mos

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MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

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mos技術(shù)

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—輸入電容（下）

上一章我們講到圖片的變化趨勢(shì)，可以按照相同的方式進(jìn)行分析，即柵極與漏極極之間的電容。

2023-11-29 標(biāo)簽：IGBT MOS 等效電路 1701 0

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—輸入電容（上）

MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，氧化物是絕緣層，有絕緣層即意味著存在電容。

2023-11-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT MOS 2943 0

與MOS不同，IGBT高溫/常溫輸出特性曲線為何有交點(diǎn)？

其中本征載流子濃度ni隨溫度升高而急劇增大，導(dǎo)致Vbi隨溫度升高而減小，呈現(xiàn)負(fù)的溫度系數(shù)。

2023-11-29 標(biāo)簽：IGBT MOS PN結(jié) 1579 0

PN結(jié)對(duì)IGBT器件的重要性

IGBT與功率MOS最大的區(qū)別就是背面多了一個(gè)pn結(jié)，在正向?qū)〞r(shí)，背面pn結(jié)構(gòu)向N-區(qū)注入空穴，使得N-區(qū)的電阻率急劇減小（即電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)）。

2023-11-29 標(biāo)簽：IGBT MOS PN結(jié) 1364 0

淺析IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—Rds(on)

在推導(dǎo)MOS的IV特性時(shí)，我們通過建立了電阻R和電壓V之間的關(guān)系，從而消除歐姆定律中的電阻R，得到電流與電壓之間的關(guān)系，但這里所討論的電阻僅僅是溝道電阻。

2023-11-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT MOS 2424 0

IGBT中的MOS器件電壓、電流與閾值電壓之間的關(guān)系

分析完閾值電壓的機(jī)制后，下面我們重點(diǎn)分析一下MOS器件的電壓、電流與閾值電壓之間的關(guān)系。

2023-11-29 標(biāo)簽：IGBT MOS 閾值電壓 4651 0

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—閾值電壓（上）

MOS之所以能夠以電壓控制，并起到開關(guān)的作用，正是由于上述反型層的機(jī)制

2023-11-29 標(biāo)簽：多晶硅 IGBT MOS 5408 0

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—反型層論述

在“IGBT中的若干PN結(jié)”一章中我們提到，IGBT是由BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）所構(gòu)成

2023-11-29 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 晶體管 4774 0

【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn)：超級(jí)結(jié)MOSFET（SJ-MOS）

2023-12-13 標(biāo)簽：MOSFET 接口 MOS 1469 0

同步整流和異步整流介紹

一、同步整流同步整流是采用Rdson較低功率MOS，取代了異步整流中續(xù)流二極管以降低續(xù)流損耗的一種類型。由于功率MOS屬于電壓型器件。用功率MOS做整...

2023-11-20 標(biāo)簽：電源電容 MOS 3246 0

異步DCDC中的自舉電容

異步 DCDC 中的自舉電容下面，我們通過一幅圖來看一下，對(duì)于異步 DCDC 芯片，它的自舉電容的充電回路是怎么樣的，因?yàn)楫惒?DCDC 沒有低邊的 ...

2023-11-20 標(biāo)簽：電源二極管電容 934 0

國產(chǎn)碳化硅MOS推薦-不間斷電源

不間斷電源（UPS）是一種將蓄電池與主機(jī)相連接，將直流電轉(zhuǎn)換成市電的系統(tǒng)設(shè)備，主要是為了在市電故障時(shí)能夠?yàn)橛?jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)或其他電力電子設(shè)備提供可靠和連續(xù)的電能。

2023-11-20 標(biāo)簽：蓄電池不間斷電源 MOS 1033 0

國產(chǎn)碳化硅MOS推薦-主驅(qū)逆變器

主驅(qū)逆變器是電動(dòng)汽車動(dòng)力執(zhí)行單元的關(guān)鍵部件，它從VCU獲取扭矩指令，從高壓電池包獲取電能

2023-11-16 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器 MOS 1161 0

南芯POWERQUARK?系列AC/DC轉(zhuǎn)換器解決方案

功率密度的大幅提升離不開第三代半導(dǎo)體的助力，氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，它可在更高的頻率下運(yùn)行，且具有更快的開關(guān)速度和更低的功耗。2018年前后...

2023-11-15 標(biāo)簽：MOS 功率器件氮化鎵 570 0

汽車直流充電樁設(shè)計(jì)圖

傳統(tǒng)汽車行業(yè)的智能化、電動(dòng)化趨勢(shì)帶來了充電樁產(chǎn)品的爆發(fā)式增長(zhǎng)，但同時(shí)大功率化、雙向充電以及更高更寬的輸出電壓范圍也成了充電樁的技術(shù)挑戰(zhàn)。

2023-11-13 標(biāo)簽：MOSFET 元器件 MOS 1308 0

什么是半導(dǎo)體？功率半導(dǎo)體器件的分類功率MOS器件結(jié)構(gòu)及工作原理

電子電力器件又稱為功率半導(dǎo)體器件，在世界上已經(jīng)得到了極為廣泛的運(yùn)用，主要是作為開關(guān)和放大器來使用。它出現(xiàn)在社會(huì)生活中的各個(gè)方面，如醫(yī)療、教育、能源、環(huán)境...

2023-11-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS 功率器件 9977 0

常用功率半導(dǎo)體器件知識(shí)匯總總結(jié)

晶閘管（SCR）自問世以來，其功率容量提高了近3000倍。現(xiàn)在許多國家已能穩(wěn)定生產(chǎn)8kV / 4kA的晶閘管。日本現(xiàn)在已投產(chǎn)8kV / 4kA和6kV ...

2023-11-09 標(biāo)簽：晶閘管 MOS 功率器件 1133 0

ARK(方舟微)的MOSFET產(chǎn)品簡(jiǎn)介和常見問題解答

ARK（方舟微）研發(fā)銷售的MOS產(chǎn)品主要以N溝道-耗盡型MOSFET為主（包括具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高閾值電壓（UltraVt?）耗盡型MOSFET系列產(chǎn)品...

2023-11-07 標(biāo)簽：ESD MOSFET JFET 1388 0

關(guān)于LDO的常見問題分享

為什么總是這么燙？ LDO主要的功耗來自于內(nèi)部的MOS管上的壓差與輸出電流的乘積。壓差越大，電流越大，功耗越大，因此芯片就會(huì)越燙。

2023-11-06 標(biāo)簽：電流電容 ldo 2422 0

淺談MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的分類及工作原理

JFET工作電流很小，適合于模擬信號(hào)放大，分為N溝道和P溝道兩種。與雙極型晶體管中的NPN和PNP類似，N溝道和P溝道僅是工作電流的方向相反。而...

2023-11-04 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管 NMOS 3270 0

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IOT

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲(chǔ)器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊，屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層，功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無線網(wǎng)絡(luò)通信標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式模塊，內(nèi)置無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設(shè)備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng)，是實(shí)現(xiàn)無線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的重要組成部分。
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MPU-6000（6050）為全球首例整合性6軸運(yùn)動(dòng)處理組件，相較于多組件方案，免除了組合陀螺儀與加速器時(shí)間軸之差的問題，減少了大量的封裝空間。
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74LS74是雙D觸發(fā)器。功能多，可作雙穩(wěn)態(tài)、寄存器、移位寄存器、振蕩器、單穩(wěn)態(tài)、分頻計(jì)數(shù)器等功能。本章詳細(xì)介紹了74ls112的功能及原理，74ls74引腳圖及功能表，74ls112的應(yīng)用等內(nèi)容。
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Proteus軟件是英國Lab Center Electronics公司出版的EDA工具軟件（該軟件中國總代理為廣州風(fēng)標(biāo)電子技術(shù)有限公司）。它不僅具有其它EDA工具軟件的仿真功能，還能仿真單片機(jī)及外圍器件。
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光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的?？梢酝ㄟ^控制脈沖個(gè)數(shù)來控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過控制脈沖頻率來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點(diǎn)是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動(dòng)態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無線發(fā)射，cd4046運(yùn)用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
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COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過模擬，賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
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加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員，到目前為止尚沒有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
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四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡(jiǎn)稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
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802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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