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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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三極管開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)思路假設(shè)成真,還要保證啥條件?
本文只介紹作為開(kāi)關(guān)管使用時(shí)的電路設(shè)計(jì)介紹電路之前,我們需要了解一下壓控和流控的概念壓控:是指電壓作為控制信號(hào),理想狀態(tài)下,對(duì)于MOS只要VGS的電壓滿(mǎn)足...
2025-03-08 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電路MOS 1040 0
LP38851 具有啟用功能的 800mA、低 VIN (0.915V)、可調(diào)超低壓差穩(wěn)壓器
LP38851-ADJ 是一款大電流、快速響應(yīng)穩(wěn)壓器,能夠以極低的輸入至輸出電壓降保持輸出電壓調(diào)節(jié)。該器件采用 CMOS 工藝制造,采用兩種輸入電壓工作...
從焊接虛焊到靜電擊穿:MDDMOS管安裝環(huán)節(jié)的問(wèn)題
在電子制造中,MDDMOS管的安裝環(huán)節(jié)暗藏諸多風(fēng)險(xiǎn)。某智能手表產(chǎn)線(xiàn)因焊接虛焊導(dǎo)致30%的MOS管失效,返工成本超百萬(wàn)。本文MDD通過(guò)典型故障案例,剖析安...
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)踩坑錄:MDDMOS管開(kāi)關(guān)異常的診斷與修復(fù)
在電力電子系統(tǒng)中,MDDMOS管的開(kāi)關(guān)異常往往導(dǎo)致效率驟降、EMI超標(biāo)甚至器件損毀。某新能源汽車(chē)OBC模塊因驅(qū)動(dòng)波形振蕩引發(fā)MOS管過(guò)熱,導(dǎo)致整機(jī)返修率...
2025-03-06 標(biāo)簽:MOS驅(qū)動(dòng)電路MDD 488 0
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MDD100N03D 先進(jìn)Trench工藝N溝道的大電流低內(nèi)阻MOS
? 在智能家居和電動(dòng)工具領(lǐng)域,電機(jī)驅(qū)動(dòng)的效率與可靠性直接決定了用戶(hù)體驗(yàn)。無(wú)論是洗地機(jī)的強(qiáng)勁動(dòng)力、掃地機(jī)器人的持久續(xù)航,還是電動(dòng)工具的高效作業(yè),都離不開(kāi)一...
MOS管發(fā)燙嚴(yán)重:從散熱設(shè)計(jì)到驅(qū)動(dòng)波形的優(yōu)化實(shí)戰(zhàn)
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換等場(chǎng)景中,MDDMOS管?chē)?yán)重發(fā)熱是工程師面臨的常見(jiàn)挑戰(zhàn)。某工業(yè)伺服驅(qū)動(dòng)器因MOS管溫升達(dá)105℃,導(dǎo)致系統(tǒng)頻繁觸發(fā)過(guò)溫保護(hù)。本文通過(guò)...
2025-03-05 標(biāo)簽:MOS管散熱設(shè)計(jì)MOS 971 0
MOS管選型十大陷阱:參數(shù)誤讀引發(fā)的血淚教訓(xùn)MDD
在電力電子設(shè)計(jì)中,MOS管選型失誤導(dǎo)致的硬件失效屢見(jiàn)不鮮。某光伏逆變器因忽視Coss參數(shù)引發(fā)炸管,直接損失50萬(wàn)元。本文以真實(shí)案例為鑒,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體...
在電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,MOS管燒毀是工程師常遇的棘手問(wèn)題。MDD辰達(dá)半導(dǎo)體在本文結(jié)合典型失效案例與工程實(shí)踐,深度解析五大核心失效機(jī)理及防護(hù)策略,為電路可靠性...
芯片干貨 | 異步內(nèi)置MOS升壓恒壓芯片F(xiàn)P6296,最高輸出5-12V/30W,輸入限流可調(diào)
FP6296是一個(gè)電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。它是PWM電路與內(nèi)置的15mΩ功率MOSFET,使該調(diào)節(jié)器的高功率效率。誤差放大器的非反相輸入連接到一個(gè)...
2025-02-28 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器MOS 567 0
自研體二極管技術(shù)如何改寫(xiě)戶(hù)儲(chǔ)MOS游戲規(guī)則?
戶(hù)儲(chǔ)行業(yè)痛點(diǎn):PFC電路的“沉默殺手”在家庭儲(chǔ)能系統(tǒng)普及率突破18%的今天,PFC(功率因數(shù)校正)電路MOS失效卻成為行業(yè)隱形痛點(diǎn)——某第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)數(shù)...
MOS管防倒灌電路設(shè)計(jì)如下圖所示:在某些應(yīng)用中,如電池充電電路中,B點(diǎn)是充電器接口,C點(diǎn)是電池接口,為了防止充電器拔掉時(shí),電池電壓出現(xiàn)在充電接口。(Q1...
超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621展現(xiàn)低功耗特性
#超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621展現(xiàn)低功耗特性#在全負(fù)載范圍內(nèi),相比傳統(tǒng)功率器件,超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621能為用戶(hù)節(jié)省更多的電能。...
從熱失控到效率飛躍——仁懋三款MOS器件重塑儲(chǔ)能電源設(shè)計(jì)
在戶(hù)外電源、移動(dòng)儲(chǔ)能箱等便攜式設(shè)備爆發(fā)式增長(zhǎng)的背后,工程師們正面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn):“高功率密度、低溫升、長(zhǎng)壽命”的“不可能三角”。傳統(tǒng)封裝MOS器件受限于結(jié)構(gòu)...
異步內(nèi)置MOS升壓恒壓FP6298,最高輸出5-9V/9-11W,輸入限流可調(diào)
概述FP6298是一個(gè)電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。它是內(nèi)置PWM電路0.08Ω功率MOSFET,使該調(diào)節(jié)器高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)還可以最小化多達(dá)6個(gè)外部組...
2025-02-14 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器MOSFET 558 0
開(kāi)關(guān)電源MOS的8大損耗計(jì)算與選型原則
MOS管損耗的8個(gè)組成部分在器件設(shè)計(jì)選擇過(guò)程中需要對(duì)MOSFET的工作過(guò)程損耗進(jìn)行先期計(jì)算(所謂先期計(jì)算是指在沒(méi)能夠測(cè)試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格...
2025-02-11 標(biāo)簽:負(fù)載電流開(kāi)關(guān)電源電壓 3050 0
遠(yuǎn)翔內(nèi)置MOS降壓控制芯片F(xiàn)P7153特殊功能說(shuō)明與FB Pin 調(diào)光控制、電路計(jì)算公式說(shuō)明
功能說(shuō)明a.EN開(kāi)關(guān)控制EN小於0.3V將IC關(guān)閉,VccPin耗電流0.1μA,EN大於1.5V啟動(dòng)IC,不做開(kāi)關(guān)控制直接將EN接到Vin。切記勿將E...
在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)與應(yīng)用中,MOS管(場(chǎng)效應(yīng)管)作為一種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)元件廣泛應(yīng)用于各種電路中。然而,有時(shí)候即使電流不大,MOS管也會(huì)出現(xiàn)發(fā)熱現(xiàn)象,這不僅會(huì)影...
2025-02-07 標(biāo)簽:電流場(chǎng)效應(yīng)管MOS 770 0
垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學(xué)領(lǐng)域的一次革命性進(jìn)展。這種集成能夠使驅(qū)動(dòng)和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中,我們...
其利天下技術(shù)·mos管和IGBT有什么區(qū)別
MOS管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)和IGBT(Insulated-GateBip...
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