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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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【測(cè)評(píng)報(bào)告】Infineon CoolMOS? P7提高電源效率評(píng)比
Infineon公司CoolMOS?系列一直是行業(yè)標(biāo)桿, 從跨時(shí)代意義的CoolMOS? C3到升級(jí)版的 CoolMOS? C6、 CoolMOS? C...
BTN7971B直流有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊PCB設(shè)計(jì)
好久不見(jiàn),今天主打一個(gè)分享。由標(biāo)題可見(jiàn),玩過(guò)單片機(jī)、搞過(guò)智能車(chē)的小伙伴應(yīng)該對(duì)BTN都不陌生,一個(gè)強(qiáng)大而又好用的直流有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊。這次呢就分享一下我的...
2023-09-01 標(biāo)簽:PWMMOS驅(qū)動(dòng)模塊 7437 0
在半導(dǎo)體芯片的物理和故障分析過(guò)程中(即驗(yàn)證實(shí)際沉積的層,與導(dǎo)致電路故障的原因),為了評(píng)估復(fù)雜的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),擁有適當(dāng)?shù)奶幚砉ぞ咧陵P(guān)重要。為制造的每件產(chǎn)品開(kāi)...
Boost/Buck升/降壓IC原理與常見(jiàn)的FP6715應(yīng)用
眾所周知,升壓芯片在諸多電子電路中均有所應(yīng)用,在現(xiàn)代生活中,升壓芯片是不可或缺的器件之一。對(duì)于升壓芯片,想必大家均具備一定了解。在本文中,將主要為大家講...
什么是MOS管?它有什么特點(diǎn)?在常見(jiàn)的控制器電路中,MOS管有幾個(gè)工作狀態(tài),而MOS 主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài),本文就來(lái)探討一下MOS的這些狀態(tài)的原理。...
3種MOS管的基本電路及拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的放大特性
MOS管有三個(gè)端子,確切的說(shuō),有四個(gè)端子,分別是源極,漏極,柵極還有襯底極。
學(xué)技術(shù) | 氮化鎵(GaN)與硅(Si)的MOS開(kāi)關(guān)比較
由于寬能隙功率元件的優(yōu)異切換性能,近幾年已經(jīng)漸漸被商用化。常見(jiàn)的問(wèn)題,如:究竟寬能隙元件對(duì)于系統(tǒng)的功率密度與效率的提升幫助有多少?原先所使用的以硅為基礎(chǔ)...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/程文智)根據(jù)書(shū)本上的定義,兩個(gè)相互靠近的導(dǎo)體,中間夾一層不導(dǎo)電的絕緣介質(zhì),就構(gòu)成了一個(gè)電容。當(dāng)兩個(gè)極板之間加上電壓時(shí),電容就會(huì)儲(chǔ)存...
跨接直流電源MOS管GS之間的電阻的實(shí)際作用在于直流電源MOS管GS的驅(qū)動(dòng)電路。這種阻力可能存在也可能不存在。常用值是5k和10k,但是這個(gè)電阻的目的是...
為什么MOS管要并聯(lián)個(gè)二極管,有什么作用?
這要從MOS的工藝和結(jié)構(gòu)說(shuō)起,不管是MOS還是二極管,都是由半導(dǎo)體材料構(gòu)成,我們都知道二極管是由一對(duì)PN結(jié)構(gòu)成,見(jiàn)下圖,P型區(qū)對(duì)應(yīng)二極管的陽(yáng)極,N型區(qū)對(duì)...
HC030N10L介紹 場(chǎng)效應(yīng)管100V MOS管100V 30A TO-252 N溝道MOS管
? ■HC030N10L是一款采用SGT工藝超結(jié)MOS管,低開(kāi)啟電壓1.5V,低內(nèi)阻,低結(jié)電容,低開(kāi)啟電壓,溫升低,轉(zhuǎn)換效率高,過(guò)電流大,抗沖擊能力強(qiáng)。...
2021-01-20 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS 6434 0
反激電源作為最常用的拓?fù)渲?,設(shè)計(jì)好變壓器和MOS這兩個(gè)器件就很重要,變壓器的漏感會(huì)帶來(lái)原邊振鈴,其產(chǎn)生的電壓尖峰會(huì)損壞MOS,想必大家對(duì)如何抑制振鈴都...
FinFET和SOI結(jié)構(gòu)均具有更好的柵極控制和較低的閾值電壓,且泄漏較少。但是,當(dāng)我們移到較低的技術(shù)節(jié)點(diǎn)(例如10nm節(jié)點(diǎn)以下)時(shí),泄漏問(wèn)題再次開(kāi)始。這
用IR2104制作雙電機(jī)的MOS驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方案
首先,本人參考了 《大功率直流馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)ABU ROBOCON 2005比賽之動(dòng)力方案》 按照這個(gè)原理圖,我熱轉(zhuǎn)印制作了單個(gè)全橋的實(shí)驗(yàn)電路。個(gè)別的電阻電...
60VMOS管30N06 30A 低結(jié)電容場(chǎng)效應(yīng)管SOP-8封裝
型號(hào):HC037N06LS 參數(shù):60V 8A? 類(lèi)型:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 內(nèi)阻31mR 低結(jié)電容650pF? 封裝:貼片(SOP-8) 低開(kāi)啟電壓1.8V...
2021-01-11 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管MOS 5904 0
bms怎么區(qū)分充放電mos? BMS(電池管理系統(tǒng))是控制和監(jiān)測(cè)電池的重要組成部分,其中包括充放電MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體),用于控制電池的充電和放電過(guò)...
2024-03-27 標(biāo)簽:電池管理系統(tǒng)充放電MOS 5695 0
捷捷微電投建MOS管、IGBT等項(xiàng)目,增募資不超9.11億元
項(xiàng)目的實(shí)施,有利于解決產(chǎn)能限制,擴(kuò)大產(chǎn)品覆蓋率,滿足業(yè)務(wù)擴(kuò)張需求。
輸入3.7V升壓5V,3.7V轉(zhuǎn)5V電路圖芯片
異步升壓IC,內(nèi)置3.5A,0.14Ω,16Vmos管,最高12V的輸出電壓(可調(diào)),最大輸出功率是10W,靜態(tài)功耗關(guān)斷電流0.1uA,可調(diào)式過(guò)流保護(hù)0...
U6203D內(nèi)置MOS電源芯片是一款高性能的副邊反饋控制器
CC 工作模式:在CC工作狀態(tài),高效率電源芯片U6203D采樣FB引腳的信號(hào)(由輔助繞組信號(hào)通過(guò)電阻分壓),輔助繞組信號(hào)脈寬決定振蕩頻率。輸出電壓越高,...
根據(jù)Boost架構(gòu)類(lèi)型不同,Boost可分為同步和異步兩個(gè)大類(lèi),實(shí)際應(yīng)用的時(shí)候,會(huì)結(jié)合工作電壓和應(yīng)用場(chǎng)景不同來(lái)選型,因此在此基礎(chǔ)上,微源Boost會(huì)有更...
2022-07-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器BoostMOS 5237 0
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