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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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REASUNOS瑞森半導(dǎo)體高低壓MOS在車載逆變器上的應(yīng)用
車載逆變器(電源轉(zhuǎn)換器、Power Inverter)是一種能夠?qū)?DC 12V直流電轉(zhuǎn)換為和市電相同的 AC 220V交流電,提供給一般電器使用,是一...
mosfet主要參數(shù)有哪些(mosfet參數(shù)詳解)
MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)下的阻抗。導(dǎo)通阻抗越大,則開啟狀態(tài)時(shí)的損耗越大。因此,要盡量減小MOSFET的導(dǎo)通阻抗。
開關(guān)電源“炸機(jī)”關(guān)鍵原因在這里
電源工程師最怕什么?炸機(jī)!炸機(jī)的狀況總會成為他們心里說不出的“痛”,里面昂貴的元器件如果出現(xiàn)炸機(jī)狀況,那么在設(shè)計(jì)過程中的成本就會大幅提升。那么問題來了,...
2023-09-05 標(biāo)簽:開關(guān)電源PWM電源適配器 6719 0
展嶸充電站測評:內(nèi)置電感電容,EM6911打造強(qiáng)勁充電“芯”模組
近期,鈺泰半導(dǎo)體推出了創(chuàng)新的充電“芯”模塊EM6911,這一內(nèi)部集成了大功率電感和電容的芯片,具備超小封裝,專為滿足智能終端產(chǎn)品小型化和便攜性的需求而設(shè)...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件,由源(Source)、漏(Drain)和柵(Gate)三個(gè)主要區(qū)域組成。依照其“通道...
隨著電動交通和便攜式電子設(shè)備已融入生活的各個(gè)方面,充電技術(shù)的創(chuàng)新正成為電子行業(yè)的焦點(diǎn)。深圳市芯茂微電子有限公司,作為電源管理領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),近日推出一款...
如何計(jì)算MOSFET實(shí)際應(yīng)用中的損耗
功率半導(dǎo)體自20世紀(jì)50年代開始發(fā)展起來,至今形成以二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等為代表的多世代產(chǎn)品體系。新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生拓寬了原有產(chǎn)品和...
DC-DC的開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴控制方式
引言:由于電源效率變得越來越重要,會使用更高的開關(guān)速度來降低損耗(開關(guān)損耗的評估傳送門:DC-DC-22:如何選擇DC-DC的開關(guān)頻率-2),現(xiàn)常見的開...
俗話說“人無遠(yuǎn)慮必有近憂”,對于電子設(shè)計(jì)工程師,在項(xiàng)目開始之前,器件選型之初,就要做好充分考慮,選擇最適合自己需要的器件,才能保證項(xiàng)目的成功。
如何實(shí)現(xiàn)一種輸入沖擊電流抑制電路設(shè)計(jì)?
在開關(guān)電源的輸入端存在容量較大的電容,由于電容兩端電壓不能突變的特性,設(shè)備接通瞬間電容相當(dāng)于短路,這就導(dǎo)致開關(guān)電源輸入回路在接通瞬間有很大的沖擊電流,當(dāng)...
這是一個(gè)典型的問題,本質(zhì)原因就是功率級寄生電容、電感引起的諧振,然而幾天后我發(fā)現(xiàn),當(dāng)時(shí)我并沒有充分理解問題,這位朋友所要了解的問題其實(shí)應(yīng)細(xì)化為:為什么會...
2023-08-25 標(biāo)簽:變壓器開關(guān)電源MOS 3285 0
隨著科技的不斷進(jìn)步,電子設(shè)備的功能日益強(qiáng)大,對功率管理的需求也越來越高。在這個(gè)快節(jié)奏的時(shí)代,我們需要一種先進(jìn)的元件來滿足不同應(yīng)用的電源管理需求。ASDM...
2023-06-05 標(biāo)簽:MOS 811 0
遠(yuǎn)翔DC輸入36V 5A大電流異步降壓穩(wěn)壓器 內(nèi)置MOS降壓芯片F(xiàn)P6151XR 車用充電器/適配器降壓方案
方案名稱遠(yuǎn)翔DC輸入36V5A大電流異步降壓穩(wěn)壓器內(nèi)置MOS降壓芯片F(xiàn)P6151XR車用充電器/適配器降壓方案?IC一般描述FP6151是一款輸入可達(dá)3...
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