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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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單通道DC-DC轉(zhuǎn)換器LV5980MC的主要特性及應(yīng)用電路
該OnSemi公司的LV5980MC是單個(gè)內(nèi)嵌P MOSFET的單通道DC-DC轉(zhuǎn)換器,工作電壓范圍為4.5V至23V,最大輸出電流為3A。可實(shí)現(xiàn)低功率...
2021-03-15 標(biāo)簽:開關(guān)轉(zhuǎn)換器mosfet 2951 0
通過Buck降壓調(diào)光驅(qū)動器的數(shù)字調(diào)光閃爍方案
為了驅(qū)動高側(cè)的MOSFET,線路中存在BOOT電容。在每次二極管導(dǎo)通過程中,芯片內(nèi)部路徑會對BOOT電容充電。
同步降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器TPS54061的主要特性及應(yīng)用
TI公司的TPS54061是集成了高邊和低邊MOSFET的60V 200mA同步降壓DC / DC轉(zhuǎn)換器,采用電流模式控制,簡化了外部補(bǔ)償和靈活選擇元件...
2021-03-12 標(biāo)簽:傳感器轉(zhuǎn)換器mosfet 4052 0
準(zhǔn)諧振反激轉(zhuǎn)換器的峰值功率能力及如何處理峰值功率要求
然而,某些應(yīng)用并非從電源汲取恒定功率。例如,當(dāng)打印機(jī)的打印頭處于工作狀態(tài)或處理打印紙時(shí),打印機(jī)以脈沖方式消耗功率。在此特殊案例中,轉(zhuǎn)換器的散熱設(shè)計(jì)并非針...
2021-03-12 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器mosfet 5387 0
同步降壓DC/ DC穩(wěn)壓器ADP2325的主要特性及應(yīng)用
ADP2325是一款全功能,雙輸出,降壓DC-DC調(diào)節(jié)器,基于電流模式架構(gòu)。ADP2325集成了兩個(gè)高端功率MOSFET和兩個(gè)低端驅(qū)動器,用于外部N溝道...
綜合電源解決方案TPS84621RUQ的性能特性及應(yīng)用
TI公司的TPS84621RUQ是易于使用的綜合電源解決方案,集成了6A的DC / DC轉(zhuǎn)換器和功率MOSFET,電感和無源元件。效率大于90%,9×1...
驅(qū)動模塊2SD315A的性能特點(diǎn)及應(yīng)用實(shí)例分析
IGBT的驅(qū)動要求與其靜態(tài)和動態(tài)特性密切相關(guān),即柵極的正偏壓、負(fù)偏壓和柵極電阻的大小,對IGBT的通態(tài)電壓、開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗、承受短路能力、開關(guān)管C、...
采用NCPl337控制器實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)諧振式開關(guān)電源的應(yīng)用方案
隨著全球業(yè)界對電源效率的要求越來越高,包括ATX電源、消費(fèi)類電子產(chǎn)品等在內(nèi)的電源需要更高的節(jié)能要求。
2021-03-09 標(biāo)簽:mosfet開關(guān)電源控制器 4906 0
采用智能型集成MOSFET驅(qū)動器增加數(shù)字電源控制器的性能可靠性
在電源系統(tǒng)中,MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號,以便以最快的速度打開和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動器IC與MO...
基于內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動性能
功率MOSFET具有開關(guān)速度快,導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn),因此在開關(guān)電源,馬達(dá)控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來越廣。通常在實(shí)際的設(shè)計(jì)過程中,電子工程師對其的驅(qū)動電路以...
2021-03-07 標(biāo)簽:mosfet開關(guān)電源驅(qū)動電路 2996 0
IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動為可靠驅(qū)動絕緣柵器件,目前已有很多成熟電路。當(dāng)驅(qū)動信號與功率器件不需要隔離時(shí),驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)是比較簡單的,目前也有了許多優(yōu)...
閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象,當(dāng)然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片...
在大多數(shù)降壓調(diào)節(jié)器的典型應(yīng)用中,使用有源開關(guān)而非肖特基二極管是標(biāo)準(zhǔn)做法。這樣能大大提高轉(zhuǎn)換效率,尤其是產(chǎn)生低輸出電壓時(shí)。在需要電流隔離的應(yīng)用中,也可使用...
在器件設(shè)計(jì)選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進(jìn)行先期計(jì)算(所謂先期計(jì)算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路...
2021-02-12 標(biāo)簽:二極管MOSFET開關(guān)電源 2954 0
低Vth加濕器MOS管解決方案與設(shè)計(jì)電路圖 100V耐壓MOS管 N溝道
惠海半導(dǎo)體中低壓場效率管(MOSFET) MOS管型號:HC160N10LS 絲?。篐C510 參數(shù):100V5A(5N10) 內(nèi)阻:145mR(VGS...
2021-01-19 標(biāo)簽:電路圖MOSFET場效應(yīng)管 5390 3
H橋到底是什么一個(gè)H橋驅(qū)動掃盲教程詳細(xì)說明
H橋是一個(gè)比較簡單的電路,通常它會包含四個(gè)獨(dú)立控制的開關(guān)元器件(例如 MOS-FET),它們通常用于驅(qū)動電流較大的負(fù)載,比如電機(jī),至于為什么要叫H橋(H...
在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
650V SiC MOSFET的擁護(hù)者可能會指出,他們發(fā)現(xiàn)其他類似器件在Tj =125°C下的該數(shù)值通常為+20-25%。這能說明SiC MOSFET比...
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