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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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了解電源設(shè)計(jì)的基本原理對(duì)于避免故障和確保高速單片機(jī)、存儲(chǔ)芯片和邏輯IC滿足設(shè)計(jì)預(yù)期非常重要。在本文中,英銳恩單片機(jī)開發(fā)工程師將介紹電源設(shè)計(jì)的基本原理,提...
2022-07-26 標(biāo)簽:變壓器MOSFET電源設(shè)計(jì) 1575 0
如何正確應(yīng)用合適的功率器件以滿足工業(yè)電源要求
本文介紹了適用于工業(yè)電源應(yīng)用的各種電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),以及設(shè)計(jì)人員在選擇拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及其相關(guān)組件之前必須考慮的因素。在此過(guò)程中,它介紹了 ROHM 半導(dǎo)體的...
快速實(shí)現(xiàn)用于工廠自動(dòng)化、5G 和物聯(lián)網(wǎng)的降壓轉(zhuǎn)換器
回顧了異步和同步降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器之間的性能權(quán)衡,以及它們?nèi)绾芜m應(yīng)特定應(yīng)用的需求。本文介紹了 ROHM 半導(dǎo)體的集成異步降壓 IC 和同步降壓轉(zhuǎn)換器 ...
2022-07-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET物聯(lián)網(wǎng) 8714 0
SiC MOSFET提高工業(yè)驅(qū)動(dòng)效率
工業(yè)領(lǐng)域的電力應(yīng)用通?;趶?qiáng)大的電動(dòng)機(jī),用于連續(xù)運(yùn)行的風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、壓縮機(jī)、縫紉機(jī)和冰箱。工業(yè)領(lǐng)域最常見的配置是三相電動(dòng)機(jī),由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯?..
性能、可靠性和飛行傳統(tǒng)通常是空間應(yīng)用電子產(chǎn)品的主要關(guān)注點(diǎn)。根據(jù)任務(wù)的壽命和概況,設(shè)計(jì)人員可能會(huì)考慮在某些情況下使用商用現(xiàn)貨 (COTS) 部件。但 CO...
電子產(chǎn)品節(jié)能的呼吁可能很難與電子產(chǎn)品節(jié)能的呼聲聯(lián)系起來(lái),因?yàn)檫@意味著您的電費(fèi)只需減少幾美分或?qū)p少全球 CO 2排放量的貢獻(xiàn)很小,但是當(dāng)電動(dòng)汽車的效率更...
2022-07-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFETSiC 1180 0
SiC MOSFET采用S-MOS單元技術(shù)提高效率
初創(chuàng)公司 mqSemi 推出了適用于基于功率 MOS 的器件的單點(diǎn)源 MOS (S-MOS) 單元設(shè)計(jì)。使用 Silvaco Victory 工藝和設(shè)備...
MOS名稱/特點(diǎn)/結(jié)構(gòu)/工作原理
MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體...
MOSFET管柵極為什么放置一個(gè)約100Ω串聯(lián)電阻
在一周前看到在公眾號(hào)“電機(jī)控制設(shè)計(jì)加油站”的一篇推文,“Why 100Ω? 較真的教授發(fā)現(xiàn)簡(jiǎn)單結(jié)論背后不簡(jiǎn)單的問(wèn)題”(點(diǎn)擊加黑文字可以跳轉(zhuǎn)到該推文),對(duì)...
2022-07-25 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻MOSFET柵極 4114 0
使用數(shù)字控制器設(shè)計(jì)多相降壓轉(zhuǎn)換器
近幾十年來(lái),服務(wù)器和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)架構(gòu)隨著電力輸送 (PD) 需求的增加而增加。這使穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)復(fù)雜化,因?yàn)樗枰谔岣咝屎涂焖賱?dòng)態(tài)響應(yīng)之間以及在更低功率損...
2022-07-25 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET數(shù)字控制器 1745 0
第4世代SiC MOSFET使用時(shí)的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
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安森美VE-Trac SiC用于主驅(qū)逆變器的優(yōu)勢(shì)
雙碳目標(biāo)正加速推進(jìn)汽車向電動(dòng)化發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新助力汽車從燃油車過(guò)渡到電動(dòng)車,新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)因獨(dú)特優(yōu)勢(shì)將改變電動(dòng)車的未來(lái),如在關(guān)鍵...
LED作為新型照明光源,具有高效節(jié)能、工作壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),目前已廣泛使用于LED顯示、車用電子、生活照明等各種照明場(chǎng)景。LED恒流驅(qū)動(dòng)特征需要特定的AC-...
2022-07-20 標(biāo)簽:ledMOSFET驅(qū)動(dòng)電源 3229 0
采用FPGA實(shí)現(xiàn)電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
LMZ31506 簡(jiǎn)單開關(guān)器等電源模塊可以將 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、功率 MOSFET、屏蔽電感器和無(wú)源器件集成到薄型 QFN 封裝中。這可以減少設(shè)計(jì)時(shí)間...
2022-07-13 標(biāo)簽:fpga轉(zhuǎn)換器MOSFET 2736 0
處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種方法,最明顯的方法是在電源和負(fù)載之間連接一個(gè)二極管,但是由于二極管正向電壓的原因,這種做法會(huì)產(chǎn)生額外的功耗。
基于GaN器件的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方案
氮化鎵(GaN)器件具有類似硅的電性能,可以由硅MOSFET設(shè)計(jì)中使用的許多現(xiàn)成的驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)。
基于仿真數(shù)據(jù)的gm/Id模擬集成電路設(shè)計(jì)方案
由于這些參數(shù)曲線與MOS管的柵寬和源漏電壓關(guān)系很小,所以以一定的柵寬和源漏電壓作為仿真條件,對(duì)MOS管柵極電壓進(jìn)行直流參數(shù)掃描。
在過(guò)去的幾十年里,音頻內(nèi)容已經(jīng)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步,從經(jīng)典的電子管放大器到現(xiàn)代媒體播放器,技術(shù)進(jìn)步改變了數(shù)字媒體的消費(fèi)方式。在所有這些創(chuàng)新中,便攜式媒體播放...
風(fēng)力發(fā)電的逆變?cè)O(shè)備,可以將蓄電池中的DC12V直流電轉(zhuǎn)換為和市電相同AC220V交流電。逆變器主要是由MOS場(chǎng)效應(yīng)管與電源變壓器為核心,通過(guò)模擬電路...
我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信號(hào)流。此外,二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過(guò)...
2022-07-08 標(biāo)簽:二極管MOSFET功率半導(dǎo)體 1.4萬(wàn) 0
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