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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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一、芯片概述FP7195是一款大功率異步降壓恒流芯片外置N溝MOS驅(qū)動(dòng),與肖特基和電感形成回路組成降壓架構(gòu)二、芯片特點(diǎn)?效率高達(dá)95%以上?芯片穩(wěn)定工作...
樂山無(wú)線電發(fā)布漲價(jià)函,涉及IC和MOS等產(chǎn)品
集微網(wǎng)消息,1月19日,樂山無(wú)線電向客戶和代理商發(fā)布產(chǎn)品價(jià)格調(diào)整通知函。 樂山無(wú)線電表示,由于本年度市場(chǎng)劇烈變化,晶圓廠和上游原材料價(jià)格大幅持續(xù)上漲,導(dǎo)...
這就提出一個(gè)要求,需要使用一個(gè)電路,讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管,同時(shí)高壓側(cè)的MOS管也同樣會(huì)面對(duì)1和2中提到的問題。
2023-01-29 標(biāo)簽:MOS驅(qū)動(dòng)電路 2604 0
方正微電子:2025年車規(guī)SiC MOS年產(chǎn)能將達(dá)16.8萬(wàn)片
10月16日,方正微電子宣布,作為第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的IDM(集成設(shè)備制造)企業(yè),公司現(xiàn)擁有兩個(gè)生產(chǎn)基地(fab)。其中,F(xiàn)ab1已實(shí)現(xiàn)每月9000片6英...
增強(qiáng)型MOS晶體管,增強(qiáng)型MOS晶體管是什么意思
增強(qiáng)型MOS晶體管,增強(qiáng)型MOS晶體管是什么意思 根據(jù)導(dǎo)電方式的不同,MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指:當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài),加上
在做電源設(shè)計(jì)或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路時(shí),難免要用到MOS管。MOS管有很多種類,也有很多作用。做電源或者驅(qū)動(dòng)的使用,當(dāng)然要用到它的開關(guān)作用。無(wú)論N型或者P型...
場(chǎng)效應(yīng)管工作原理及特點(diǎn)和作用
MOS場(chǎng)效應(yīng)管分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底(基板)與源極S接在一起。金譽(yù)半導(dǎo)體之前提過(guò),它是根據(jù)導(dǎo)電方式的不同,MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。
2024-04-22 標(biāo)簽:放大器場(chǎng)效應(yīng)管MOS 2481 0
三種失效有一定的相關(guān)性,即一種失效可能引起其它種類的失效。功能失效和電參數(shù)失效的根源時(shí)??蓺w結(jié)于連接性失效。在缺乏復(fù)雜功能測(cè)試設(shè)備和測(cè)試程序的情況下,有...
ACM6753無(wú)霍爾傳感器 三相正弦波直流無(wú)刷電機(jī)BLDC馬達(dá)驅(qū)動(dòng)IC方案
引言 提到直流無(wú)刷電機(jī),那不得不提的就是有刷電機(jī)了。有刷電機(jī)有一個(gè)比較令人討厭的缺點(diǎn):那就是“吵”。因?yàn)殡娝⒑蛽Q向環(huán)需要時(shí)刻不停地摩擦,才能給電樞供電。...
基于EDA仿真驗(yàn)證進(jìn)行IGBT芯片研發(fā)的方法使用
IGBT是綜合MOS管和雙極型晶體管優(yōu)勢(shì)特征的一種半導(dǎo)體復(fù)合器件,作為功率半導(dǎo)體分離器件的代表,廣泛應(yīng)用于新能源汽車、消費(fèi)電子、工業(yè)控制領(lǐng)域,所涉及領(lǐng)域...
LP6451內(nèi)部集成了兩個(gè)MOS管,構(gòu)成同步Buck電路中所必須的上管和下管,同樣由于PCB上的走線,Die與芯片引腳之間Bonding線都會(huì)帶來(lái)寄生電...
2022-11-15 標(biāo)簽:MOS開關(guān)管微源半導(dǎo)體 2338 0
總投資10億元,源芯微年產(chǎn)20億只車規(guī)級(jí)芯片項(xiàng)目簽約浙江湖州
5月9日,浙江湖州南太湖新區(qū)與安徽源芯微電子有限責(zé)任公司簽署協(xié)議,計(jì)劃投建一個(gè)年產(chǎn)量達(dá)20億顆車規(guī)級(jí)芯片制造基地及碳化硅車規(guī)級(jí)芯片研發(fā)中心。
2024-05-10 標(biāo)簽:芯片MOS車規(guī)級(jí)芯片 2307 0
深度學(xué)習(xí)將對(duì)音頻處理產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響 亞馬遜團(tuán)隊(duì)深度噪聲抑制挑戰(zhàn)賽中獲勝
人們普遍認(rèn)為,深度學(xué)習(xí)最終將對(duì)音頻處理產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。 雖然仍有很多挑戰(zhàn),比如數(shù)據(jù)增強(qiáng),感知相關(guān)的損失函數(shù)或者處理看不見的情況,但未來(lái)依然非常令人興奮。
龍騰半導(dǎo)體MOS和IGBT在化成電源上的應(yīng)用
鋰電池化成是鋰電池剛生產(chǎn)出來(lái)后對(duì)其做一次充電,借以激活電池,其作用類似于對(duì)軟盤的"格式化",化成完成后電池才能開始正常的充放電。
ATA-2161高壓放大器在量子點(diǎn)顯示器發(fā)光MOS結(jié)中的應(yīng)用
實(shí)驗(yàn)名稱:用于超高分辨率量子點(diǎn)顯示器的發(fā)光MOS結(jié)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:為了避免亞微米級(jí)別發(fā)光像素之間的電學(xué)串?dāng)_和多層功能層之間的精確對(duì)準(zhǔn),我們提出了一種基于量子點(diǎn)...
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