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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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SIC977X系列高功率因素非隔離智能降電流去COMP/VDD
型號(hào)? ?? ?? ?? ?PF? ?? ?? ?? ?MOSFET? ?? ?? ?? ?封裝? ?? ?? ?? ?? ?? ?應(yīng)用范圍 SIC97...
BSB017N03LX3 G替代型號(hào)PC003NG-E,30V150A 33mΩ
BSB017N03LX3 G替代型號(hào)PC003NG-E,30V150A 33mΩ
2023-03-17 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS 1097 0
NP2302FHR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302FHR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
遠(yuǎn)翔FP6293 異步內(nèi)置MOS升壓恒壓芯片,可單/雙節(jié)鋰電池升壓輸出
FP6293是一個(gè)電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。它的PWM電路內(nèi)置0.14Ω功率MOSFET使該調(diào)節(jié)器高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)還可以最小化多達(dá)6個(gè)外部組件計(jì)數(shù)...
8.2.2 分裂準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的MOS靜電學(xué)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
8.2.2分裂準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的MOS靜電學(xué)8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、...
2022-02-23 標(biāo)簽:MOS 1093 0
瞄準(zhǔn)SiC MOS出貨量飆升,五大策略應(yīng)對(duì)市場(chǎng)挑戰(zhàn)
截至2023年,1200V碳化硅器件累計(jì)出貨超過(guò)了2400萬(wàn)顆,得到了新能源汽車、消費(fèi)電子以及工業(yè)市場(chǎng)的客戶好評(píng)。其中SiC MOSFET營(yíng)收迅速提升,...
拓爾微TMI2283QE同步降壓轉(zhuǎn)換器賦能新一代多口桌面充電站
無(wú)線充電的發(fā)展速度就像脫韁的野馬,并且從智能手機(jī)領(lǐng)域延伸到各種移動(dòng)設(shè)備、電動(dòng)工具、電動(dòng)自行車等領(lǐng)域上,其發(fā)展及應(yīng)用擴(kuò)展的速度可謂是一日千里。面對(duì)無(wú)線充電...
2023-02-15 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器MOS 1085 0
徳普低中壓MOS,高耐壓,地內(nèi)阻,打線好,無(wú)卡點(diǎn),客戶真實(shí)測(cè)試耐壓值遠(yuǎn)高于標(biāo)準(zhǔn)。
Rdson一致性好,可以有效控制損耗,降低溫升 ? EAS穩(wěn)定,滿足鋰電池短路和大電流沖擊 ? Vth一致性好,支持BMS應(yīng)用中多顆并聯(lián)使用 ? 廣泛應(yīng)...
集成采樣電阻和mos的IEEE 802.3af/at標(biāo)準(zhǔn)8端口PSE TMI7608R/S系列
隨著網(wǎng)絡(luò)中IP電話、網(wǎng)絡(luò)視頻監(jiān)控以及無(wú)線以太網(wǎng)設(shè)備的日益廣泛,通過(guò)以太網(wǎng)本身提供電力支持的要求也越來(lái)越迫切。多數(shù)情況下,終端設(shè)備需要直流供電,而終端設(shè)備...
5G通信基站的能效先鋒 |仁懋MOSFET在通信基站電源領(lǐng)域的應(yīng)用
在移動(dòng)通信基站電源領(lǐng)域,仁懋電子以其卓越的高壓SJCOOLMOS和中低壓TrenchMOS產(chǎn)品技術(shù),為市場(chǎng)提供了高效能、低損耗的解決方案。隨著5G技術(shù)的...
NP2312AMR(20v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2312A使用先進(jìn)的海溝技術(shù) 提供優(yōu)秀的RDS()、低門和收費(fèi) 操作門電壓2.5 v。這 設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
MOS產(chǎn)品在儲(chǔ)能上的應(yīng)用介紹與分析
1、儲(chǔ)能簡(jiǎn)介 ? “儲(chǔ)能”是通過(guò)化學(xué)或物理的方法將電能儲(chǔ)存起來(lái)并在需要時(shí)釋放的相關(guān)技術(shù)及措施。依據(jù)儲(chǔ)存方式,儲(chǔ)能可分為機(jī)械儲(chǔ)能、電磁儲(chǔ)能、電化學(xué)儲(chǔ)能、熱...
國(guó)芯思辰|N溝道MOS管PGT06N009助力BMS電路穩(wěn)定提升,內(nèi)阻0.67mΩ
國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-07-18 標(biāo)簽:MOS管MOSbms系統(tǒng) 1035 0
8.2.1 MOS靜電學(xué)回顧∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
8.2.1MOS靜電學(xué)回顧8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》...
RS瑞森半導(dǎo)體MOS管在便攜式儲(chǔ)能電源上的應(yīng)用
便攜式儲(chǔ)能電源MOS管應(yīng)用,主逆變儲(chǔ)能單元,推薦“平面高壓MOS”系列;DC-DC單元,推薦“低壓MOS-SGT”系列
什么是多層氧化物MOS集成電路 所有 MOS 集成電路 (包括 P 溝道 MOS, N 溝道 MOS, 互補(bǔ) MOS — CMOS 集成電路) 都有一...
Linear推出高速同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器
Linear推出高速同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推...
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