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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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首款國產(chǎn)1700V SiC MOSFET獲“低碳能效獎“,可提升電源效率4%!
工業(yè)三相供電(400 VAC to 690VAC)的功率變換系統(tǒng),其母線電壓通常高于600V,母線電壓范圍在300Vdc-1000Vdc。
設(shè)計筆記 一種用于測量極低電阻的簡單比率技術(shù)
極低值電阻器(即,毫歐 (mΩ) 及以下)的最常見應(yīng)用可能是電流控制電路,它們的低值可降低功率損耗。對于這些應(yīng)用,大約 10%-20% 的容差就足夠了。...
工業(yè)4.0時代及電動汽車快速的普及,工業(yè)電源、高壓充電器對功率器件開關(guān)損耗、功率密度等性能也隨之提高,傳統(tǒng)的Si-MosFet性能已被開發(fā)的接近頂峰,S...
思睿達CR6889B方案能否替換XX11?測試數(shù)據(jù)分析
我們將為大家?guī)硭碱__主推的CR6889B替換XX11對比 測試 報告。話不多說,我們先了解下思睿達CR6889B的大概內(nèi)容吧! CR6889B芯片特性...
思睿達主推EMI特性良好的CR6889B與XX8267是否可相互替換?對比測試報告
SOT23-6 封裝的副邊PWM 反激功率開關(guān); ● 內(nèi)置軟啟動,減小MOSFET 的應(yīng)力,斜坡補償電路; ● 65kHz 開關(guān)頻率,具有頻...
仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性
SiC MOSFET并聯(lián)的動態(tài)均流與IGBT類似,只是SiC MOSFET開關(guān)速度更快,對一些并聯(lián)參數(shù)會更為敏感。
恒壓恒流輸出的電源適配器樣機測試 思睿達TT5565SG+TT3006方案
01、樣機介紹 該 測試 報告是基于一個能適用于寬輸入電壓范圍,輸出功率12W,恒壓恒流輸出的電源 適配器 樣機,控制IC采用了思睿達的TT5565SG...
2021-08-24 標簽:MOSFET開關(guān)電源電源管理 9390 0
用碳化硅MOSFET設(shè)計一個雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
電池供電的便攜設(shè)備越來越多,在今日生活中扮演的角色也越來越重要。這個趨勢還取決于高能量儲存技術(shù)的發(fā)展,例如鋰離子(Li-ion)電池和超級電容器。
2021-07-04 標簽:電容器MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器 2751 0
邊緣周圍的接觸墊有助于檢查并實現(xiàn)輕松布線,甚至允許使用兩層基板,包括基板。特殊的接地平面布局意味著模塊在回流期間可以有效地“浮動”到位
功率MOSFET及其雪崩擊穿額定值背后的理論和設(shè)計過程中的局限性
一些功率半導(dǎo)體器件設(shè)計為在有限時間內(nèi)承受一定量的雪崩電流,因此可以達到雪崩額定值。其他人會在雪崩開始后很快失敗。性能差異源于特定的設(shè)備物理、設(shè)計和制造。
2021-06-23 標簽:MOSFET半導(dǎo)體器件寄生元件 2996 0
ACPL-P349/W349評估板特性 IGBT或SiC/GaN MOSFET柵極驅(qū)動器配置分析
本手冊概述了 ACPL-P349/W349 評估板的特性以及評估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動器所需的配置。需要目視檢查以...
本文將繼上一篇文章之后,繼續(xù)介紹有刷電機驅(qū)動器的功耗計算方法。在上一篇中,介紹了有刷電機驅(qū)動器的典型驅(qū)動方法——恒壓驅(qū)動,本文將介紹有刷電機驅(qū)動器的另一...
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中,SiC MOSFET在近年來的應(yīng)用速度與日俱增,它的工作速度...
SiCmosfet三相全橋逆變電路中,同一橋臂上下功率器件容易受器件寄生參數(shù)的影響而互相產(chǎn)生干擾,該現(xiàn)象稱為橋臂串擾。這種現(xiàn)象容易造成橋臂直通或者燒毀功...
常見的MOSFET驅(qū)動方式,驅(qū)動電路的參數(shù)計算
在簡單的了解MOS管的基本原理以及相關(guān)參數(shù)后,如何在實際的電路中運用是我們努力的方向。比如在實際的MOS驅(qū)動電路設(shè)計中,如何去根據(jù)需求搭建電路,計算參數(shù)...
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