 0
如何混合Si和SiC器件實(shí)現(xiàn)完整SiC MOSFET轉(zhuǎn)換器相同效率的調(diào)制方案
在現(xiàn)代時(shí)代,隨著電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)領(lǐng)域的所有進(jìn)步對(duì)具有高功率密度和效率的轉(zhuǎn)換器的需求已經(jīng)增加,尤其是在電動(dòng)汽車充電點(diǎn)的并網(wǎng)系統(tǒng)中[...
2021-03-22 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET整流器 5155 0
SiC MOSFET在電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的優(yōu)化方案
作者:英飛凌科技資深高級(jí)工程師René Mente 談起電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì),諸如碳化硅(SiC)等寬禁帶(WBG)技術(shù)是當(dāng)今進(jìn)行器件選擇時(shí)的現(xiàn)實(shí)考慮。65...
2021-03-25 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器SiC 2625 0
碳化硅(SiC)由于其固有的寬帶隙和高導(dǎo)熱性的材料特性而被廣泛用于中高壓電力半導(dǎo)體器件的制造中。如今,肖特基二極管,MOSFET和JFET是市場(chǎng)上最受歡...
電源設(shè)計(jì)中關(guān)于噪聲和尖峰的解決方案
對(duì)于許多應(yīng)用而言,下一代IC封裝是在縮小整體封裝尺寸的同時(shí)實(shí)現(xiàn)硅縮放,功能密度和異構(gòu)集成的最佳途徑。異構(gòu)異構(gòu)集成提供了增強(qiáng)設(shè)備功能,加快上市時(shí)間和提高硅...
2021-04-01 標(biāo)簽:二極管開關(guān)電路MOSFET 6184 0
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