完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>
標簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
文章:881個 瀏覽:97066次 帖子:209個
MOS晶體管結(jié)構(gòu)與CMOS單元電路與版圖闡述
作者 IC_learner 在此特別鳴謝; 今天我就來聊聊基本的器件:CMOS器件及其電路。在后面會聊聊鎖存器和觸發(fā)器。 今天的主要內(nèi)容如下所示: ·M...
基于邏輯門的構(gòu)成解釋如何完成任意邏輯的管級電路設計
明白上述原因后,就可以理解輸出的高電平由上管決定,低電平由下管決定。為了保證在某一時刻,輸出只能為高電平或低電平,需要結(jié)合上下管,即當上管導通時,下管必...
MOS封裝工藝是指將制造好的MOS管芯片通過一系列步驟封裝到外殼中的過程。以下是MOS封裝工藝的詳細步驟和相關(guān)信息:
NMOS我們通常都能看到比較好的Snap-back特性,但是實際上PMOS很難有snap-back特性,而且PMOS耐ESD的特性普遍比NMOS好,這個...
2023-10-26 標簽:串聯(lián)電阻IC設計靜電放電 2642 0
BPA861X|高品質(zhì)BPA系列家電AC/DC芯片
目前市場上很多芯片不具備輸入過壓保護功能,個別芯片的輸入過壓保護需要外接一串電阻來實現(xiàn),我們的芯片將輸入過壓保護功能集成到內(nèi)部,簡化了外圍電路配置,降低成本。
功率半導體自20世紀50年代開始發(fā)展起來,至今形成以二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等為代表的多世代產(chǎn)品體系。新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生拓寬了原有產(chǎn)品和...
NMOS場效應管通過D管腳和S管腳串接于電源和負載之間,電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置,VR1用于限制VGS間電壓,防止被擊穿。正接時候,R1、R...
Vdmos(垂直雙擴散金屬氧化物半導體)和MOS(金屬氧化物半導體)是兩種不同類型的半導體器件,它們在結(jié)構(gòu)、工作原理、應用等方面都有所區(qū)別。 1. 結(jié)構(gòu)...
通用MCU或DSP的IO電壓通常是5V3.3V,IO的電流輸出能力在20MA以下,不足以直接驅(qū)動功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP來設計電機驅(qū)...
電氣符號傻傻分不清?一個N-MOS管和P-MOS管驅(qū)動應用實例
MOS管在電路設計中是比較常見的,按照驅(qū)動方式來分的話,有兩種,即:N-MOS管和P-MOS管。MOS管跟三極管的驅(qū)動方式有點類似,但又不完全相同,那么...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機 | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機 | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進電機 | SPWM | 充電樁 | IPM | 機器視覺 | 無人機 | 三菱電機 | ST |
伺服電機 | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |