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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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當(dāng)今 FPGA 和高性能處理器的多個(gè)電源軌必須按照嚴(yán)格的順序上電和斷電。通常連接到電源軌的去耦電容必須主動(dòng)放電,以確保正確控制斷電順序并在可接受的時(shí)間內(nèi)...
如何為電機(jī)驅(qū)動(dòng)選擇合適的MOSFET
汽車 OEM 正在遷移到 BLDC,以最大限度地提高效率和可靠性。本文著眼于工程師在設(shè)計(jì)過程中應(yīng)考慮的重要參數(shù),以實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)。
如何在反激式轉(zhuǎn)換器啟動(dòng)過程中有效消除MOSFET的過應(yīng)力
本應(yīng)用筆記主要從三個(gè)方面探討“如何在反激式轉(zhuǎn)換器啟動(dòng)過程中有效消除 MOSFET 的過應(yīng)力”:第一,具有立锜專有嵌入式軟啟動(dòng)功能的反激式控制器設(shè)計(jì);其次...
2022-04-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET反激式控制器 6634 0
該電源開關(guān)是一款低壓、單 N 溝道 MOSFET 高側(cè)電源開關(guān),針對(duì)自供電和總線供電的通用串行總線 (USB) 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
2022-04-20 標(biāo)簽:MOSFET電源開關(guān)串行總線 9836 0
RT6204應(yīng)用原理圖及設(shè)計(jì)指南
RT6204應(yīng)用原理圖如圖1所示。RT6204是一款電流模式轉(zhuǎn)換器,具有外部補(bǔ)償和外部軟啟動(dòng)功能。該轉(zhuǎn)換器具有集成的高邊 MOSFET 開關(guān)和同步整流器...
2022-04-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電流模式 3453 0
當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí),就會(huì)發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場(chǎng)時(shí),自由電子被加速并帶有很大的能量。這會(huì)導(dǎo)致碰撞電離...
MOSFET中米勒平臺(tái)形成的基本原理及詳細(xì)過程
MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)過程,可以簡(jiǎn)單的理解為驅(qū)動(dòng)源對(duì)MOSFET的輸入電容(主要是柵源極電容Cgs)的充放電過程;當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓之后, MOSFE...
如何設(shè)計(jì)可靠的多電平無(wú)橋圖騰柱PFC
多級(jí)圖騰柱 PFC 為設(shè)計(jì)人員提供了優(yōu)于 2 級(jí)設(shè)計(jì)的市場(chǎng)吸引力優(yōu)勢(shì),包括顯著更小的電感器、更低的 dv/dt 和更低的開關(guān)損耗。開關(guān)工作電壓的固有降低...
詳解實(shí)現(xiàn)MOS管快速關(guān)斷的電路方案
當(dāng)我們使用MOS管進(jìn)行一些PWM輸出控制時(shí),由于此時(shí)開關(guān)頻率比較高,此時(shí)就要求我們能更快速的開關(guān)MOS管,從理論上說,MOSFET 的關(guān)斷速度只取決于柵...
2022-04-11 標(biāo)簽:MOSFETMOS管驅(qū)動(dòng)電路 2.7萬(wàn) 0
移相ZVS變換器使用MOSFET器件的潛在風(fēng)險(xiǎn)分析
在過去的幾年中,對(duì)具有足夠效率來管理大功率的系統(tǒng)的市場(chǎng)需求促使開關(guān)電源設(shè)計(jì)人員開發(fā)具有低電損耗的拓?fù)洹WM相移控制全橋變換器是一種非常流行的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)...
處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負(fù)載之間連接一個(gè)二極管,但是由于二極管正向電壓的原因,這種做法會(huì)產(chǎn)生額外的功耗。雖然該方法很...
東芝推出集成快速恢復(fù)體二極管的DTMOSVI系列產(chǎn)品
2021年11月初,新一輪國(guó)際能源氣候大會(huì)在英國(guó)舉辦,會(huì)上確定了各國(guó)碳中和、碳達(dá)峰的時(shí)間表。對(duì)此,中國(guó)也制定出了符合發(fā)展中國(guó)家國(guó)情的“雙碳3060”戰(zhàn)略...
MOSFET是一種常見的電壓型控制器件,具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn),因...
在選擇逆變器電路中的開關(guān)器件時(shí),要選擇trr小的產(chǎn)品,這一點(diǎn)很重要。
我們知道本征半導(dǎo)體是不導(dǎo)電的,好比純水的導(dǎo)電性不強(qiáng),想要它導(dǎo)電,就摻上雜質(zhì)。讓水導(dǎo)電就給他加鹽,產(chǎn)生離子,讓半導(dǎo)體導(dǎo)電,就摻上三價(jià)或者五價(jià)元素,形成空穴...
穩(wěn)壓器會(huì)產(chǎn)生具有恒定預(yù)設(shè)幅度的固定輸出電壓,無(wú)論其輸入電壓或負(fù)載條件是否變化。穩(wěn)壓器分為兩類:線性和開關(guān)式。
2022-03-16 標(biāo)簽:負(fù)載MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器 1918 0
詳細(xì)分析MOSFET開關(guān)過程米勒效應(yīng)的影響
本文介紹了米勒效應(yīng)的由來,并詳細(xì)分析了MOSFET開關(guān)過程米勒效應(yīng)的影響,幫助定性理解米勒平臺(tái)的形成機(jī)制。最后給出了場(chǎng)效應(yīng)管柵極電荷的作用。
羅姆第4代SiC MOSFET在電動(dòng)汽車電控系統(tǒng)中的應(yīng)用及其優(yōu)勢(shì)
羅姆于2020年完成開發(fā)的第4代SiC MOSFET,是在不犧牲短路耐受時(shí)間的情況下實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻的產(chǎn)品。
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