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MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

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mos技術(shù)

電子世界的開關(guān)大師：MOS場效應晶體管

屬-氧化物-半導體場效應晶體管，也就是我們熟知的MOSFET。它就像是高速信息公路上的交通警察，控制著電流的方向和大小，讓整個系統(tǒng)高效而穩(wěn)定地運行。

2024-04-12 標簽：晶體管 MOS MOSFET管 841 0

電子元器件失效分析技術(shù)

電測在失效分析中的作用重現(xiàn)失效現(xiàn)象，確定失效模式，縮小故障隔離區(qū)，確定失效定位的激勵條件，為進行信號尋跡法失效定位創(chuàng)造條件

2024-04-12 標簽：電子元器件 MOS 失效分析 859 0

基于JEDEC柵電荷測試方法測量MOSFET的柵電荷

在柵極電荷方法中，將固定測試電流（Ig）引入MOS晶體管的柵極，并且測量的柵極源電壓（Vgs）與流入柵極的電荷相對應。對漏極端子施加一個固定的電壓偏置。

2024-04-10 標簽：MOSFET 電源管理晶體管 2527 0

深入探索芯片內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)

SDA和SCL都是雙向線路，都通過一個電流源或上拉電阻連接到正的電源電壓。當總線空閑時，這兩條線路都是高電平，連接到總線的器件輸出級必須是漏極開路或集電...

2024-04-10 標簽：芯片振蕩器場效應管 588 0

ACM5807寬電壓同步升壓控制器介紹

ACM5807是一款同步升壓控制器，同步升壓效率高，對于大功率應用非常重要。升壓范圍在5-36V，更寬的電壓符合大部分應用。

2024-03-29 標簽：電壓 MOS 電源系統(tǒng) 2470 0

深度解析MOS場效應管應用實例

MOSFET的輸入電阻很高，高達109Ω以上，從導電溝道來分，可以分為N溝道和P溝道兩種，無論是N溝道還是P溝道，又可以分為增強型和耗盡型。

2024-03-26 標簽：三極管電容器 MOSFET 807 0

常見的電平電路轉(zhuǎn)換方法

當 SDA2 輸出低電平時：MOS 管不導通，但是它有體二極管，MOS 管里的體二極管把 SDA1 拉低到低電平，此時 Vgs 約等于 3.3V，MOS...

2024-03-25 標簽：二極管上拉電阻 MOS 8391 0

LLC天王大功率設計的12個工作狀態(tài)解析

諧振LLC技術(shù)，ZVS和ZCS使得提高了效率，正玄波形式，可以提高開關(guān)頻率，使得MOS少，變壓器小，可磁集成，所以功率密度提升；另外高Q值的旋波電流，使...

2024-03-22 標簽：變壓器 MOS LLC 1705 0

一個簡單的MOS驅(qū)動電路設計

看了一眼這個電路，我感覺有問題，MOS管應該不會導通，就跟同事講了，同事說這個電路是之前用過的，認為沒有問題，于是就上電了。

2024-03-22 標簽：單片機 NMOS 發(fā)光二極管 933 0

車載逆變器是干什么用的車載逆變器電路原理圖

車載逆變器是一種設備，用于將車輛的直流電（通常是由車輛電池提供）轉(zhuǎn)換為交流電，以供給車內(nèi)的電子設備使用。

2024-03-20 標簽：三極管逆變器車載逆變器 3445 0

碳化硅MOS、超結(jié)MOS與IGBT性能比較

Si-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結(jié)MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時，漂移層會變厚，導致導通電阻增加的問題。

2024-03-19 標簽：二極管 IGBT MOS 9522 0

揭秘芯片制造工藝——硅的氧化過程

由于只有熱氧化法可以提供最低界面陷阱密度的高質(zhì)量氧化層，因此通常采用熱氧化的方法生成柵氧化層和場氧化層。

2024-03-13 標簽：集成電路芯片制造 MOS 4891 0

靜電放電對元器件的損傷及其控制要求

半導體器件在使用過程中最常見的失效模式之一，就是靜電放電和電浪涌引起對器件造成的損傷。其破壞性是嚴重的，已成了影響元器件可靠性最大的隱患，因而其實際的防...

2024-03-04 標簽：二極管 ESD 元器件 4822 0

CCD傳感器的基本原理及過程示意圖

CCD的最基本單元：MOS電容器是構(gòu)成CCD的最基本單元是，它是金屬一氧化物一半導體（MOS〉器件中結(jié)構(gòu)最為簡單的。

2024-02-27 標簽：傳感器放大器 CCD 7572 0

輻射對元器件的作用機理

當帶電離子、電子或射線通過MOS結(jié)構(gòu)的硅和二氧化硅絕緣層時，引起原子電離而產(chǎn)生電子—空穴對，在外加電場條件下，電子在1ps(1×10-12s)時間內(nèi)被電...

2024-02-27 標簽：元器件電子系統(tǒng)MOS 5006 0

同步整流降壓轉(zhuǎn)換器損耗有哪些

同步整流降壓轉(zhuǎn)換器是一種高效率的DC-DC轉(zhuǎn)換器，它利用低導通電阻的功率MOSFET代替?zhèn)鹘y(tǒng)的二極管作為整流元件，以減少整流過程中的能量損耗。盡管同步整...

2024-02-26 標簽：MOS 降壓轉(zhuǎn)換器同步整流 1268 0

MOS管損壞的原因及解決方案

MOS在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導通的過渡過程）、導通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導通到截止的過渡過程）、截止狀態(tài)。

2024-02-26 標簽：串聯(lián)電阻驅(qū)動器控制器 7615 0

MOSFET柵極電路的常見作用 PNP加速關(guān)斷驅(qū)動電路

首先說一下電源IC直接驅(qū)動，下圖是我們最常用的直接驅(qū)動方式，在這類方式中，我們由于驅(qū)動電路未做過多處理，因此我們進行PCB LAYOUT時要盡量進行優(yōu)化。

2024-02-26 標簽：變壓器二極管電流 3599 0

詳細介紹OVP過壓保護芯片的功能及使用方法

OVP過壓保護IC：為了保護后級電路，平芯微早早推出了系列OVP過壓保護芯片產(chǎn)品，很多客戶對于OVP過壓保護芯片的功能和使用仍然存在一些誤解。這次我們平...

2024-02-22 標簽：示波器過壓保護輸出電壓 3844 0

什么是場效應管 MOS場效應管的電路符號

場效應管，即場效應晶體管（簡稱FET），是一種電壓控制型半導體器件。

2024-02-20 標簽：場效應管 JFET FET 3791 0

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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。
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wifi模塊ESP8266的默認波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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