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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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如何實(shí)現(xiàn)真正的無(wú)毛刺監(jiān)控器
可靠的電壓監(jiān)控器IC始終是工業(yè)界的行業(yè)需求,因?yàn)樗梢蕴岣呦到y(tǒng)可靠性,并在電壓瞬變和電源故障時(shí)提升系統(tǒng)性能。半導(dǎo)體制造商也在不斷提高電壓監(jiān)控器IC的性能。
SiC MOSFET電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器設(shè)計(jì)
工程師面臨著對(duì)現(xiàn)代電動(dòng)汽車(chē) (EV) 性能和里程的權(quán)衡。更快的加速和更高的巡航速度需要更頻繁、更耗時(shí)的充電站。另外,更長(zhǎng)里程要求造成了各項(xiàng)進(jìn)展的不確定性...
2022-07-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET牽引逆變器 2138 0
SiC設(shè)計(jì)分享(三):onsemi同等功率的SiC與SiMOST進(jìn)行比較
本文作為系列文章的第三篇,會(huì)從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較,給出分析和計(jì)算過(guò)程,供設(shè)計(jì)工程師在選擇功率開(kāi)關(guān)器件時(shí)參考!
基礎(chǔ)知識(shí)中 MOS 部分遲遲未整理,實(shí)際分享的電路中大部分常用電路都用到了MOS管, 今天勢(shì)必要來(lái)一篇文章,徹底掌握mos管!
2022-07-05 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 3.2萬(wàn) 0
這是基于單片IC HT82207的西方音樂(lè)發(fā)生器電路原理圖。這條賽道能夠帶您進(jìn)入狂野西部的世界。西方音樂(lè)已經(jīng)在芯片中編程。它采用 Holtek 的集成 ...
基于NP60P012D3的12V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP60P012D3采用了先進(jìn)的戰(zhàn)壕 提供優(yōu)良的RDS(ON)和低柵極技術(shù) 電荷。它可以用于各種各樣的應(yīng)用。 一般特征 VDS = -12v, i...
具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET的工作情況
具備驅(qū)動(dòng)器源極引腳,可以消除VLSOURCE對(duì)VGS_INT的影響。
2022-06-29 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)電路 1804 0
調(diào)節(jié)直流電機(jī)的PWM驅(qū)動(dòng)控制電路設(shè)計(jì)
20KHz,30%占空比的脈沖驅(qū)動(dòng)車(chē)燈,在這個(gè)頻率下,車(chē)燈的感抗體現(xiàn)出來(lái),造成了電流信號(hào)邊沿的巨大尖峰過(guò)沖。
DC-DC大電流高效降壓電流模式單片降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器WD5065B概述
WD5065B是電流模式單片降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,在4.7V-65V的寬輸入范圍內(nèi)工作,通過(guò)集成的高端N溝道MOSFET提供高達(dá)5A的連續(xù)輸出電流。在輕負(fù)載的...
2022-06-24 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器DC-DC 3975 0
功率MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中,在米勒平臺(tái)線性區(qū),由于VGS保持不變,相當(dāng)于使用恒流源進(jìn)行驅(qū)動(dòng),其它的時(shí)間段,使用恒壓源進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。VGS電壓變化時(shí),和時(shí)...
2022-06-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器PFC控制器 1.5萬(wàn) 0
設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路該使用MOS管還是三極管?(文末領(lǐng)BJT和MOSFET對(duì)比資料)
晶體管 BJT 和MOSFET 都適用于放大和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。然而,它們具有顯著不同的特征。 ? 雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 雙極結(jié)型晶體管,通常稱(chēng)為 BJT...
半橋驅(qū)動(dòng)電路工作原理 自舉電容的計(jì)算及注意事項(xiàng)
MOSFET憑開(kāi)關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低等優(yōu)點(diǎn)在開(kāi)關(guān)電源及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中得到了廣泛應(yīng)用。要想使MOSFET在應(yīng)用中充分發(fā)揮其性能,就必須設(shè)計(jì)一個(gè)適合應(yīng)用的...
2022-06-17 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路自舉電容 3.2萬(wàn) 0
這是基于四片 IRFP250N 供電的 200W MOSFET 放大器,它們非常便宜,在您所在地區(qū)的電子市場(chǎng)上很容易找到。該電路經(jīng)過(guò)組裝和測(cè)試,性能非常好。
富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專(zhuān)業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶(hù)打造個(gè)性化的解決方案,并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域...
2022-06-16 標(biāo)簽:MOSFET富昌電子驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 6815 0
為什么要擔(dān)心柵極驅(qū)動(dòng)器的電源?
在驅(qū)動(dòng)電路電壓軌處于正確值之前,不應(yīng)由 PWM 信號(hào)主動(dòng)驅(qū)動(dòng) IGBT/MOSFET。然而,當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng) DC/DC 上電或斷電時(shí),即使 PWM 信號(hào)處于...
2022-06-16 標(biāo)簽:MOSFETIGBTdcdc轉(zhuǎn)換器 1917 0
BC-IGBT 由結(jié)構(gòu)頂部和底部的柵極組成。東京大學(xué)的研究員 Takuya Saraya 在論文中說(shuō):“IGBT 的一個(gè)主要缺點(diǎn)是其開(kāi)關(guān)頻率相對(duì)較低,因...
2022-06-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 3.3萬(wàn) 0
在上一篇文章中,我們通過(guò)工作原理和公式了解了有無(wú)驅(qū)動(dòng)器源極引腳的差異和效果。有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET可以消除源極引腳的電感帶來(lái)的影響,從而可降低開(kāi)...
2022-06-15 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器引腳 3686 0
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