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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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對(duì)于速度飽和所引起的電流飽和情況,一般說(shuō)來(lái),當(dāng)電場(chǎng)很強(qiáng)、載流子速度飽和之后,再進(jìn)一步增大源-漏電壓,也不會(huì)使電流增大。因此,這時(shí)的飽和電流原則上是與源-...
Buck電源的SW振鈴產(chǎn)生原因是什么?如何抑制呢?
正好手上有一塊電源板,一時(shí)興起,點(diǎn)了下SW節(jié)點(diǎn)。如下圖所示,振鈴還是很明顯的,最高達(dá)到18.4V。
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MDD100N03D 先進(jìn)Trench工藝N溝道的大電流低內(nèi)阻MOS
? 在智能家居和電動(dòng)工具領(lǐng)域,電機(jī)驅(qū)動(dòng)的效率與可靠性直接決定了用戶體驗(yàn)。無(wú)論是洗地機(jī)的強(qiáng)勁動(dòng)力、掃地機(jī)器人的持久續(xù)航,還是電動(dòng)工具的高效作業(yè),都離不開(kāi)一...
關(guān)于MOS應(yīng)用設(shè)計(jì),這些要點(diǎn)不可忽視
這是網(wǎng)上評(píng)價(jià)非常高的一篇關(guān)于MOS管電路工作原理的講解,從管腳的識(shí)別,到極性的分辨,再到常用
2017-12-15 標(biāo)簽:mos高功率因數(shù) 1.2萬(wàn) 0
學(xué)習(xí)場(chǎng)效應(yīng)管 這篇文章管夠
MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,屬于絕緣柵型,本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話簡(jiǎn)單描述。
mos是什么電子元件 如何建立mos管和電路的關(guān)系
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)是一種常見(jiàn)的電子元件,特別是在集成電路中廣泛使用。MOS是一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu),其中包括一個(gè)金...
你了解IC內(nèi)部結(jié)構(gòu)嗎本文帶你深入了解
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是IC內(nèi)部結(jié)構(gòu) 你了解IC內(nèi)部結(jié)構(gòu)嗎本文帶你深入了解
12V轉(zhuǎn)220V逆變器電路圖 12V轉(zhuǎn)交流220V逆變器的工作原理
今天我們來(lái)介紹一款逆變器(見(jiàn)圖1)主要由MOS場(chǎng)效應(yīng)管,普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場(chǎng)效應(yīng)管和電源變壓器的功率,免除了煩瑣的變壓器繞制,適...
2023-07-17 標(biāo)簽:變壓器場(chǎng)效應(yīng)管電源電路 1.2萬(wàn) 0
使用單片機(jī)經(jīng)常會(huì)碰到的一些問(wèn)題和解決方法
工作和生活中會(huì)遇到許許多多的問(wèn)題,可能讓你一時(shí)陷于其中,但是總有解決的辦法。隨時(shí)記下遇到的問(wèn)題,并做好總結(jié),一方面有助于積累,另一方面也避免同一次錯(cuò)誤再犯。
負(fù)載開(kāi)關(guān)電路日常應(yīng)用比較廣泛,主要用來(lái)控制后級(jí)負(fù)載的電源開(kāi)關(guān)。此功能可以直接用IC也可以用分立器件搭建,分立器件主要用PMOS加三極管實(shí)現(xiàn)。本文主要討論...
2023-03-10 標(biāo)簽:電路分析開(kāi)關(guān)電路電源開(kāi)關(guān) 1.1萬(wàn) 0
三相逆變橋電路、原理、導(dǎo)通及相關(guān)問(wèn)題
三相逆變電路 2.導(dǎo)通原理 如上圖所示,為一相的逆變橋。上下MOS管不能同時(shí)導(dǎo)通,那么可以有幾種控制方式: PWM控制上管,下管電平控制(恒高或者橫低)...
2024-11-19 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)PWMMOS 1.1萬(wàn) 0
如下圖所示,左邊為NMOS,右邊為PMOS,由MOS管的結(jié)構(gòu)可以看出,其襯底B與漏極D整好構(gòu)成一個(gè)PN結(jié),這個(gè)PN是由于MOS結(jié)構(gòu)天然而成的,如果將...
MOS晶體管中的漏極/源極和襯底結(jié)在晶體管工作期間被反向偏置。這會(huì)導(dǎo)致器件中出現(xiàn)反向偏置的漏電流。這種漏電流可能是由于反向偏置區(qū)域中少數(shù)載流子的漂移/擴(kuò)...
1、P型和N型半導(dǎo)體:本征半導(dǎo)體摻雜三價(jià)元素,根據(jù)高中學(xué)的化學(xué)鍵穩(wěn)定性原理,會(huì)有“空穴”容易導(dǎo)電,因此,這里空穴是“多子”即多數(shù)載流子,摻雜類(lèi)型為P(p...
二、灌流電路 1、MOS管作為開(kāi)關(guān)管應(yīng)用的特殊驅(qū)動(dòng)電路; 灌流電路MOS管和普通晶體三極管相比,有諸多的優(yōu)點(diǎn),但是在作為大功率開(kāi)關(guān)管應(yīng)用時(shí),由于MOS管...
2021-03-25 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電源電路MOS管 1.1萬(wàn) 0
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