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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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TMC6140 MOSFET柵極驅(qū)動器概述、性能及優(yōu)勢
高度集成的TMC6140-LA有效簡化高性能BLDC/PMSM驅(qū)動系統(tǒng)設(shè)計,效率提升30%。
2022-03-04 標簽:微控制器MOSFET驅(qū)動系統(tǒng) 2228 0
從硅過渡到碳化硅,MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢對比
派恩杰半導(dǎo)體認為,Cascode結(jié)構(gòu)只是從Si產(chǎn)品轉(zhuǎn)向SiC產(chǎn)品的一個過渡產(chǎn)品,因為Cascode結(jié)構(gòu)完全無法發(fā)揮出SiC器件的獨特優(yōu)勢。
PI推出集成SiC MOSFET的車規(guī)級反激式開關(guān)IC
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/程文智)這幾年電動汽車發(fā)展異?;馃?,銷量是節(jié)節(jié)攀升,其續(xù)航能力也在不斷取得突破。但里程焦慮還沒有徹底解決,為了應(yīng)對該問題,汽車廠商...
高可靠性SiC MOSFET芯片優(yōu)化設(shè)計
以特斯拉Model 3為代表的眾多電動汽車量產(chǎn)車型成功應(yīng)用SiC MOSFET芯片,表明SiC MOSFET在性能、可靠性和綜合成本層面已得到產(chǎn)業(yè)界的認...
應(yīng)用筆記:正確理解驅(qū)動電流與驅(qū)動速度
本文主要闡述了在驅(qū)動芯片中表征驅(qū)動能力的關(guān)鍵參數(shù):驅(qū)動電流和驅(qū)動時間的關(guān)系,并且通過實驗解釋了如何正確理解這些參數(shù)在實際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
2022-01-27 標簽:MOSFET 4744 0
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李寧遠)大至功率變換器,小至內(nèi)存、CPU等各類電子設(shè)備核心元件,哪里都少不了MOSFET的應(yīng)用。MOSFET作為一種半導(dǎo)體器件,既...
SiC MOSFET 具有超低輸入電容,因此開啟器件所需的柵極電荷也非常低。PWM 控制器 IC 可以直接驅(qū)動 SiC MOSFET,無需額外的驅(qū)動器 ...
2022-02-06 標簽:變壓器MOSFET電源轉(zhuǎn)換器 2.2萬 0
目前的目標是更加縮小設(shè)計尺寸并提高效率。為了達到目標必須縮短開關(guān)路徑以及在 Z 軸上重迭安裝器件。
2022-01-05 標簽:pcbMOSFET降壓轉(zhuǎn)換器 2491 0
然而,在實際應(yīng)用中,工程師們都會遇到一個相同的困惑:器件的選型著實令人頭疼。對此,小編感同身受。今天,我們就一起來看看MOSFET和IGBT之間的有哪些...
2022-01-01 標簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 1.4萬 0
芯茂微推出可靠性媲美MOSFET的12W內(nèi)置BJT的PSR電源解決方案
充電器和適配器是我們生活中非常常見的產(chǎn)品,我們很多人可能只知道這些產(chǎn)品是用來充電的,但是可能不知道具體是如何實現(xiàn)充電的,本文就帶大家詳細了解一下。
別被低頻噪聲嚇到,使用 4200A-SCS 參數(shù)分析儀測量1/f 電流噪聲
在測量設(shè)置中,噪聲來自不同的來源,其中之一是測量儀器本身。為提取被測器件 (DUT) 的噪聲特點,儀器噪聲必須小于 DUT 噪聲。
思睿達TT6267SK測試報告 良好EMI特性 低功耗 方便散熱
1、樣機介紹 該測試報告是基于一個能適用于寬輸入電壓范圍,輸出功率18W,恒壓輸出的工程樣機,控制IC采用了本公司的TT6267SK。 TT6267SK...
如何將CoolMOS應(yīng)用于連續(xù)導(dǎo)通模式的圖騰柱功率因數(shù)校正電路
為了實現(xiàn)在圖騰柱PFC使用常見的開關(guān)器件,本文介紹預(yù)充電電路的解決方案。 相較采用寬禁帶半導(dǎo)體,此方案的功率半導(dǎo)體器件較普遍且容易取得,提供給使用者做為...
【技術(shù)大咖測試筆記系列】之八:低功率范圍內(nèi)的MOSFET表征
低電流范圍內(nèi)電氣表征的典型問題是:必需確定低功率/低漏流MOSFET在不同條件下可實現(xiàn)的器件性能。
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